HBr改性飞灰对Hg^(0)的动态吸附及动力学模型

为清晰描述HBr改性飞灰(HBr-FA)对Hg^(0)吸附的全过程,基于固定床动态吸附实验,在同时考虑扩散和表面吸附氧化的条件下,建立了固定床中HBr-FA对Hg^(0)的吸附动力学模型,讨论了Hg^(0)吸附氧化过程的关键影响因素,探究了Hg^(0)在扩散区域和表面活性位上的动力学行为。结果表明:该模型综合考虑了轴向返混、内外扩散和本征动力学过程,能够较好地拟合实验穿透曲线,并可求得相应的动力学参数,对气膜扩散系数更加敏感;初始Hg^(0)浓度的提高可提供更高的能量克服扩散阻力,适当提高流量和床层厚度可减小外扩散阻力,进而表现出更优越的表观吸附氧化效果;该模型还可得到床层内和颗粒内(扩散和动力学区域)的Hg^(0)浓度分布,发现在吸附初期,外扩散阻力对改性飞灰吸附氧化Hg^(0)的过程影响更大。

基于TDLAS测量HBr化学激光器气体温度

利用可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS),基于吸收光谱的多普勒展宽原理,对D2/NF3燃烧驱动的HBr化学激光器,进行了光腔和扩压段的气体温度测量实验研究。为了有效地测量TDLAS吸收光谱,选用了主气流中吸收系数较大的HF分子(2-0)振动谱带的R2谱线作为研究对象。实验中利用一台中心波长1 273 nm的分布反馈式(DFB)二极管激光器,搭建了一套基于直接吸收法TDLAS的HBr化学激光器气体温度测量系统。通过对HF分子的吸收谱线进行Voigt线型拟合,获得了多普勒展宽宽度,从而给出了光腔和扩压段气体温度。在进行时域频域变换时,使用了一台自由光谱范围(FSR)为1.5 GHz的F-P标准具用于频率校准。实验测量结果表明,光腔温度约为280 K,扩压段温度约为400 K。实验过程中的碰撞展宽和多普勒展宽的比值小于0.1,表明多普勒展宽为主,能够方便地用HF吸收光谱的展宽来监测光腔和扩压段的气体温度。

HBR反应器处理畜禽养殖废水实验研究

文章将好氧工艺应用到厌氧折流板反应器中形成新型的复合折流板反应器(HBR),研究了HBR反应器对畜禽养殖废水COD和NH4+-N的去除效果,考察了反应器的挂膜性能、水力停留时间的影响和各个格室的去除效果。实验结果表明,HBR反应器对畜禽养殖废水具有较好的处理效果,在进水COD浓度、NH4+-N浓度和水力停留时间分别为900 mg/L、200 mg/L和24 h时,出水COD、NH4+-N浓度分别小于100 mg/L、60 mg/L,COD去除率和硝化率分别达到90%和70%。

变分过渡态理论对Cl+HBr,Cl+DBr,Br+HI及Br+DI反应的研究

本文在几个由Persky等人最近得到的扩展-LEPS势上,用变分过渡态理论研究了Cl+H(D)Br、Br+H(D)I的动力学,计算了这些反应的速度常数、势能面瓶颈区性质和动力学同位素效应。我们对Cl+HBr和Cl+DBr反应的计算结果与Persky等在同样势能面上的QCT计算结果及现有的实验结果非常一致;因此,我们认为有关Cl+H(D)Br体系的这个新势能面可用于进一步的动力学计算。但本文对Br+H(D)I的VTST计算与实验和QCT计算差别较大,我们认为歧异的原因是有关Br+H(D)I体系的这个势能面不很理想,有可能它在鞍点附近未能重现真实势能面的性质,因此还需对其进一步鉴定和改进。

SBR和HBR两种反应器中N2O产生量的研究

为考察不同反应器类型对N_2O产生量的影响.试验采用好氧-缺氧SBR生物反应器和间歇式复合生物反应器HBR(填料填充率:30%,运行方式:瞬间进水—曝气360 min—沉淀40 min—排水20 min),研究实际生活污水脱氮过程中N_2O的产生与释放情况,重点考察不同生物反应器类型对脱氮过程中N_2O产生量的影响.结果表明,SBR系统处理实际生活污水脱氮过程中N_2O主要产生于硝化阶段,不同生物反应器类型对脱氮过程中N_2O产生量有显著影响.SBR生物反应器和HBR生物反应器硝化过程N_2O产生量分别为0.76和1.48 mg/L,SBR生物反应器硝化过程中N_2O产生量远低于HBR生物反应器N_2O产生量.

