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HMDSO和TFM混合气体等离子体聚合膜的结构与性能
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作者 林晓 陈捷 徐纪平 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期231-234,共4页
在钟罩式内极反应器中进行了六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四氟化碳(TFM)混合气体等离子体聚合。用IR、XPS、X射线对聚合膜结构进行了表征。等离子体共聚合膜中含有Si和F,聚合膜中元素组成依赖于起始混合气体单体的比,Si/C元素比随着混合气体... 在钟罩式内极反应器中进行了六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四氟化碳(TFM)混合气体等离子体聚合。用IR、XPS、X射线对聚合膜结构进行了表征。等离子体共聚合膜中含有Si和F,聚合膜中元素组成依赖于起始混合气体单体的比,Si/C元素比随着混合气体中TFM浓度增加而减小,而F/C比增大。测定了复合膜的气体透过性,等离子体共聚合方法是制备气体分离膜的可行方法。同时,还测定了等离子体聚合膜的接触角,并计算了表面能。 展开更多
关键词 hmdso TFM 等离子体 聚合膜 XPS
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HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究 被引量:1
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作者 颜官超 丁斯晔 +3 位作者 朱晓东 周海洋 温晓辉 丁芳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期326-329,共4页
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃... 本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。 展开更多
关键词 α-SiC 纳米 hmdso
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HMDSO含量对纳秒脉冲激励Ar/HMDSO射流放电特性的影响 被引量:4
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作者 李劲卓 刘峰 方志 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第13期2675-2683,2696,共10页
通过在放电气体中添加含Si媒质可在材料表面引入含Si基团,能有效提高等离子体憎水改性效果,增强材料沿面耐压能力。该文选取六甲基二硅醚(HMDSO)为含Si媒质,采用纳秒脉冲激励在Ar/HMDSO中产生射流放电,通过电压电流波形测量等电气特性,... 通过在放电气体中添加含Si媒质可在材料表面引入含Si基团,能有效提高等离子体憎水改性效果,增强材料沿面耐压能力。该文选取六甲基二硅醚(HMDSO)为含Si媒质,采用纳秒脉冲激励在Ar/HMDSO中产生射流放电,通过电压电流波形测量等电气特性,发光图像、发射光谱及ICCD等光学特性诊断,研究了HMDSO含量对放电特性的影响,得到等离子体羽长度、放电功率、传输电荷、主要粒子谱线强度及电离波传播等参量随HMDSO含量的变化趋势,并结合放电电离反应及动态发展过程进行分析。结果表明,少量HMDSO的引入对放电有促进作用,体现在随添加含量的增加,射流体羽长度变长,注入功率和传输电荷量提高、主要粒子谱线强度增强,电离波传播速度和距离提升。这些参量在HMDSO体积分数为0.04%时达到最大值,当HMDSO体积分数大于0.04%时,放电强度开始减弱,表现在相关参量随HMDSO含量的增加而降低。HMDSO参与放电中直接电离反应及与Ar激励态反应,这两种反应的竞争是导致其对放电特性影响存在极值的原因。 展开更多
关键词 等离子体射流 Ar/hmdso 纳秒脉冲 憎水性 放电特性 表面改性
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电极间距对防原子氧聚硅氧烷薄膜性能的影响
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作者 李毅 何延春 +5 位作者 王虎 王兰喜 曹生珠 袁璐 王江伟 李中华 《真空与低温》 2024年第1期71-77,共7页
与传统制备防护薄膜的方法相比,等离子体聚合法是一种更高效、干燥和简易的制备方法,可以在各种基底上制备数百纳米厚的致密薄膜涂层。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在大面积柔性聚酰亚胺Kapton基底上制备了聚硅氧烷防原子氧薄... 与传统制备防护薄膜的方法相比,等离子体聚合法是一种更高效、干燥和简易的制备方法,可以在各种基底上制备数百纳米厚的致密薄膜涂层。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在大面积柔性聚酰亚胺Kapton基底上制备了聚硅氧烷防原子氧薄膜。用SEM、AFM、FTIR和XPS等表征分析了电极间距对聚硅氧烷薄膜性能的影响。结果表明,减小电极间距加速了单体的解离和碳基成分的氧化。随着电极距离的减小,薄膜的沉积速度增大,薄膜从有机无机聚硅氧烷薄膜(SiO_(x)C_(y)H_(z))向无机薄膜(SiO_(2))转化。薄膜中高解离能Si-O键的增多,降低了原子氧的侵蚀率。研究结果为用PECVD方法制备其他有机硅功能薄膜奠定了技术基础。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相沉积 六甲基二硅氧烷 电极间距 薄膜 原子氧
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硅氧烷原子氧防护膜工艺及防护性能研究 被引量:5
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作者 郑阔海 杨生胜 +2 位作者 李中华 王敬宜 赵琳 《航天器环境工程》 2010年第6期751-755,674,共5页
