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Theoretical Study of the Mechanism of Cycloaddition Reaction between Silylene Silylene (H2Si=Si:) and Acetone
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作者 汪智娜 时乐义 +1 位作者 李永庆 卢秀慧 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2012年第3期675-680,共6页
The mechanism of the cycloaddition reaction between singlet silylene silylene (H2Si = Si:) and acetone has been investigated with the CCSD (T)//MP2/6-31 G* method, According to the potential energy profile, it c... The mechanism of the cycloaddition reaction between singlet silylene silylene (H2Si = Si:) and acetone has been investigated with the CCSD (T)//MP2/6-31 G* method, According to the potential energy profile, it can be predicted that the reaction has two competitive dominant reaction channels. The present rule of this reaction is that the [2 + 2] cycloaddition reaction of the two ^-bonds in silylene silylene (H2Si=Si:) and acetone leads to the formation of a four-membered ring silylene (E3). Because of the unsaturated property of Si: atom in E3, it further reacts with ace- tone to form a silicic bis-heterocyclic compound (P7). Simultaneously, the ring strain of the four-membered ring silylene (E3) makes it isomerize to a twisted four-membered ring product (P4). 展开更多
关键词 silylene silylene h2si = Si:) cycloaddition reaction potential energy profile
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H_8Si_8O_(12) 和H_8Si_7TiO_(12)团簇的几何构型和电子结构的从头算研究 被引量:1
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作者 韩聚广 潘必才 施蕴渝 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2000年第6期661-665,共5页
应用HF、 MP2和杂化的B3LYP方法,使用3-21G基组,对H8Si8O12 和H8Si7TiO12团簇的几何构型、总能进行了计算,并在B3LYP/3-21G的水平上对硅原子的核磁共振化学位移进行了研究,得到的几何构型,以及核磁共振化学位移与实验结果进行了比... 应用HF、 MP2和杂化的B3LYP方法,使用3-21G基组,对H8Si8O12 和H8Si7TiO12团簇的几何构型、总能进行了计算,并在B3LYP/3-21G的水平上对硅原子的核磁共振化学位移进行了研究,得到的几何构型,以及核磁共振化学位移与实验结果进行了比较,发现吻合得很好。计算了H8Si8O12和H8Si7TiO12团簇的Mulliken布居数的大小。并对Si原子被Ti原子取代前后的H8Si8O12体系的几何构型、 Mulliken布居数的变化进行了比较和研究。 展开更多
关键词 团簇 电子结构 从头算 H8Si8O12 h2si7TiO12
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Li-Fe-Si-H_2O体系的热力学分析 被引量:4
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作者 张有新 曹才放 +1 位作者 刘旭恒 赵中伟 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期428-433,共6页
根据已有热力学数据,绘制25℃时Li-Fe-Si-H2O体系各溶解组分的lgc-pH图、Li-Fe-Si-H2O体系主要物种的优势区图和强碱性区域Li-Fe-Si-H2O体系各沉淀的优势区图。利用这些平衡图对液相制备硅酸铁锂的工艺条件进行热力学分析。研究结果表明... 根据已有热力学数据,绘制25℃时Li-Fe-Si-H2O体系各溶解组分的lgc-pH图、Li-Fe-Si-H2O体系主要物种的优势区图和强碱性区域Li-Fe-Si-H2O体系各沉淀的优势区图。利用这些平衡图对液相制备硅酸铁锂的工艺条件进行热力学分析。研究结果表明:控制溶液的碱度是制备磷酸铁锂前驱体Li2H2SiO4·Fe(OH)2的关键因素,若要利用Li+,Fe2+和H2SiO24-在液相形成Li2H2SiO4·Fe(OH)2,则要维持溶液较高的碱度,使得Li+能与H2SiO42-生成Li2H2SiO4沉淀,并且抑制FeH2SiO4的生成,使Fe2+以Fe(OH)2的形式沉淀;溶液体系的碱性越强,Li2H2SiO4·Fe(OH)2的优势区域越宽,更有利于Li2H2SiO4·Fe(OH)2的合成;采用液相法制备硅酸铁锂时,由于pH值大于15,体系的碱度较高,溶液中Fe2+极容易被氧化,故制备过程难以实现;而利用固相法制备硅酸铁锂,其保护性气氛容易控制,工艺简单,流程短,便于实现。 展开更多
