H80黄铜轧制退火晶界特征分布与不连续脱溶

采用电子背散射衍射(EBSD)和扫描电镜(SEM)等技术研究了再结晶态黄铜H80轧制退火过程中的晶界特征分布(GBCD)与脱溶分解。结果表明:小变形后的H80在低温退火中,随退火时间增加∑3n(n=1,2,3)特殊晶界比例(fSBs)先增后减,当退火时间达到48h时,fSBs达到峰值76%,互成∑3n(n=1,2,3)界面关系的特殊晶粒团平均尺寸超过100μm,并且特殊晶界较好地阻断了一般大角晶界网络的连通性。继续延长退火时间到72h,则发生不连续脱溶转变。脱溶相与基体之间呈一般大角度界面关系,导致特殊晶界比例降低至50%以下,并且特殊晶粒团平均尺寸减小至约20μm。

不同形变量轧制黄铜H80低温退火后的晶界特征分布

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H80经6%～50%冷轧变形后在633 K下进行长时间(24～72 h)退火后的晶界特征分布(GBCD)。结果表明:小变形(6%～10%)冷轧后较比中等变形(25%～50%)冷轧后的H80样品在随后的退火中更容易诱发高比例的∑3、∑9和∑27等特殊晶界,其总值最高达76%;而且∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团的尺寸较大(100μm),一般大角晶界网络连通性的阻断效果明显优于后者。通过对特殊晶界的分布、形态和数量的对比分析,指出小变形低温退火可诱发某些晶界优先迁移,在迁移中生成非共格的∑3晶界并发生这些晶界的交互反应,这可能是黄铜H80实现GBCD优化的主要微观机制。

黄铜H80大变形后热处理状态对后续轧制退火晶界特征分布的影响

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H80大变形后热处理状态对后续轧制退火晶界特征分布的影响。结果表明:90%冷轧后在450℃退火4min能促进后续冷轧退火中特殊晶界的形成,特殊晶界比例达到69.7%。进一步通过织构(ODF)图和取向成像显微(OIM)图分析显示,大变形退火形成的RC织构有利于非共格∑3晶界的形成,依靠非共格∑3晶界反应形成∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团,使一般大角晶界网络的连通性被打断,实现GBCD优化。