原子氧是对低地球轨道航天器构成重要影响的空间环境因素之一,严重影响着航天器在轨的安全运行。文章重点介绍了制备工艺对六甲基二硅氧烷原子氧防护膜结构及性能的影响,分析了防护膜的聚合原理,并对其结构、成分进行了测试分析,从而获... 原子氧是对低地球轨道航天器构成重要影响的空间环境因素之一,严重影响着航天器在轨的安全运行。文章重点介绍了制备工艺对六甲基二硅氧烷原子氧防护膜结构及性能的影响,分析了防护膜的聚合原理,并对其结构、成分进行了测试分析,从而获得了防护膜的工艺参数。最后对防护膜进行了原子氧辐照实验与测试,结果表明采用等离子体聚合方法制备的原子氧防护膜具有很好的耐原子氧性能。 展开更多
关键词 原子氧 六甲基二硅氧烷(hmdso) 防护膜 等离子体 聚合膜
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聚合单体对制备SiO_x高阻隔性薄膜性能的影响 被引量:4
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作者 周美丽 陈强 +1 位作者 岳蕾 葛袁静 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期37-39,共3页
论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一层纳米级透明的SiOx层高阻隔层。实验采用13.56MHz的射频等离子体装置,分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气... 论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一层纳米级透明的SiOx层高阻隔层。实验采用13.56MHz的射频等离子体装置,分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等包装基材上沉积硅氧阻隔膜。比较了不同单体在制备氧化硅阻隔膜时各种工艺参数影响。通过傅立叶红外谱仪(FTIR)分析,扫描电子显微镜(SEM)表征,研究沉积膜的化学组成和结合状态;采用透湿测试仪测试薄膜的透湿性能,研究工艺参数的变化、表面的结构变化、形貌改变等对薄膜的阻隔性能影响原因。 展开更多
关键词 PECVD 四甲基二硅氧烷(TMDSO) 六甲基二硅氧烷(hmdso) 高阻隔性薄膜
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空气等离子体处理棉织物的抗紫外线性能探讨 被引量:1
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作者 董媛媛 李淳 +1 位作者 王迎 周涛 《纺织科技进展》 CAS 2007年第6期20-22,共3页
为了提高棉织物的抗紫外线性能,对其进行空气低温等离子体处理。选用亲水型有机硅抗辐射整理剂CGKF和HMDSO(六甲基二硅氧烷)两种整理剂,并比较这两种不同整理剂对棉织物抗紫外线的整理效果。结果表明,整理剂CGKF在改善棉织物抗紫外线性... 为了提高棉织物的抗紫外线性能,对其进行空气低温等离子体处理。选用亲水型有机硅抗辐射整理剂CGKF和HMDSO(六甲基二硅氧烷)两种整理剂,并比较这两种不同整理剂对棉织物抗紫外线的整理效果。结果表明,整理剂CGKF在改善棉织物抗紫外线性能方面效果更好。 展开更多
关键词 棉织物 抗紫外线 低温等离子体 CGKF整理剂 hmdso整理剂
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单体对制备SiOx高阻隔包装薄膜的影响 被引量:1
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作者 周美丽 《包装世界》 2009年第3期14-15,共2页
本文论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一层纳米级透明的SiOx层高阻隔层。实验分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片... 本文论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一层纳米级透明的SiOx层高阻隔层。实验分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等包装基材上沉积硅氧阻隔膜。比较了不同单体在制备氧化硅阻隔膜时各种工艺参数对薄膜的阻隔性能影响。 展开更多
关键词 四甲基二硅氧烷(TMDSO) 六甲基二硅氧烷(hmdso) 高阻隔性薄膜 低温等离子体
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大气压弥散放电辅助Cu表面类SiO_2薄膜沉积 被引量:9
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作者 李文耀 王瑞雪 +3 位作者 章程 任成燕 李杰 邵涛 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第24期6736-6742,共7页
大气条件下弥散放电能够产生大面积、高能量密度的低温等离子体,在导体表面薄膜沉积领域具有广阔的应用前景。该文研究了大气压下Cu片表面类SiO_2薄膜的沉积方法,以六甲基二硅氧烷为反应前驱物,使用正极性微秒脉冲电源激发针–板电极结... 大气条件下弥散放电能够产生大面积、高能量密度的低温等离子体,在导体表面薄膜沉积领域具有广阔的应用前景。该文研究了大气压下Cu片表面类SiO_2薄膜的沉积方法,以六甲基二硅氧烷为反应前驱物,使用正极性微秒脉冲电源激发针–板电极结构弥散放电,探讨了沉积过程中不同的放电气体对放电过程以及沉积薄膜化学成分的影响。实验结果表明,分别采用氩气和空气作为放电气体时,在相同电压下前者具有更大的放电功率、更强的发射光谱强度以及更高的沉积薄膜效率。傅里叶变换红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)分析以及水接触角测量结果表明,空气放电沉积薄膜氧化程度较高,属于类SiO_2薄膜,其水接触角为85°;而氩气放电沉积薄膜是有机硅薄膜,其水接触角为100°。此外,通过优化空气/氩气混合气体的比例,在700sccm空气/500 sccm氩气条件下得到了氧化程度更高的薄膜,其水接触角也进一步降低到76°。以上实验结果表明,使用大气压弥散放电能够在Cu片表面有效沉积类SiO_2薄膜。 展开更多
关键词 针–板电极 正极性微秒脉冲 大气压弥散放电 六甲基二硅氧烷 类SiO2薄膜
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射频等离子体聚合沉积六甲基二硅氧烷 被引量:7
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作者 王迎 李淳 《大连工业大学学报》 CAS 2008年第1期76-79,共4页
