脱锌腐蚀对H68A凝汽器黄铜管早期泄漏的影响

针对某火电厂H68A凝汽器黄铜管早期腐蚀泄漏问题,本文运用拉伸力学性能测试、扫描金相一微区成分分析和X射线衍射物相分析等先进检测手段对H 68A凝汽器黄铜管内壁腐蚀特性进行观察和分析。结果表明,造成H 68A凝汽器黄铜管腐蚀泄漏的主要原因是脱锌腐蚀。并且发现铜管选材不当、使用前没有成膜处理、冷凝水质不稳定和内表面的残碳膜等是其产生脱锌腐蚀的主要因素。

THE INFLUENCE OF RESIDUAL STRESS ON THE CORROSION RESISTANCE OF H68A BRASS TUBES IN SEA WATER

This paper reveals the morphological characteristics of the cracks formed in H68A brass tubes fully immersed in seawater, and studies the depth profiles of the residual stress of the tubes. Tbe great residual stress in the wall results in stress-corrosion cracking, and the unique morphology of the cracks is due to the uneven distribution of residual stress through the depth of the tube.

贯通地线用护套盘管失效分析

某电缆制造厂在贯通地线制造过程中发现护套盘管开裂,采用宏观形貌分析、化学成分分析、金相显微镜分析、残余应力分析等手段分析了贯通地线护套盘管开裂原因。结果表明:贯通地线在线退火时,退火炉的电源功率存在不稳定性,电源功率骤升,使得护套盘管产生晶粒长大,甚至局部点熔化产生裂纹源;随着热应力、护套盘管变形应力及缆芯应力释放的共同作用,护套盘管裂纹扩展,甚至断裂。

金属盘管的室温拉伸试验方法

分别采用试样两端压扁法、人工掰直法和矫直机矫直法对H68黄铜盘管和BFe10-1-1白铜盘管进行室温拉伸试验,并对试验结果进行分析。结果表明:对于壁厚不小于1 mm、断后伸长率不小于60%的金属盘管,试样端部压扁后,可以有效地进行室温拉伸试验;对于壁厚小于1 mm、断后伸长率小于40%的金属盘管,采用正压法可以提高试验成功率;当试样允许矫直,或屈服强度无要求时,将试样进行整体矫直更容易操作。

不同温度轧制H68黄铜样品退火后的晶界特征分布

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了不同温度轧制黄铜H68样品退火后的晶界特征分布(GBCD)。黄铜H68再结晶样品在不同温度下(-20℃、室温、100℃)进行6%轧制,随后进行650℃×10 min退火处理。结果表明:在室温下轧制退火比在100℃轧制退火和-20℃轧制退火生成更高比例的特殊晶界,其值达到78.7%;较大尺寸(400μm)的∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了合金的GBCD优化。分析指出:在室温下轧制,合金的层错能有利于后续退火中形成退火孪晶,并发生Σ3n(n=1,2,3)晶界迁移与交互反应;在100℃下轧制,合金的层错能较高,有利于后续退火中生成一般大角度晶界包围的新生晶粒;在-20℃下轧制,合金的层错能较低,后续退火中晶界迁移的驱动力不足,不能实现GBCD优化。

同步改善黄铜H68晶界腐蚀行为和力学性能

平均晶粒尺寸为150μm的工业黄铜H68初始样品经晶界工程(GBE)处理,其特殊晶界比达到76%、平均晶粒尺寸为30μm。拉伸实验和铵盐环境中的腐蚀实验结果表明:经GBE处理的样品,不仅其抗拉强度由初始样品的234 MPa提高到297 MPa,且其晶界腐蚀抗力也得到显著改善。相比于同样晶粒尺寸的传统再结晶状态样品,经GBE处理的样品,虽其抗拉强度降低,但其伸长率却提高17%;前者在铵盐环境中沿晶腐蚀严重,而后者基本不发生沿晶腐蚀。GBE处理的样品中存在的大量特殊晶界(主要是Σ3晶界)及其对一般大角度晶界网络连通性的阻断是该样品比初始样品以及传统再结晶样品具有优异晶界腐蚀抗能力的主要原因;特殊晶界虽然具有明显的界面强化作用,但其强化效果显然不如一般大角度晶界,其原因可能与特殊晶界具有较高结构有序度有关。

