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GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
被引量:
2
1
作者
薛舫时
孔月婵
+1 位作者
李忠辉
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期409-419,共11页
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流...
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了通过能带剪裁来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。
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关键词
GAN
hfet的陷阱
瞬态电流谱
外沟道中的能带畸变
局域电子气
陷阱
与局域电子气的相互作用
电流
下载PDF
职称材料
题名
GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
被引量:
2
1
作者
薛舫时
孔月婵
李忠辉
陈堂胜
机构
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期409-419,共11页
基金
国家自然科学基金资助项目(61474101
61504125)
江苏省自然科学基金资助项目(BK20131072)
文摘
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了通过能带剪裁来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。
关键词
GAN
hfet的陷阱
瞬态电流谱
外沟道中的能带畸变
局域电子气
陷阱
与局域电子气的相互作用
电流
Keywords
traps in GaN
hfet
transient current spectrum
energy band deformation in outer channel
localized electron gases
interaction between traps and localized gases
current collapse
re-liability
band tailoring
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
薛舫时
孔月婵
李忠辉
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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职称材料
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