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一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型
1
作者
辛艳辉
段美霞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第11期2432-2437,共6页
提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条...
提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,分别求解了前背栅表面势、前背栅表面电场及前背栅阈值电压,建立了双栅器件的表面势、表面电场和阈值电压解析模型.详细讨论了物理参数对解析模型的影响.研究结果表明,该器件能够很好的抑制短沟道效应、热载流子效应和漏致势垒降低效应.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好,证明了该模型的正确性.
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关键词
应变硅
halo掺杂沟道
非对称双栅
短
沟
道
效应
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职称材料
题名
一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型
1
作者
辛艳辉
段美霞
机构
华北水利水电大学物理与电子学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第11期2432-2437,共6页
基金
河南省科技公关项目(No.172102210367,No.192102210241)
华北水利水电大学高层次人才科研启动项目
文摘
提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,分别求解了前背栅表面势、前背栅表面电场及前背栅阈值电压,建立了双栅器件的表面势、表面电场和阈值电压解析模型.详细讨论了物理参数对解析模型的影响.研究结果表明,该器件能够很好的抑制短沟道效应、热载流子效应和漏致势垒降低效应.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好,证明了该模型的正确性.
关键词
应变硅
halo掺杂沟道
非对称双栅
短
沟
道
效应
Keywords
strained Si
halo
doping channel
asymmetrical double-material-gate
short channel effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型
辛艳辉
段美霞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
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