用V-N合金代替V-Fe生产HBR400的工艺实践与探讨

介绍用用V -N合金代替V -Fe生产HBR4 0 0的工艺实践。研究表明 ,采用用V -N合金进行微合金化 ,在保证相同的力学性能条件下可降低 [V]含量 ,从而降低成本。此外还得出了HBR4 0

MIBK-HBr体系萃取分光光度法测定镓铟铊

萃取分离测定同一样品中镓、铟和铊的工作,国内外近年来都有研究。本文在A.E.HuberT等工作的基础上提出,在氢溴酸介质中,以甲基异丁基甲酮(MIBK)为萃取剂,甲苯为稀释剂,调节水相酸度,分步萃取,有机相直接显色分光光度法测定同一样品浸提液中镓、铟和铊。该方法的特点是分步萃取后,有机相既不经反萃取也不经蒸干,直接用分光光度法进行测定,具有简便,准确的优点并成功地应用于矿样分析。

He同位素与HBr碰撞对分波截面的影响

基于构造的各向异性势,用密耦方法求解散射方程,计算了E=40 meV时3He,4He,5He,6He和7He分别与HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,详细讨论了氦同位素原子对分波截面的影响.结果表明:对给定的碰撞能量和确定的碰撞体系,激发分波截面比弹性分波截面收敛快;激发态越高,截面收敛越快;尾部效应仅在弹性散射和低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应.随着氦同位素原子质量的增大,弹性分波截面和态-态激发分波截面收敛速度变慢,收敛需要的分波数增多.

HBr分子的爱因斯坦自发辐射系数的计算

本文从第一性原理出发， 计算了ＨＢｒ分子ｖ ≤７，Ｊ≤１４，Δｖ ＝ １的Ｒ， Ｐ支谱线的爱因斯坦自发辐射系数Ａｖ′Ｊ′ｖ″Ｊ″。测量了ＨＢｒ红外发射的振转谱线强度， 证实由理论计算获得的Ａｖ′Ｊ′ｖ″Ｊ″系数是可靠的。

HBr分子基态(X^1∑^＋)的分子结构与势能函数

用量子化学计算方法CCSD和QCISD,分别在基组6-311++G**和TZV下,优化计算了HBr分子基态的平衡结构和离解能,计算结果与实验数据吻合.采用标准Murrell-Sorbie函数进行非线性最小二乘法拟合,得到了HBr分子势能函数的解析表达式,并进一步计算出HBr分子的力常数及光谱常数.

HBr(X^1Σ^+ν~″=5)分子与H_2,N_2,CO_2和HBr间的近共振振动-振动能量转移

利用简并受激超拉曼泵浦激发HBr(Χ~1Σ^+ν~″=5)振动态,由高分辨瞬时激光感应荧光(LIF)探测碰撞弛豫后HBr(ν~″≤5)各振动态时间分辨布居数的演化过程,得到了HBr(ν~″=5)分别与分子M(H_2,N_2,CO_2和HBr)的碰撞弛豫速率系数。对于M=CO_2,近共振的1-1振动-振动(V-V)能量转移是有效的,这一结果表明CO_2强的红外振动模对近共振V-V能量转移是有利的。而红外禁戒跃迁的N_2(0-1)的近共振V-V转移虽然也能观察到,但相应速率系数比CO_2小2个量级。碰撞分子的振动跃迁红外活性越强,能量转移速率系数越大。在HBr(ν~″=5)+HBr的自弛豫过程中,单量子弛豫率占总弛豫率的70%,而双量子弛豫约占25%。在HBr(ν~″=5)+H_2中,只有2-1的V-V近共振过程是重要的。同时还研究了V-V近共振能量转移速率系数与温度变化的关系,对于CO_2的1-1近共振,V-V能量转移速率系数随温度的增加而减小;对于H_2和HBr,其弛豫速率系数随温度的增加而增加;对于N_2,其弛豫速率系数随温度的增加而缓慢增加。

