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H_2^+杂质半导体量子点基态能级的量子尺寸效应 被引量:2
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作者 惠萍 《广东第二师范学院学报》 2012年第5期38-41,共4页
用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点基态能级的量子尺寸效应.计算结果显示:当量子点半径R较小时,基态能级E对两核距离D的变化很敏感,E-D曲线上升快;当R较大时,E-D曲线上升变缓,基态能级对D的变化敏感度下降.在R较小的区域,E-R曲线下降... 用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点基态能级的量子尺寸效应.计算结果显示:当量子点半径R较小时,基态能级E对两核距离D的变化很敏感,E-D曲线上升快;当R较大时,E-D曲线上升变缓,基态能级对D的变化敏感度下降.在R较小的区域,E-R曲线下降较快,量子尺寸效应显著.在R较大的区域,E-R曲线下降速度变缓,量子尺寸效应减弱. 展开更多
关键词 h2+杂质半导体量子 Born—Oppenheimer近似 B—spline技术
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H_2^+杂质半导体量子点激发态能级的计算
2
作者 惠萍 《广东第二师范学院学报》 2013年第3期36-40,共5页
用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点激发态能级.计算结果显示:当两核距离D较小时,激发态能级E对两核距离D的变化很敏感;当两核距离D较大时,E——D曲线上升变缓,激发态能级对D的变化敏感度下降.基态1sσg和激发态2pσu2pπu3dσg3dπg所... 用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点激发态能级.计算结果显示:当两核距离D较小时,激发态能级E对两核距离D的变化很敏感;当两核距离D较大时,E——D曲线上升变缓,激发态能级对D的变化敏感度下降.基态1sσg和激发态2pσu2pπu3dσg3dπg所有E——R曲线随R的增大快速下降,量子尺寸效应显著.通常情况下,D越大,E——R曲线越高.但2pσu的E——R曲线很奇怪,曲线之间出现交叉现象. 展开更多
关键词 h2+杂质半导体量子 BORN-OPPENhEIMER近似 B-spline技术
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半导体量子点中LO声子对类氢杂质的影响 被引量:1
3
作者 王一中 陈利永 《福建师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1997年第4期41-44,共4页
采用变分法从Fro¨hlich哈密顿量出发,研究了LO声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响,并将结果应用到GaAs/Ga1-xAlxAs材料中.研究表明LO声子对GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0.3)为材... 采用变分法从Fro¨hlich哈密顿量出发,研究了LO声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响,并将结果应用到GaAs/Ga1-xAlxAs材料中.研究表明LO声子对GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0.3)为材料的量子点中类氢杂质基态能影响很小. 展开更多
关键词 光频声子 量子 基态能 半导体 类氢杂质
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半导体量子点和碳点基零维/二维异质结光催化剂构筑及应用 被引量:1
4
作者 张栋琪 倪俊朋 +3 位作者 陈启涛 刘艳红 李丽霞 毛宝东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1278-1296,共19页
半导体量子点因其具有精准的尺寸调控、独特的光电特性、丰富的表面活性位点等优势,在光催化剂设计和机理研究中获得了广泛关注。与传统半导体量子点主要作为光吸收单元不同,新兴的碳点更是在增加光吸收、促进电荷分离和增加表面反应位... 半导体量子点因其具有精准的尺寸调控、独特的光电特性、丰富的表面活性位点等优势,在光催化剂设计和机理研究中获得了广泛关注。与传统半导体量子点主要作为光吸收单元不同,新兴的碳点更是在增加光吸收、促进电荷分离和增加表面反应位点等光催化不同环节均展现出优异的应用潜力。然而,量子点光催化剂由于小尺寸带来电荷复合严重、易团聚、稳定性差等问题而限制了其光催化性能。解决这些问题的主要途径之一是将零维(0D)量子点负载到超薄的二维(2D)纳米片上,形成0D/2D纳米复合材料,使量子点更加分散和稳定,且2D纳米材料促进的加速电荷转移能够抑制光生电荷的复合,从而可以有效地改善量子点基光催化剂的催化活性和稳定性。本文系统阐述了半导体量子点和碳点基0D/2D异质结光催化剂的构筑及应用,着重讨论了不同类型0D/2D异质结的光催化作用机理及面临的挑战,最后对其未来发展进行了分析和展望。 展开更多
关键词 光催化 制氢 0D/2D异质结 半导体量子
