化合物器件高加速温湿度应力(HAST)能力现状研究

文章基于GaAs pHEMT晶圆工艺现状,根据不同材料特性,从芯片设计、晶圆制程控制、封装材料选择三个维度进行了研究,报告了针对类似材料组合相对复杂的化合物半导体工艺器件在高加速温湿度应力(HAST)能力方面所面临的现状。同时,通过典型案例分析,说明了此类化合物器件在耐湿热能力设计及制程控制上需要注意的关键点,用于类似芯片设计或工艺开发工作进行参考。

加速可靠性试验综述

加速可靠性试验是可靠性试验领域的重要研究方向。阐述了可靠性强化试验、加速寿命试验和高加速应力试验等3类加速可靠性试验的基本概念,归纳总结了3类加速可靠性试验在国内外的研究现状,并对我国开展加速可靠性试验的研究给出了几点建议。

左卡尼汀治疗慢性心力衰竭疗效分析与评价

目的观察左卡尼汀治疗慢性心力衰竭的临床疗效。方法入选我科62例慢性心力衰竭住院患者,随机分为治疗组和对照组。治疗前、治疗2周后分别评价临床疗效及测定6min步行试验,及超声心动图测定左心室射血分数(LVEF)值。结果治疗组6min步行距离增加78m,对照组增加45m,两组比较差异有统计学意义(P<0.05);两组LVEF值比较差异有统计学意义(P<0.05)。治疗组临床疗效总有效率87.5%,对照组80.0%,两组比较差异无统计学意义(P>0.05)。结论常规治疗基础上联合左卡尼汀可明显改善心力衰竭患者的运动耐量,虽临床疗效未显示差异有统计学意义,可能与样本量偏小有关。

高加速应力试验及极限应力试验综述

介绍了高加速应力试验(HAST)及极限应力试验(limit test)的基本概念和相关背景,列举了当前国内外一些常用的技术方法、工程应用状况、试验模型及分析方法、试验剖面的建立及失效机理的确定等。指出了高加速应力试验及极限应力试验要注意的问题,并对它们的发展动向作了简单的预测。

陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估

陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估。以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(HAST)、高温存储等考核试验,并通过超声扫描(C-SAM)、电子扫描显微镜(SEM)检测等手段对器件底部填充胶以及焊点界面生长情况进行分析。结果表明:未经底部填充的器件在经历200次温度循环后发生失效;底部填充器件在经历3 000次温度循环、792 h HAST以及1 000 h高温存储后,电通断测试以及超声扫描合格。实验结果对于促进国产陶瓷封装倒装焊器件的实际应用具有重要意义。

关于热敏电阻器几个常见可靠性实验的加速寿命实验实施办法

通过阿伦尼乌斯(Arrhe nius)模型、HAST实验标准、Coffin Manson模型确定高温类实验、湿热类实验、温度变化类实验的加速寿命实验原则,大幅缩短实验周期、提升产品可靠性评估效率、降低实验成本。

基于广义极值分布和Metropolis-Hastings抽样算法的贝叶斯MCMC洪水频率分析方法

广义极值(GEV)分布是国内外洪水频率分析建模中广泛应用的一种概率分布。本文将水文频率分布线型的未知参数看作随机变量,通过基于Metropolis-Hastings抽样算法的贝叶斯MCMC方法估计GEV分布参数和设计洪水的后验分布,并据此进行极值洪水的频率分析。汉江流域丹江口水库年最大1日(3日、5日、7日)洪量和年最大洪峰流量频率分析结果表明,基于Metropolis-Hastings抽样的MCMC模拟在GEV分布参数的贝叶斯估计计算中行之有效;由于利用了与似然函数渐近性质无关的先验信息,贝叶斯估计方法得到的高分位数设计洪量的后验分布比经典统计方法得到的设计洪量能包含更多的信息,从而能表达由于参数不确定性而引起的预测不确定性。该方法能显著地通过分位数图、PPCC法、均方根误差法、K-S法等多种拟合优度检验方法,拟合效果不亚于矩法、极大似然估计法等常用的经典统计方法。

TGV通孔双面电镀铜填充模式调控及工艺可靠性试验研究

通过双面电镀铜实现TGV(Through Glass Via)通孔部分实心填充,兼具TGV通孔密度高、TGV厚度尺寸范围大、热力学可靠性高、圆片级/板级工艺流程简单等优点,是“芯粒”2.5D/3D集成、光电共封装(Co-Packaged-Optics,CPO)等先进封装用TGV转接板潜在优选金属化路线.本文将介绍基于国产电镀药水体系和课题组设计电镀槽体通过电镀参数设计实现TGV通孔双面电镀铜填充模式的调控,实现了X型以及“桥型”直通型TGV孔金属化;据JEDEC标准试验研究了TGV通孔glass–Ti–Cu金属化体系在高温加速老化测试(Highly Accelerated Stress Test,HAST)、温度循环测试(Temperature Cycle Test,TCT)、高温存储(High Temperature Storage,HTS)等可靠性表现,验证了TGV部分实心填充金属化工艺优点,试验发现了TGV铜互连氦气漏率、直流电阻对HAST试验最为敏感,Ti–Cu界面微缺陷、贯穿性裂纹产生是HAST试验中TGV铜互连主要失效模式,揭示了TGV铜互连Cu–Ti–glass材料体系中Ti趋于向glass衬底扩散、Cu趋于向Ti层扩散,由此在Ti–Cu界面产生缺陷、形成微裂纹,为金属化材料体系选择与阻挡层厚度设计提供指导;展示了用于体硅RF MEMS器件圆片级封装TGV盖帽圆片、2.5D射频集成大面积TGV转接板样品、TGV转接板堆叠集成毫米波天线等,演示其圆片级工艺应用可行性,为后续集成应用做技术储备.