HBr_2^+离子的结构及其解析势能函数

采用密度泛函(B3LYP)方法,以及6-311++G(2df,2pd)基组优化出了单态HBr2+离子的结构参数、离解能和力常数。在此基础上,利用多体项展式方法导出了HBr2+(Cs,X1A′)离子的分析势能函数,并获得其势能面,正确的再现了HBr2+离子的平衡结构特征及其离解能,并可由势能图观察到Br(2Pu)+HBr+(X2Πi)→HBr2+(X1A′)反应通道上出现一个鞍点,其位置在RBrBr=0.42 nm,RHBr=0.16 nm,∠HBrBr=97.5°,V=-5.5 eV,垒高约0.53 eV。为进一步探讨HBr2+离子的反应动力学过程打下了基础。

HX_2^+(X=Cl,Br)离子的结构与HBr_2^+离子的势能函数

选取密度泛函(B3LYP)方法,采取6-311++G(2df,2pd)基组对单态HCl2+与HBr2+离子可能的几何构型进行了优化计算,并求得了Cl2与Br2的质子亲和能及Cl—CIH+与Br—BrH+的键分离能.得到HCl2+离子最稳态为Cs构型,电子态为1A′,平衡核间距为RCIH=0.1315nm,RClCl=0.2022nm,键角∠HClCl=99.4°.HBr2+离子最稳态为Cs构型,电子态为1A,平衡核间距为RBrH=0.1452nm,RBrBr=0.2328nm,键角∠H-BrBr=97.5°,离解能为De=8.208eV,Br—H键伸缩振动频率为2399cm-1,H—Br—Br键弯曲振动频率为706cm-1,Br-Br键伸缩振动频率294cm-1.并首次采用多体项展式理论推导出了基态HBr2+离子的解析势能函数.对应的等值势能图准确再现了HBr2+离子的平衡结构及其离解能;并可由势能图观察到Br(2Pu)+HBr+(X2Πi)→HBr2+(X1A′)反应通道上出现一个鞍点,其位置在RBrBr=0.42nm,RHBr=0.16nm,∠HBrBr=97.5°,V=-5.5eV,垒高约0.53eV.

HBr反应离子刻蚀微米硅深槽

采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．

介绍固相合成多肽中的HBr气流装置

介绍 HBr气流发生装置的原理和操作 .

He-HBr碰撞分波截面的量子力学计算

用BFW势模型和密耦近似方法,计算了入射He原子能量分别为75,100和200meV时与基态HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,得到了态-态分波截面随量子数增加的变化规律.

KBrO_3-HBr-甲醇体系中苯乙酮类化合物的单溴代反应

在KBrO3-HBr-甲醇体系中,对苯乙酮类化合物的羰基α位单溴代反应进行探讨,分别考察了苯乙酮与溴酸钾及氢溴酸的配比、反应溶剂、反应温度及时间等因素对反应的影响。较优反应条件为：苯乙酮6.0mmol,溴酸钾2.4mmol,氢溴酸7.2mmol,溶剂甲醇15mL,回流条件下反应2h。在此条件下,α-溴代苯乙酮类化合物的收率可达到57.0%-95.1%。

基于Ne-HBr从头算CCSD(T)势的散射截面

利用非线性最小二乘法拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的相互作用能,得到了基态Ne-HBr复合物相互作用势的解析表达式.基于拟合的从头算CCSD(T)势,通过收敛的密耦计算得到了入射能量分别为40,60,80和100 meV时,Ne-HBr散射的微分截面和分波截面,详细讨论了态-态转动激发截面对总非弹性散射截面的影响和散射截面随能量的变化趋势.希望研究结果对该体系的散射实验和进一步的理论研究能提供参考信息.

4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀

传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。

HBr添加剂获得高质量钙钛矿薄膜

以HBr作为添加剂,通过传统一步法能够获得均匀致密的钙钛矿薄膜。HBr的加入既可提高无机部分Pb I2分子在N,N-二甲基甲酰胺（DMF）中的溶解度,又能与前驱体分子和溶剂分子络合而形成中间相避免前驱体分子快速反应生成钙钛矿,所以能获得高质量的均匀致密的薄膜。以瞬态吸收测试研究钙钛矿薄膜内部的电荷转移的动力学过程,并对此给出理论解释。使用HBr作为添加剂制作的钙钛矿太阳电池的短路电流（Isc）、开路电压（Voc）和填充因子（FF）均有提高,光电转换效率（PCE）从13.05%提高到15.88%。