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肌红蛋白在Nafion/Fe_3O_4-CdTe/CdS量子点复合膜内的直接电化学及其应用于H_2O_2的生物传感 被引量:5
5
作者 赵倩 王国涛 +2 位作者 贾丽萍 陶绪泉 王怀生 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期713-719,共7页
利用磁性纳米Fe3O4和CdTe/CdS量子点结合Nafion的良好成膜性,将肌红蛋白(Mb)固定在玻碳电极表面制备成Nafion/Fe3O4-CdTe/CdS-Mb/GCE修饰电极。在pH 7.0的0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,固定在膜内的Mb表现出良好的直接电化学性质,在-... 利用磁性纳米Fe3O4和CdTe/CdS量子点结合Nafion的良好成膜性,将肌红蛋白(Mb)固定在玻碳电极表面制备成Nafion/Fe3O4-CdTe/CdS-Mb/GCE修饰电极。在pH 7.0的0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,固定在膜内的Mb表现出良好的直接电化学性质,在-0.351 V处有1对近乎可逆的氧化还原峰,为Mb中血红素辅基Fe(Ⅲ)/Fe(Ⅱ)电对的特征氧化还原峰,并显示了很好的稳定性。表明Nafion/Fe3O4-CdTe/CdS复合膜的微环境有利于Mb中Fe(Ⅲ)/Fe(Ⅱ)与电极之间的直接电子传递和Mb的固定。同时,探讨了该修饰电极表面固定的Mb对H2O2的催化还原,结果显示,该修饰电极可作为H2O2生物传感器,实现对H2O2的快速(响应时间小于5 s)、准确检测,灵敏度可达30.6 mA.L/mol,检出限(S/N=3)为0.89μmol/L。 展开更多
关键词 肌红蛋白 FE3O4 CDTE/CDS量子 h2O2 生物传感器
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B,N,S共掺杂石墨烯量子点的制备及对Fe3+和H2PO4-的荧光检测 被引量:3
6
作者 喻照川 马文辉 +4 位作者 吴涛 问婧 张永 王丽艳 初红涛 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期2286-2293,共8页
利用水热法制备了一种可在纯水体系中连续"OFF-ON-OFF"荧光识别Fe^3+和H2PO4^-的B,N,S共掺杂的石墨烯量子点探针材料(BNS-GQDs),并对其形貌和结构进行了表征,结果表明,BNS-GQDs粒径分布均匀,平均粒径为4nm,具有类似石墨烯的结... 利用水热法制备了一种可在纯水体系中连续"OFF-ON-OFF"荧光识别Fe^3+和H2PO4^-的B,N,S共掺杂的石墨烯量子点探针材料(BNS-GQDs),并对其形貌和结构进行了表征,结果表明,BNS-GQDs粒径分布均匀,平均粒径为4nm,具有类似石墨烯的结构,且成功掺杂了B,N,S原子.光谱表征结果表明,其在纯水体系中可以实现对Fe^3+的荧光猝灭识别;同时,BNS-GQDs+Fe^3+体系能够专一性地荧光增强识别H2PO4^-.识别机理研究表明,BNS-GQDs可与Fe^3+通过静电作用形成配合物并向Fe^3+转移电子,从而引起荧光猝灭;H2PO4^-可从上述配合物中置换出Fe^3+,引起体系荧光恢复.BNS-GQDs识别Fe3+和H2PO4-具有较好的可逆性,可应用于Hela细胞和实际水样中Fe^3+和H2PO4^-的检测. 展开更多
关键词 B N S共掺杂石墨烯量子 荧光探针 FE^3+ h2PO4^- 细胞成像
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化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
7
作者 马志华 柴跃生 +1 位作者 孙钢 张敏刚 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期71-74,共4页
半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共... 半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍。从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向。 展开更多
关键词 纳米复合薄膜 共溅射法 非线性光学性质 SIO2 三阶光学非线性 介质 量子 化合物半导体 光开关 功耗
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磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响 被引量:4
8
作者 李玉现 刘增军 +1 位作者 邸冰 刘建军 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期359-361,383,共4页
利用有效质量近似 ,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能 ;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较 ,得出合理的结果 ;
关键词 正方体量子 类氢杂质 束缚能 磁场 半导体量子理论 量子线
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AgInS_2量子点研究进展 被引量:4
9