关键词 Li—Fe—Si—H2O体系 硅酸铁锂 热力学 Li2h2siO4·Fe(OH)2
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二次水热合成法制备ZSM-5分子筛膜及其渗透汽化性能 被引量:4
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作者 朱美华 夏水莲 +6 位作者 刘永生 袁晓蕾 李羚 桂田 张飞 刘鑫 陈祥树 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2885-2891,共7页
采用二次水热合成法在管状多孔莫来石支撑体上制备高耐酸性ZSM-5分子筛膜,系统地研究分子筛晶种和合成溶胶中H_2O/SiO_2摩尔比率对ZSM-5分子筛膜生长与渗透汽化性能的影响,采用X射线衍射、冷场扫描电子显微镜和电子能谱等表征技术分别... 采用二次水热合成法在管状多孔莫来石支撑体上制备高耐酸性ZSM-5分子筛膜,系统地研究分子筛晶种和合成溶胶中H_2O/SiO_2摩尔比率对ZSM-5分子筛膜生长与渗透汽化性能的影响,采用X射线衍射、冷场扫描电子显微镜和电子能谱等表征技术分别对制备的ZSM-5分子筛及其ZSM-5分子筛膜的结构、形貌和Si/Al比进行表征。针对分离75℃、90%HAc/H_2O的水溶液,最优化条件下制备的ZSM-5分子筛膜表现出优良的渗透汽化性能,渗透通量和分离因子分别为0.98kg/(m2·h)和890。此外,本研究所采用制备耐酸性ZSM-5分子筛膜的方法表现出良好的重现性,重复制备的12根ZSM-5分子筛膜在75℃下分离90%HAc/H_2O的水溶液时,平均通量和分离系数分别为(0.85±0.15)kg/(m2·h)和650±290。再者,ZSM-5分子筛膜在45~75℃的温度范围内分离50%~95%HAc/H_2O水溶液时都表现出优良的渗透汽化性能。 展开更多
关键词 耐酸性ZSM-5分子筛膜 晶种 H2O/Si O2比率 渗透汽化 重复性
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甲硅硫醛(H_2SiS)脱氢反应的反应路径解析
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作者 韩云竹 杨光辉 赵成大 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1990年第4期445-448,共4页
本文用内禀反应坐标(IRC)方法讨论了甲硅硫醛分子的脱氢反应机理.在RHF/4-31G基组上对此反应做了量子化学从头计算和反应路径解析,得到H_2SiS的平衡几何、过渡态结构、反应势能曲线、活化能,反应热以及沿反应坐标一些物理量的变化,并对... 本文用内禀反应坐标(IRC)方法讨论了甲硅硫醛分子的脱氢反应机理.在RHF/4-31G基组上对此反应做了量子化学从头计算和反应路径解析,得到H_2SiS的平衡几何、过渡态结构、反应势能曲线、活化能,反应热以及沿反应坐标一些物理量的变化,并对平衡几何和过渡态做了振动分析.同时,计算了反应的频率因子A和在500K时的活化熵△S≠。 展开更多
关键词 甲硅硫醛 h2siS 脱氢反应
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H_(13)Si_2Mo_(13)V_5O_(62)·24H_2O的制备、表征及催化合成乙酸正丁酯的研究 被引量:2
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作者 尹彦冰 金洺函 宋瑶 《昆明理工大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第6期107-109,124,共4页
采用分步加酸、乙醚-丙酮萃取的方法制备了H13Si2Mo13V5O62·24H2O杂多酸,通过IR、XRD、TG对其结构进行了表征.研究了其催化合成乙酸正丁酯的反应,考察了酸醇比、杂多酸用量、反应时间和反应温度等因素对反应的影响.最终确定最优反... 采用分步加酸、乙醚-丙酮萃取的方法制备了H13Si2Mo13V5O62·24H2O杂多酸,通过IR、XRD、TG对其结构进行了表征.研究了其催化合成乙酸正丁酯的反应,考察了酸醇比、杂多酸用量、反应时间和反应温度等因素对反应的影响.最终确定最优反应条件为:催化剂用量为5%(按乙酸质量计算),酸醇摩尔比是1.0∶2.0,反应时间为75 min,反应温度为115℃. 展开更多
关键词 H13Si2Mo13V5O62 催化 乙酸正丁酯 制备杂多酸 表征
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提高H08Mn_2Si质量的研究 被引量:4
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作者 周应其 陈云祥 《湖南冶金》 2001年第3期7-9,共3页
在湘钢条件下 ,采用转炉—精炼—连铸—高线工艺试制了 H0 8Mn2 Si A钢 ,试制发现 :钢水的温度 ,合金成分的偏析以及控轧控冷的工艺对 H0 8Mn2 Si的性能有很重要的影响。
