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Cs-Mg-H合金的形成能力与成键机制研究 被引量：1
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作者 邓永和 尹凤娥 容青艳 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2010年第2期213-218,共6页
采用基于密度泛函理论第一性原理的Vienna Abinitio Simulation Package(VASP)软件研究了CsMgH3,Cs4Mg3H10和Cs2MgH4氢化物的晶体结构、反应焓和电子结构.结果表明CsMgH3,Cs4Mg3H10和Cs2MgH4都能直接由单质Cs和Mg在H2中反应生成,其中Cs4... 采用基于密度泛函理论第一性原理的Vienna Abinitio Simulation Package(VASP)软件研究了CsMgH3,Cs4Mg3H10和Cs2MgH4氢化物的晶体结构、反应焓和电子结构.结果表明CsMgH3,Cs4Mg3H10和Cs2MgH4都能直接由单质Cs和Mg在H2中反应生成,其中Cs4Mg3H10的形成能力最强;态密度和电荷密度的分析与讨论表明了Mg和H的成键机制为离子键伴随着显著的共价键. 展开更多
关键词 第一性原理计算 Cs-Mg-H 反应焓 态密度 电荷密度 形成能力 成键机制
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