H68黄铜动态应变时效后的组织与性能

在4.76×10-4s-1的应变速率、100K^673K的温度范围内进行了系列温度拉伸试验、恒应力时效试验以及对动态应变时效(DSA)预处理后微观组织的观察,研究了DSA对H68黄铜组织和性能的影响。结果表明,H68黄铜在250K^600K的温度范围内会出现DSA现象;在DSA温区内,出现屈服应力平台及加工硬化速率峰值。在动态应变时效过程中发生的运动位错与溶质原子之间的交互作用使材料的位错组态发生变化,在相同的预应变量下,随着DSA预处理的温度升高,材料的位错密度提高,形成更复杂、更稳定的位错组态。

细长多台阶底火体的精密冷挤压成形技术研究

采用多道次冷挤压成形工艺完成了H6 8黄铜制细长多台阶底火体的精密成形。冷挤压成形的底火体 ,除上、下两端面留有适量的机械加工余量外 ,其余部分不再后续切削加工就能达到底火体的尺寸精度和表面粗糙度要求 ,而且由于形变强化作用使冷挤压成形的底火体有较高的强度和足够的韧性 。

黄铜H68轧制后在不同温度退火样品的晶界特征分布

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了轧制和退火对黄铜H68样品晶界特征分布(GBCD)的影响。结果表明:再结晶处理后经小变形冷轧(6%)的黄铜H68样品,在650℃×10 min退火比在270℃×10 min退火和270℃×10 min-650℃×10 min退火生成更高比例的特殊晶界。进一步分析指出:在应力大小和分布相近的条件下,650℃退火时,晶界迁移的的驱动力大,相比270℃退火更能促使样品中原有及新形成的非共格∑3晶界广泛迁移,在迁移中彼此相遇并发生交互反应,派生出Σ9和Σ27晶界,使Σ3n(n=1,2,3)特殊晶界的比例增大,当退火10 min时,特殊晶界的比例达到峰值;随后如继续保温,在界面能作用下,晶粒合并、长大使特殊晶界比例下降。

黄铜样品冷轧后在650℃退火不同时间的晶界特征分布

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H68初始样品经6%轧制后在650℃退火不同时间的晶界特征分布(GBCD)。结果表明:特殊晶界比例随退火时间增加而增大,退火10 min时达到峰值76%;同时互成Σ3n(n=1,2,3)界面关系的特殊晶粒团平均尺寸超过300μm,使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了GBCD的优化。分析指出:退火中非共格∑3晶界优先在三叉晶界(triple junctions)处形核并在界面应力(SIBM)作用下迁移,迁移中发生∑3n(n=1,2,3)晶界的交互反应,这可能是样品晶界特征分布随退火时间演化的主要机制。

稀土元素对H68黄铜机械性能影响的细观分析

在H68黄铜合金材料中，加人稀土元素La、Ce．稀土元素具有细化晶粒、减小二次技晶间距的作用，并微量团溶于晶体内。同时，稀土与材料中的诸多元素形成大量的第二相．这些作用的综合效果使材料的屈服强度在一定的稀土加入量范围内上升，而延伸率明显下降．

旋转速度对机械设备用铜合金FSW接头组织与性能的影响

采用不同的旋转速度对机械设备用H68铜合金进行了搅拌摩擦焊(FSW)对接试验,并进行了显微组织、拉伸性能和耐腐蚀性能的测试与分析。结果表明,随着旋转速度从300 r/min增加至1 200 r/min,接头的力学性能和耐腐蚀性能先提高后下降;接头的焊核区平均晶粒尺寸、抗拉强度和接头系数均先减小后增大,腐蚀电位先正移后负移;当旋转速度为900 r/min时,接头的拉伸性能和耐腐蚀性能均最佳,接头系数达86%。

