He原子非相对论基态能量的变分计算(英文)

本文指出了一种现象:当忽略原子核的运动时,He原子非相对论基态变分能量的计算值将会低于实验值。考虑对原子核运动的修正后,通过使用一个带松弛坐标参数k的变分波函数对He原子的非相对论基态能量进行了变分计算,得到比较满意的结果。此计算与变分原理一致。

有效介质理论计算He原子在金属钒中的扩散行为

采用有效介质理论,并考虑晶格驰豫的影响计算He原子在金属钒中的嵌入能,通过能量分析推测He原子在金属钒中可能的扩散路径和扩散势垒,计算结果表明,He原子在金属钒bcc结构的四面体间隙位置有能量的最低点,为4.37eV,在八面体间隙位置嵌入能比四面体间隙位置的稍大,He原子在金属钒的bcc结构中最有可能在(100)面内沿着由位置(1,1/4,1/2),(1,1/2,1/2),(1,3/4,1/2)联成的直线(或其等价晶面相应联线)向外扩散。

近阈值下He原子的双电离实验反冲离子动量分析

利用最新发展起来的适用于低能电子入射的反应显微成像谱仪,对电子轰击He原子近阈值的双电离过程进行了研究,实验测量了反应后4个粒子的全部动量,获得了五重微分截面及出射粒子间的关联信息。着重分析了在入射电子束与出射电子构成的平面内,3个均分系统剩余能量的电子出射角关联关系,并与理论计算进行了比较。研究表明,当两个电子反向出射时,第3个电子垂直于这两个电子动量方向出射的几率最大。在1个电子垂直于平面出射时,通过理论计算结果与平面内出射角分布的比较,发现DS6C理论能够较好地描述实验结果。

He原子基态能量与波函数的变分计算

在He原子模型研究的基础上,采用了一种包含坐标张弛系数的试探波函数,对He原子的基态能量和解析波函数进行了变分计算,得到了比较理想的结果,其中在波函数取N=11时,氦原子基态能量与实验值相比,误差仅为0.014‰.

He原子(e,3e)反应中末态波函数的动量相关

在前期工作的基础上 ,进一步考虑了He原子 (e ,3e)反应中末态四体的动量相关。用改进后的理论计算了高能电子入射双电离He原子的五重微分截面 (FDCS)。与前期理论相比 。

Ag^-与He原子碰撞的单电子脱附截面的实验研究

对 Ag-与 He原子碰撞的单电子脱附过程进行了实验研究 ,使用增长率方法在 5～1 0 ke V能量范围内对脱附截面进行了测量 ,得到在 2 0 ke V时的典型值为 6.6× 1 0 -16cm2 。实验结果的不确定度约为 8%

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用 2～ 8MeV的Naq+、Clq+( q =2 ,3,4 ,5 )轰击氦原子 ,对碰撞的直接多重电离过程进行研究。实验采用反冲离子 -散射离子飞行时间符合技术 ,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子 ;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子 ;结合CAMAC -PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱 ;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R2 1。讨论了R2

He原子价壳层跃迁的电子碰撞研究

在入射电子能量 2 5 0 0eV下测量了He的 11S→ 2 1S ,2 1P ,31S和 31P的微分散射截面和广义振子强度 ,并与前人的实验和理论结果进行了比较 ,认为在此入射电子能量下一阶Born近似对此 4个跃迁成立 .

He原子在金属Ti中的第一性原理计算

本文用基于量子化学基本原理的密度泛函理论,研究He原子在金属Ti中的几何结构和能量变化。计算得到单个He原子在完美Ti晶体中最可几占位为八面体间隙,两个He原子互相靠近时会形成稳定的原子对。进一步分析了体系优化后的能带结构和电子态密度分布。分析得出在没有缺陷存在的完美晶体中,He原子会聚集形成团簇。