作者 谢翠萍 向卫东 +3 位作者 骆乐 钟家松 赵斌宇 梁晓娟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期9-16,共8页
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展... Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展,讨论了其存在的问题并对今后的研究进行了展望。 展开更多
关键词 AgInS2 半导体 量子 研究进展
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椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率(英文)
10
作者 解文方 《广州大学学报(自然科学版)》 CAS 2013年第2期10-14,共5页
在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量... 在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质有强烈的影响. 展开更多
关键词 施主杂质 量子 半导体
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一种新型检测大肠杆菌O157∶H7的免疫磁珠-量子点纳米颗粒的制备和应用 被引量:3
11
作者 文湘郡 滕鑫 +3 位作者 丁星宇 佘竹欣 李壹 熊晓辉 《食品与发酵工业》 CAS CSCD 北大核心 2022年第13期48-54,共7页
研究建立了免疫磁珠和荧光量子点标记的抗体检测大肠杆菌O157∶H7的方法。采用溶剂热法制备了Fe_( 3)O_( 4)纳米颗粒,并用SiO_(2)、羧基和大肠杆菌O157∶H7抗体依次包覆制得免疫磁珠。游离的大肠杆菌O157∶H7首先与免疫磁珠结合,然后由... 研究建立了免疫磁珠和荧光量子点标记的抗体检测大肠杆菌O157∶H7的方法。采用溶剂热法制备了Fe_( 3)O_( 4)纳米颗粒,并用SiO_(2)、羧基和大肠杆菌O157∶H7抗体依次包覆制得免疫磁珠。游离的大肠杆菌O157∶H7首先与免疫磁珠结合,然后由量子点标记的抗体与大肠杆菌结合,形成一个三明治结构;随后分析磁分离采集的磁珠的荧光强度(激发/发射波长为370 nm/472 nm)。SiO_(2)壳结构的引入,减少了传统免疫磁珠的非特异性吸附,提高了对目标菌的选择性,同时有效的阻止了三明治结构中量子点因电子转移至Fe_(3)O_(4)而引起的荧光猝灭,保证了分析方法的可行性。动态范围为10~10^(8) CFU/mL,检出限为10 CFU/mL。牛肉、牛奶和蜂蜜样品中大肠杆菌O157∶H7的平均加样回收率分别为95%~104%、90%~94%和90%~110%;相对标准偏差分别为2.1%~3.8%、3.2%~7.8%和5.8%~6.3%。 展开更多
关键词 大肠杆菌O157∶h7 免疫磁珠 量子 SiO_(2)
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CuInS2三元量子点纳米复合材料的制备与应用 被引量:1
12
作者 李志飞 刘科魁 关晓琳 《广东化工》 CAS 2019年第18期3-6,23,共5页
量子点是一种极小的半导体纳米晶体,被认为是现代光电领域中最重要的基石之一。本文使用的新型铜铟硫(CuInS2)量子点是利用水热法合成的一种水溶性的量子点。该量子点在合成过程中不需要使用有机溶剂,并且组成中不含有镉、铅等重金属元... 量子点是一种极小的半导体纳米晶体,被认为是现代光电领域中最重要的基石之一。本文使用的新型铜铟硫(CuInS2)量子点是利用水热法合成的一种水溶性的量子点。该量子点在合成过程中不需要使用有机溶剂,并且组成中不含有镉、铅等重金属元素,满足对当前环境友好型的要求。我们将制备的量子点材料进行性能研究表明其拥有很好的荧光强度、良好的光稳定性等优点,因此这种新型的量子点材料有着非常可观的应用价值以及广泛的应用前景。 展开更多
关键词 半导体纳米晶体 CuInS2量子 制备与应用
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基于CdS和CdSe纳米半导体材料的可见光催化二氧化碳还原研究进展 被引量:6
13
作者 吴进 刘京 +2 位作者 夏雾 任颖异 王锋 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第5期95-102,共8页
二氧化碳(CO_(2))是大气层中温室气体的主要成分,资源化利用二氧化碳既可以减少二氧化碳排放又可以利用二氧化碳制备高附加值化学品。通过人工光合作用系统将二氧化碳还原为一氧化碳、甲烷等太阳燃料被认为是二氧化碳资源化利用的理想... 二氧化碳(CO_(2))是大气层中温室气体的主要成分,资源化利用二氧化碳既可以减少二氧化碳排放又可以利用二氧化碳制备高附加值化学品。通过人工光合作用系统将二氧化碳还原为一氧化碳、甲烷等太阳燃料被认为是二氧化碳资源化利用的理想方式。纳米半导体材料因其丰富的光物理和光化学特性以及优异的光稳定性被作为光敏剂或光催化剂用于构筑光催化二氧化碳还原体系,其中CdS和CdSe(如溶胶量子点、纳米棒、纳米片)是研究较多的两种纳米半导体材料。基于CdS或CdSe纳米半导体材料的光催化二氧化碳还原体系可分为三类:(i)基于CdS、CdSe的光催化二氧化碳还原体系;(ii)基于CdS、CdSe复合材料的二氧化碳还原体系;(iii)CdS和分子催化剂构筑的杂化二氧化碳还原体系。本文介绍了人工光合作用体系的构筑以及半导体纳米材料光催化机理,总结了上述三类体系中的代表性工作,最后讨论了基于纳米半导体材料的光催化二氧化碳还原研究前景和面临的挑战。 展开更多