关键词 H08Mn2Si钢 焊丝 产品质量 控轧控冷
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茂金属配合物[(eta^5-C_5H_4Si_2Me_5)Mo-Br(CO)_3]的电子结构研究 被引量:1
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作者 邝代治 冯泳兰 +3 位作者 王剑秋 张复兴 陈志敏 许志锋 《衡阳师范学院学报》 2002年第6期51-55,共5页
运用G98W,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[(eta^5-C_5H_4Si_2Me_5)Mo-Br(CO)_3]进行从头算研究,探讨配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前沿分子轨道的组成特征等,结果表明,标题配合物结构在能量上是... 运用G98W,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[(eta^5-C_5H_4Si_2Me_5)Mo-Br(CO)_3]进行从头算研究,探讨配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前沿分子轨道的组成特征等,结果表明,标题配合物结构在能量上是稳定的,作为结构单元而存在。为茂金属配合物的合成、分子组装分析提供参考。 展开更多
关键词 [(eta^5-C5H4Si2Me5)Mo-Br(CO)3] 茂金属配合物 从头计算 电子结构 结构稳定性 分子轨道能量 电荷分布
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热处理对H08Mn2Si增材成形件磨损行为的影响
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作者 杨秀芝 张李超 +3 位作者 华文林 杨春杰 董春法 李轩 《热加工工艺》 北大核心 2020年第12期119-123,共5页
以H08Mn2Si为焊丝并添加合金粉的电弧增材成型件为研究对象,在SST-ST销-盘摩擦磨损实验机上开展增材件的磨损实验研究,考察不同热处理工艺对增材层抗磨损能力的影响。采用JSM-6010型扫描电镜观察磨损试样的磨损面,采用S-3000N型超景深... 以H08Mn2Si为焊丝并添加合金粉的电弧增材成型件为研究对象,在SST-ST销-盘摩擦磨损实验机上开展增材件的磨损实验研究,考察不同热处理工艺对增材层抗磨损能力的影响。采用JSM-6010型扫描电镜观察磨损试样的磨损面,采用S-3000N型超景深光学显微镜观察试样的腐蚀抛光面,分析其磨损机理。结果表明:金属增材件的耐磨性必须同时结合磨损量和摩擦系数综合分析,初期耐磨性可以通过磨损量的大小来粗略评定,后期耐磨性必须用摩擦系数来评定;经综合分析发现:热处理工艺能有效提高增材件的耐磨性,其中增材件在350℃×3 h保温、空冷热处理工艺下的耐磨性能最好,主要以磨粒磨损机理为主;750℃试样耐磨性能最差,为粘着磨损和磨粒磨损为主的混合磨损机制。 展开更多
关键词 H08Mn2Si 磨损 增材成形 摩擦系数
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Ab initio Study on Formation Mechanism of Spiro-Si-Heterocyclic Ring Compound Involving Ge from H2Ge=Si: and Formaldehyde
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作者 卢秀慧 王党生 明静静 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2016年第2期193-198,I0001,共7页
H2Ge=Si: and its derivatives (X2Ge=Si:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, Ar, ...) are new species. Its cycloaddition reactions are new area for the study of silylene chemistry. The cycloaddition reaction mechanism of singl... H2Ge=Si: and its derivatives (X2Ge=Si:, X=H, Me, F, C1, Br, Ph, Ar, ...) are new species. Its cycloaddition reactions are new area for the study of silylene chemistry. The cycloaddition reaction mechanism of singlet H2Ge=Si: and formaldehyde has been investigated with the MP2/aug-cc-pVDZ method. From the potential energy profile, it could be predicted that the reaction has one dominant reaction pathway. The reaction rule is that two reactants firstly form a four-membered Ge-heterocyclic ring silylene through the [2+2] cycloaddition reaction. Because of the 3p unoccupied orbital of Si: atom