为研究新颖环保的材料表面改性技术,通过射频等离子体聚合方法聚合沉积六甲基二硅氧烷(HMDSO)薄膜,并使用发射光谱、红外光谱、扫描电镜、原子力显微镜等测试方法,研究了HMDSO聚合膜的化学结构和物理形貌。实验结果表明,等离子体放电空... 为研究新颖环保的材料表面改性技术,通过射频等离子体聚合方法聚合沉积六甲基二硅氧烷(HMDSO)薄膜,并使用发射光谱、红外光谱、扫描电镜、原子力显微镜等测试方法,研究了HMDSO聚合膜的化学结构和物理形貌。实验结果表明,等离子体放电空间内的活性粒子对聚合膜的组成有直接影响。HMDSO等离子体聚合膜中含有Si—O、—CH3、—OH、C O、C—O等官能团,其表面形貌为微米颗粒堆积膜,是一种新颖的聚合物膜。 展开更多
关键词 等离子体聚合 射频放电 六甲基二硅氧烷
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具有低摩擦因数的a-C:H薄膜研究
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作者 尹萍妹 刘政宇 +3 位作者 尚伦霖 曹学乾 鲁志斌 张广安 《真空与低温》 2022年第5期542-548,共7页
a-C:H薄膜有内应力大、热稳定性差、大气环境下摩擦因数高(0.1~0.4)等一些固有缺陷。采用等离子体辅助化学气相沉积技术,以乙炔和六甲基二硅氧烷为反应前驱体制备了具有低摩擦因数的硅氧共掺a-C:H薄膜。利用扫描电镜、拉曼光谱、纳米压... a-C:H薄膜有内应力大、热稳定性差、大气环境下摩擦因数高(0.1~0.4)等一些固有缺陷。采用等离子体辅助化学气相沉积技术,以乙炔和六甲基二硅氧烷为反应前驱体制备了具有低摩擦因数的硅氧共掺a-C:H薄膜。利用扫描电镜、拉曼光谱、纳米压痕及划痕分别研究了薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,硅氧共掺a-C:H薄膜具有典型的非晶碳结构,并且展现出较高的硬度和弹性模量以及良好的膜基结合力,大气下的摩擦因数介于0.04~0.08之间,气压为10 kPa和5 kPa时摩擦因数可低至0.02。薄膜的低摩擦性能主要来源于薄膜本身的特性(硅氧的掺杂)和服役环境中大气压力的共同作用。 展开更多
关键词 硅氧共掺a-C:H薄膜 等离子体辅助化学气相沉积 六甲基二硅氧烷 低摩擦因数
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Combustion Synthesis of SiO_2 on the Aluminum Plate
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作者 C.L.Yeh E.Zhao 《Journal of Thermal Science》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第1期92-96,78,共6页
The approach of utilizing combustion synthesis to make fine particles of SiO2, A12O3 and TiO2 is a quite modern technology. Through the chemical reaction in post-flame region, fine SiO2 particles can be formed with hi... The approach of utilizing combustion synthesis to make fine particles of SiO2, A12O3 and TiO2 is a quite modern technology. Through the chemical reaction in post-flame region, fine SiO2 particles can be formed with high purity on plate surface. Therefore, the combustion synthesis of SiO2 powders is an important area for further research and development especially for the application of SiO2 in the semiconductor industry. This investigation proposes an experimental approach (i.e., a gas-phase combustion synthesis) using two different kinds of organic compounds, Hexamethyldisilazane (HMDSA) and Hexamethyldisioxane (HMDSO), as the silicon precursors. A premixed gas burner is chosen with C3H8 as fuel air as oxidant and part of the air was used as the carrying gas to entrain HMDSA/HMDSO vapor into the combustible mixture. Observations show that the C3H8/air flame changed color from a pale-blue flame to light yellow and then orange when different amounts of precursors were introduced. Through the chemical reaction in the post-flame region, fine SiO2 particles were formed in the gas phase and then quenched and collectal on an aluminum flat plate. The objective of this paper is to study the effects of HMDSO and HMDSA concentrations and flame temperatures on the synthesis of SiO2 particles. 展开更多
关键词 combustion synthesis HEXAMETHYLDISILAZANE Hexamethyldisioxane.
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