关键词 人工光合作用 CO_(2)还原 CdS纳米半导体 CDSE量子 分子催化剂
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D^-中心量子点的极化子效应(英文) 被引量:3
14
作者 解文方 《广州大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期22-25,共4页
利用少体物理的方法 ,研究了半导体量子点中负施主杂质低激发态能谱的极化子效应 ,发现随着量子点的尺寸改变 ,有和没有电—声相互作用的影响 ,其能级顺序的改变是不一样的 .另一方面 ,我们计算了负施主杂质中心的基本束缚能随量子点半... 利用少体物理的方法 ,研究了半导体量子点中负施主杂质低激发态能谱的极化子效应 ,发现随着量子点的尺寸改变 ,有和没有电—声相互作用的影响 ,其能级顺序的改变是不一样的 .另一方面 ,我们计算了负施主杂质中心的基本束缚能随量子点半径的变化关系 。 展开更多
关键词 半导体量子 负施主杂质 电-声相互作用 极化子效应 激发态能谱 能级顺序 D^-中心量子
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量子点敏化太阳电池光阳极研究进展 被引量:1
15
作者 靳斌斌 《当代化工》 CAS 2016年第2期339-341,共3页
在量子点敏化太阳电池的性能研究中,光阳极薄膜的优化一直是研究的重点。除了传统的TiO_2纳米颗粒,通过一些简单实验制备出的纳米管、纳米线阵列,一维核壳纳米结构也被广泛的应用于光阳极中。形貌易于控制的ZnO因与TiO_2具有相似的能带... 在量子点敏化太阳电池的性能研究中,光阳极薄膜的优化一直是研究的重点。除了传统的TiO_2纳米颗粒,通过一些简单实验制备出的纳米管、纳米线阵列,一维核壳纳米结构也被广泛的应用于光阳极中。形貌易于控制的ZnO因与TiO_2具有相似的能带结构和物理性质,又兼具高的电子迁移率而成为比较理想替代物。一维ZnO及其核壳结构半导体材料的制备及性能研究表明,其具有良好的导电性,电荷分离传输效率高,光俘获性能好等优点,已成为量子点敏化太阳电池光阳极研究的重要方向。 展开更多
关键词 半导体氧化物 TIO2 ZNO 光阳极 量子敏化太阳电池(QDSSCs)
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量子点540诱导人皮肤成纤维细胞DNA双链断裂 被引量:3
16
作者 章晨 董正伟 +2 位作者 沈筱筠 Frank F.Chen 杨军 《毒理学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期177-180,181,共5页
目的探讨具有多聚乙烯基乙二醇(PEG)作为包被材料及无PEG包被的CdSe/ZnS(内芯/外壳)量子点540的DNA损伤特性。方法分别应用细胞毒性实验(MTS)和苔盼蓝法分析经量子点540处理后人皮肤成纤维细胞的存活率和增殖情况,γH2AX焦点形成及彗星... 目的探讨具有多聚乙烯基乙二醇(PEG)作为包被材料及无PEG包被的CdSe/ZnS(内芯/外壳)量子点540的DNA损伤特性。方法分别应用细胞毒性实验(MTS)和苔盼蓝法分析经量子点540处理后人皮肤成纤维细胞的存活率和增殖情况,γH2AX焦点形成及彗星实验探讨DNA损伤情况。结果8 nmol/L和80 nmol/L有PEG包被的量子点540处理细胞后,细胞生存率及生长趋势与阴性对照相比差异无统计学意义。而无PEG包被的量子点540在同样剂量下可引起细胞生存率及生长趋势的下降。同时,无PEG包被的量子点540可使细胞核内γH2AX焦点数量以及有γH2AX焦点的细胞数量增加,有彗尾的细胞数量增加,且尾相增大。结论量子点540在PEG的包被下无明显细胞毒性。在没有PEG包被的情况下,量子点540均表现出细胞毒性以及遗传毒性作用,可导致细胞DNA的双链断裂。 展开更多
关键词 量子540 细胞毒性 遗传毒性 γh2AX DNA损伤
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基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器 被引量:1
17
作者 王洪培 王旭 +3 位作者 王顺 刘健 蒋成 张子旸 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期456-460,473,共6页
锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1... 锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1550 nm的高性能QD-SESAM仍然十分困难。采用分子束外延(MBE)生长制备了1550 nm GaAs基InAs QD-SESAM,通过在SESAM上表面生长厚度为λ/4的SiO_(2)层,将QD-SESAM的调制深度提升至1.4%。使用这种新型的QD-SESAM优化了耦合效率,成功地构建了稳定的环形腔被动锁模掺铒光纤激光器,其斜率效率为2.2%,脉冲宽度为2 ps,重复频率为16.5 MHz,最大输出功率约为4.1 mW。结果表明,这种带有λ/4厚度SiO_(2)层的QD-SESAM在制备高性能锁模激光器方面具有非常大的应用潜力。 展开更多
关键词 被动锁模光纤激光器 InAs/GaAs量子(QD) 量子半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM) SiO_(2) 环形腔
