H2Se气态硒化后退火温度对CIGS薄膜中Ga再分布的影响

采用H2Se气体在400℃下对溅射的Cu-In-Ga金属预制层进行硒化处理制备CIGS薄膜，然后采用原位退火的方法改善Ga元素在CIGS薄膜内的纵向分布和薄膜内的晶粒尺寸，研究退火温度对CIGS薄膜表面Ga元素含量和结晶性的影响。CIGS薄膜中Ga元素的分布决定薄膜的禁带宽度和太阳电池的开路电压，通过优化退火温度，CIGS太阳电池的转换效率相对增益达到20％，最终达到14．39％的转换效率和590mV的开路电压。