IBC太阳电池技术的研究进展

对叉指背接触(IBC)太阳电池在光伏领域的结构优势和发展进程进行了简单的阐述。重点介绍了IBC太阳电池前表面场、背面p+和n+区结构、金属化电极的制备方法,并从工业化角度评述了各制备方法的优缺点与发展。总结了IBC电池产业化进程中的几种工艺优化方向,包括p+和n+区结构设计、正面陷光技术及表面钝化等。除此之外,从IBC太阳电池技术与效率提升方面详细介绍了三种基于IBC太阳电池技术的新型太阳电池技术,包括叉指背接触异质结(HBC)太阳电池、多晶硅氧化物叉指背接触(POLO-IBC)太阳电池以及钙钛矿IBC叠层太阳电池(PSC IBC),并总结了近年来上述三种新型太阳电池技术的研究进展。最后,对IBC电池未来面临的挑战与技术提升进行了展望。

低温条件下沉积的氮化硅薄膜对非晶硅薄膜钝化性能的影响分析

采用微波远程等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展低温条件下(≤200℃)氮化硅(SiNx)薄膜沉积工艺的研究。在n型单晶硅片双面沉积i型非晶硅(a-Si:H)和n型微晶硅(μc-Si:H)薄膜后,再双面沉积SiNx薄膜。研究了SiNx薄膜沉积工艺中加热温度、硅烷(SiH4)与氨气(NH3)比例、微波功率等工艺参数对硅片少子寿命和一个标准太阳强度下潜在的开路电压(one sun implied open circuit voltage,iVoc)的影响,得到了最佳工艺参数:加热温度160℃、SiH4与NH3比例0.33、微波功率3600W。在该工艺条件下,沉积SiNx薄膜后,硅片平均少子寿命从4261μs上升至6570μs,提升幅度54.2%; iVoc从0.7513V上升至0.7603V,提升了0.009V;将沉积了SiNx薄膜的硅片浸入质量分数10%的氢氟酸(HF)溶液中进行耐腐蚀性测试,腐蚀速率约为1.25nm/s。