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渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术
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作者 刘鲁 范广涵 廖常俊 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期689-698,共10页
本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能。讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.
关键词 渐变异质结 hb-led器件 高亮度发光二极管 双层突变拟合 镓铝铟磷
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