He原子在金属Ti中行为的第一性原理计算

采用基于量子化学基本原理的密度泛函理论，研究He原子在金属T冲的占位、能量及结构优化后材料各性质参数的变化情况，以及He原子聚集成泡的微观原因。

高电荷态Xe离子与He原子碰撞中的电子转移过程研究

采用位置灵敏探测和飞行时间技术研究了高电荷态Xe离子 (q =1 5 ,1 7,1 9,2 1 ,2 3)与He原子碰撞中双电子转移截面与单电子转移截面比随入射离子电荷态的变化规律 .提出一步过程假定 ,对扩展的经典过垒 (ECB)模型进行了修正 ,利用修正模型计算得到的单、双电子转移绝对截面与Andersson等人和Selberg等人的实验结果很好符合 。

近阈值下He原子的双电子电离实验中出射电子研究

利用适用于低能电子入射的反应显微成像谱仪,对电子入射He原子近阈值下的双电离过程进行了研究,实验测量了反应后3个粒子的全部动量,获得了出射电子间的关联信息.主要介绍近阈值下的双电离实验装置及实验技术,集中分析反应后出射电子的动量能量关系,对描述近阈值双电离的Wannier理论进行了检验,发现在入射电子能量为106eV时,实验结果具有Wannier理论预言的性质.

低能电子散射中的定域交换势(I)电子被He,Ne和Ar原子的散射

文中利用自由电子气体近似(HFEGE)定域交换势和修正的半经典近似(MSCE)定域交换势,加上正交化方法(Orthogonalization technique),对能量在0.1～20eV的低能电子被He,Ne和Ar原子的弹性散射过程进行了计算。其中靶原子的电荷分布以及入射电子和靶原子的静电作用利用原子的Roothaan-Hartree Fock渡函数求出;相关和极化作用则用一个无参数的相关极化势近似表示。通过本文计算结果和严格计及交换作用的结果及实验数据相比较,对HFEGEE和MSCE交换势的准确性以及正交化过程对计算结果的影响进行了分析。

氦原子(e,2e)反应中末通道屏蔽效应的理论研究

在Chen等人工作 ( 2 0 0 1,Chin .Phys .10 2 90 )的基础上 ,进一步对 (e ,2e)反应的末态He+中核外电子的有效屏蔽给出修正。并用修正后的索末菲参量计算了入射能为 4 0eV时 ,共面不对称几何条件下电子离化He原子的三重微分截面。所得结果与其它理论结果及最新绝对测量的实验数据进行比较发现

强激光场作用下He原子低激发态的制备和控制

基于精确的角动量依赖的模型势,提出了利用激光脉冲驱动He原子产生布居数可控的基态与较低激发态的制备方案。通过数值求解三维含时薛定谔方程得到了相应的波长、峰值强度和脉宽激光参数。数值模拟结果表明,对于2s、2p、3p激发态,激光脉冲结束时的布居数均可达到100%。而对于3s和3d态,由于它们之间的能级差较小,且存在一定的电离几率,布居数最高仅到80%和86%。

氦原子双激发态~1P^e(N=2,3)系列能谱计算

本文利用类氢波函数计算了氦原子双激发态~1P^e中的N=2,3系列能谱,利用维里定理对计算结果给出了评估,并与Lipsky等人的结果进行了比较,结果令人满意、

He和类He离子基态能量与波函数的变分计算

在研究Pekeris模型的基础上 ,提出了一种包含坐标张弛系数的试探波函数 ,同时利用Matlab(或者Mathematica)语言 ,开发了一个运用变分法对三体问题进行计算的软件程序。在此基础上对He原子和类He离子的基态能量和解析波函数进行了变分计算 ,得到了比较理想的结果。这表明 ,采用Matlab或Mathematica设计的软件 ,在处理变分法问题时 ,在运算功能、数据的可靠性和准确度方面都是很具潜力的。

40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性。结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来。He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放。此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680nm和930nm的两个光致发光带。该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关。

Si^(5+)+He相互作用时双活跃电子势能的计算(英文)

利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在比较了基通道电子转移势能和实验值之后,研究了主通道的电子转移势能。其结果说明了这一动力学过程中的避交叉(avoidedcrossings)性质,给出了双电子容易被捕获的不同核间距离点。

金属Ti中He扩散的分子动力学模拟

研究材料中He原子的行为对提高贮氚材料的固氦性能十分必要，相对He行为的实验研究，理论模拟方面对其行为机理的研究相对薄弱。本文应用分子动力学（Molecular Dynamics）研究He原子在hcp结构金属Ti中的行为规律。