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平面掺杂的HEMT结构
1
作者 林绪伦 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第10期1-4,共4页
近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱结构;(2)调制掺杂采用了平面掺杂结构;(3)制作了0.1～0.25μm的短栅。本文将对平面掺杂的结构、优点及... 近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱结构;(2)调制掺杂采用了平面掺杂结构;(3)制作了0.1～0.25μm的短栅。本文将对平面掺杂的结构、优点及其进展给以评介。 展开更多
关键词 平面掺杂 hemt结构 晶体管
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氮化镓HEMT结构肖特基二极管机理及E/D模集成电路研究
2
作者 卢风领 《区域治理》 2017年第13期107-107,共1页
本文对氮化镓半导体和该材料应用于E/D模集成电路的相关内容进行了重点研究,使得技术人员对于半导体元器件的肖特基二极管应用特点有着充足的了解,以便可以根据集成电路实际情况优化半导体HEMT结构,提高氮化镓半导体应用价值.
关键词 氮化镓 hemt结构 肖特基 集成电路
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