in the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene and the π orbital of formaldehyde forming a π--p donor-acceptor bond, the four-membered Ge-heterocyclic ring silylene further combines with formaldehyde to form an intermediate. Because the Si: atom in the intermediate undergoes sp3 hybridization after transition state, then the intermediate isomerizes to a spiro-Si-heterocyclic ring compound involving Ge via a transition state. The result indicates the laws of cycloaddition reaction between H2Ge=Si: or its derivatives (X2Ge=Si:, X=H, Me, F, Cl, Br, Ph, Ar, ...) and asymmetric π-bonded compounds are significant for the synthesis of small-ring involving Si and Ge and spiro-Si-heterocyclic ring compounds involving Ge. 展开更多
关键词 H2Ge=Si: Four-membered Ge-heterocyclic ring silylene Spiro-Si-heterocyclicring compound Potential energy profile
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Mechanism of Insertion Reactions between Silylenoid H_2SiLiF and GeH_3R(R=F,OH,NH_2):a Theoretical Study
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作者 焉炳飞 李文佐 +2 位作者 肖翠平 李庆忠 程建波 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2015年第7期1004-1012,共9页
Theoretical investigations on the insertion reaction mechanisms of three- membered-ring silylenoid H2 Si Li F with GeH 3R(R = F, OH, NH2) have been systematically carried out by combined density functional theory(... Theoretical investigations on the insertion reaction mechanisms of three- membered-ring silylenoid H2 Si Li F with GeH 3R(R = F, OH, NH2) have been systematically carried out by combined density functional theory(DFT) and ab initio quantum chemical calculations. The geometries of all stationary points for these reactions were optimized using the B3 LYP method and then the QCISD method was used to calculate the single-point energies. The calculated results indicate that, there are one precursor complex(Q), one transition state(TS), and one intermediate(IM) which connect the reactants and the products along the potential energy surface. The insertion reactions of three-membered-ring silylenoid with Ge H3 R proceed in a concerted manner, forming H2RSi-Ge H3 and Li F. The calculated potential energy barriers of the three reactions are 29.17, 30.90, and 54.07 k J/mol, and the reaction energies for the three reactions are –127.05, –116.91, and –103.31 k J/mol, respectively. The insertion reactions in solvents are similar to those in vacuum. Under the same situation, the insertion reactions should occur easily in the following order: GeH 3-F GeH 3-OH GeH 3-NH2. The elucidations of the mechanism of these insertion reactions provided a new mode of silicon-germanium bond formation. 展开更多