循环水微碱化的换热器腐蚀控制

为实现循环冷却水微碱化调质的平稳控制，抑制换热器金属件表面的腐蚀，考察了H68黄铜在以H2O2为钝化剂的Na2CO3-NaHCO3缓冲溶液中的腐蚀行为。通过正交试验优选了H2O2浓度、温度及碱度等成膜条件；通过电化学试验研究了循环冷却水微碱化阶段换热器钝化膜形成及发展过程。结果表明：H2O2浓度为0．6％，溶液碱度为18mmol／L，温度20—30℃条件下钝化后，H68黄铜表面产生了薄而致密的Cu2O膜，在碱度为3．0mmol／L的碳酸盐溶液中挂片12d后，其腐蚀速率仅为0．0006mm／a；在碱度为2．0-3．0mmol／L的微碱化循环冷却水中，氧化膜的阻抗和厚度先逐渐降低，48h之后最低，之后上升，至144h后达到稳定，并恢复至初始水平，氧化膜转化为颗粒较粗CuO膜；本工艺实现了循环冷却水微碱化过程中钝化膜形成与发展的平稳过渡，换热器H68黄铜件表面形成了致密的氧化膜，既防止了局部腐蚀又抑制了均匀腐蚀。

细小深盲孔黄铜壳体冷挤压工艺

选择合适的软化退火工艺规范,制订合理的工艺方案,正确选用模具材料和特殊的模具结构,可用冷挤压成形工艺完成H68黄铜壳体的精密成形。用此工艺成形的零件除上下两端面留有适量的机械加工余量外,其余部分不再后续切削加工就能达到壳体零件的设计要求,同时,由于形变强化,使冷挤压成形的壳体具有较高的强度和足够的韧性,克服了切削加工壳体在使用过程中存在的鼓胀问题。

工业黄铜H68的晶界工程处理及晶界特征分布

采用电子背散射衍射等技术研究了工业黄铜H68的晶界工程(GBE)处理及晶界特征分布(GBCD)。结果表明:工业黄铜H68经固溶和预处理,再进行6%冷轧并在923 K退火10 min后,其特殊晶界比例达到76%,一般大角晶界包围的∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团尺寸大于300μm,较好地阻断了一般大角晶界网络的连通性,实现了GBCD优化;预处理中非共格∑3晶界的形成及再结晶引起的晶粒细化,为后续冷轧退火中诱发∑3n(n=1,2,3)晶界迁移反应提供了条件,这是H68黄铜发生GBCD优化的主要机制。

H68黄铜水平连铸工艺参数的优化

带坯的表面裂纹和内部缩松是冷加工报废的主要原因。对影响带坯质量的几个主要工艺参数进行了正交试验,以正交试验数据为基础,建立起成材率与主要工艺条件之间的神经网络描述,网络模型与遗传算法相结合对工艺条件的组合进行了优化。经实际生产运行,该工艺条件下的成材率接近90%。

利用晶界工程技术优化H68黄铜中的晶界网络

利用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像(OIM)技术研究了形变量及退火时间对H68黄铜晶界网络的影响。结果显示,形变量对处理后样品的晶界特征分布及晶粒尺寸和晶粒团簇尺寸都有显著影响,而退火时间(10 min^3 h)所产生的影响不明显;其中经5%冷轧及在550℃下退火不同时间都能够显著提高H68黄铜的低∑CSL晶界比例到80%以上,晶界网络中形成了大尺寸的互有∑3~n(n=1,2,3……)取向关系晶粒的团簇。

动态应变时效对H68黄铜低周疲劳行为的影响

本文研究了动态应变时效(DSA)对H68黄铜的对称拉压低周疲劳行为的影响规律。结果表明:无论是固溶态、冷变形态还是DSA预处理态,循环软化是控制疲劳寿命的一个主要因素;动态应变时效能提高材料的疲劳强度,并使材料的寿命延长。TEM分析结果表明:材料经DSA预处理后形成均匀、高密度的位错,使形变阻力增加,循环应变量减小,强度提高;疲劳过程中的循环软化是由于形成低能态的三维伸长的位错胞状结构的结果。

基于C编译的MC68HC908GP32 MCU IDE的设计

给出了以MC68HC908GP32 MCU为应用目标的在线编程开发系统,包括硬件评估系统、支持C编译的集成开发环境(IDE)等。系统集硬件评估、编辑、编译、程序下载、调试等功能于一体,是一种新型的MCU实验开发工具。着重阐述了该系统的功能特点、硬件体系结构及软件(包括监控程序和IDE)设计思想,对一些技术难点进行了深入的分析说明。