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Quantum entanglement transition in vertically coupled two single-electron quantum dots with charged impurity 被引量:1
18
作者 MANZhong-xiao ZHANGZhan-jun 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B04期371-374,共4页
Effects of a charged impurity on the ground state of two vertically coupled identical single-electron quantum dots with and without applied magnetic field are investigated. In the absence of the magnetic field, the in... Effects of a charged impurity on the ground state of two vertically coupled identical single-electron quantum dots with and without applied magnetic field are investigated. In the absence of the magnetic field, the investigations of the charged impurity effect on the quantum entanglement (QE) in some low-lying states are carried out. It is found that, both the positive charged impurity (PCI) and the negative charged impurity (NCI) reduce the QE in the low-lying states under consideration except that the QE in the ground state is enhanced by the NCI. Additionally, in the domain of B from 0 Tesla to 15 Tesla, the ground state energy E, the ground state angular momentum L and the ground state QE entropy S are worked out. As far as the ground state are concerned, the PCI (NCI) blocks (induces) the angular momentum phase transition and the QE phase transition besides the known fact (i.e., the PCI/NCI decreases/increases the energy) in the magnetic field. 展开更多
关键词 半导体量子 量子纠缠态 磁场 分离 带电杂质
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SiO2基荧光材料的研究进展
19
作者 武钰涵 曹文兵 +1 位作者 詹园 孙争光 《胶体与聚合物》 2020年第4期200-204,共5页
在荧光物质表面包裹SiO2是提升荧光材料应用性能的有效途径。SiO2具有生物相容性高、物理化学性质稳定、机械强度高以及柔韧性良好等优点,能在提升荧光材料发光性能的同时,保持其发光性能不变,非常适合作为荧光材料的包覆基质。本文对S... 在荧光物质表面包裹SiO2是提升荧光材料应用性能的有效途径。SiO2具有生物相容性高、物理化学性质稳定、机械强度高以及柔韧性良好等优点,能在提升荧光材料发光性能的同时,保持其发光性能不变,非常适合作为荧光材料的包覆基质。本文对SiO2基的荧光材料进行了分类,综述了半导体量子点、碳点、金属增强荧光、稀土金属类复合荧光材料的制备和应用的研究进展,并对SiO2基荧光材料的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 荧光 SIO2 半导体量子 金属增强荧光 稀土离子
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量子点敏化TiO_2纳米管阵列光电极的制备研究取得新进展
20
《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期496-496,共1页
窄禁带半导体量子点作为太阳能电池的敏化剂有许多优点:(1)可以通过控制量子点的尺寸调节能级结构,使其吸收光谱能够匹配太阳光光谱;(2)半导体量子点的固有偶极矩可以使电荷快速分离;(3)量子点吸收一个光子能够产生多个光生... 窄禁带半导体量子点作为太阳能电池的敏化剂有许多优点:(1)可以通过控制量子点的尺寸调节能级结构,使其吸收光谱能够匹配太阳光光谱;(2)半导体量子点的固有偶极矩可以使电荷快速分离;(3)量子点吸收一个光子能够产生多个光生电子,有望进一步提高光电转换效率.但是采用量子点敏化传统TiO2多孔膜所制备的光电极光电转换效率一直比较低,通常在1%以下. 展开更多
关键词 半导体量子 TiO2多孔膜 敏化剂 光电极 纳米管阵列 制备 光电转换效率 吸收光谱
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