关键词 insertion reactions silylenoid h2si LiF Ge H3R(R = F OH NH2) DFT
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茂金属配合物[2,5-(Me_3Si)_2MeC_5H_2FeI(CO)_2]的电子结构研究 被引量:5
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作者 邝代治 冯泳兰 周秀中 《分子科学学报》 CAS CSCD 2003年第1期51-56,共6页
 运用G98W程序,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[2,5-(Me3Si)2MeC5H2FeI(CO)2]进行从头算研究,探讨了配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前线分子轨道的组成特征等.结果表明,标题配合物在能量上可作...  运用G98W程序,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[2,5-(Me3Si)2MeC5H2FeI(CO)2]进行从头算研究,探讨了配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前线分子轨道的组成特征等.结果表明,标题配合物在能量上可作为结构单元而稳定存在.该结构单元为茂金属配合物的合成、分子组装分析和催化活性研究提供理论依据. 展开更多
关键词 茂金属配合物 电子结构 从头算 稳定性 分了轨道能量 原子净电荷 [2 4-(Me3Si)2MeC5H2F3I(CO)2]
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喷丸强化对H08Mn2Si堆焊层残余应力及组织结构的影响 被引量:1
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作者 万盼兵 张伟 +2 位作者 汪勇 宋占永 李戈舟 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期77-82,共6页
利用气动式喷丸机对H08Mn2Si堆焊层表面进行强化处理。借助X射线衍射方法,研究了强化层中残余应力沿材料层深分布规律,采用金相显微镜、显微硬度仪、三维形貌仪分析了强化层的组织结构、显微硬度和表面粗糙度。结果表明:喷丸强化使H08Mn... 利用气动式喷丸机对H08Mn2Si堆焊层表面进行强化处理。借助X射线衍射方法,研究了强化层中残余应力沿材料层深分布规律,采用金相显微镜、显微硬度仪、三维形貌仪分析了强化层的组织结构、显微硬度和表面粗糙度。结果表明:喷丸强化使H08Mn2Si堆焊层形成了约500μm的强化层,表层的显微硬度呈先增大后减小的趋势,金相分析表明铁素体组织未发生转化,表面粗糙度有不同程度的增大。 展开更多
关键词 喷丸强化 H08Mn2Si堆焊层 残余应力
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类单晶硅结构Si(C≡C―C_6H_4―C≡C)_4新材料的力学与光学性质:第一性原理研究 被引量:2
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作者 方磊 孙铭骏 +1 位作者 曹昕睿 曹泽星 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第3期296-302,共7页
基于单晶硅中Si的四面体成键特征及对其结构单元的替换修饰,我们设计了一种类单晶硅结构的新材料-C_(40)H_(16)Si_2。通过广泛的第一性原理计算,研究了这类材料的电子性质、力学性质和光学性质。计算结果表明,这种新材料具有好的热力学... 基于单晶硅中Si的四面体成键特征及对其结构单元的替换修饰,我们设计了一种类单晶硅结构的新材料-C_(40)H_(16)Si_2。通过广泛的第一性原理计算,研究了这类材料的电子性质、力学性质和光学性质。计算结果表明,这种新材料具有好的热力学稳定性和机械稳定性。该材料的禁带宽度为3.32 eV,价带底和导带顶都位于Gamma点,是直接带隙宽禁带半导体材料。该材料的维氏硬度和密度非常小,不到单晶硅的十分之一,是一类低密度的柔性多孔材料。此外,该材料在紫外光区有强的吸收,有望应用于蓝绿光发光二极管。 展开更多
关键词 第一性原理计算 C40H16Si2半导体材料 低密度 柔性材料 光学性质
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单层硅Si_6H_4Ph_2的稳定性和电子结构密度泛函研究
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作者 宋健 李锋 +4 位作者 邓开明 肖传云 阚二军 陆瑞锋 吴海平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期437-442,共6页
采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6... 采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6类似,显示间接带隙半导体性质. 展开更多
关键词 单层硅Si6H4Ph2 稳定性 电子结构 密度泛函
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