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GaN HFET研究中的钝化、场板和异质结构设计
被引量:
1
1
作者
薛舫时
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第4期193-200,253,共9页
从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用...
从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用。依据内沟道、外沟道和欧姆接触对势垒的不同要求设计出二维异质结构。通过特殊的异质结构设计和后工艺剪裁制成了满足肖特基势垒和欧姆接触的两种不同的异质结构。把优质Si3N4钝化膜同复合势垒结合起来塑造出满足外沟道要求的异质结构,从而实现了HFET二维异质结构的优化设计。证实了这种新沟道阱中的电子在三种不同栅压下的强二维特性,强调了背场板和背势垒在器件研究中的重要作用。
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关键词
GAN
hfet的钝化
场板效应
极
化
工程
二维异质结构
背场板
背势垒
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职称材料
题名
GaN HFET研究中的钝化、场板和异质结构设计
被引量:
1
1
作者
薛舫时
机构
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第4期193-200,253,共9页
基金
科研预研基金资助项目(51327010202)
文摘
从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用。依据内沟道、外沟道和欧姆接触对势垒的不同要求设计出二维异质结构。通过特殊的异质结构设计和后工艺剪裁制成了满足肖特基势垒和欧姆接触的两种不同的异质结构。把优质Si3N4钝化膜同复合势垒结合起来塑造出满足外沟道要求的异质结构,从而实现了HFET二维异质结构的优化设计。证实了这种新沟道阱中的电子在三种不同栅压下的强二维特性,强调了背场板和背势垒在器件研究中的重要作用。
关键词
GAN
hfet的钝化
场板效应
极
化
工程
二维异质结构
背场板
背势垒
Keywords
passivation in GaN
hfet
field plating effect
polarization engineering
two-dimensional heterostructure
back-side field plating
back barrier
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN HFET研究中的钝化、场板和异质结构设计
薛舫时
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
1
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职称材料
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