高分辨率高纯锗(HPGe)γ谱仪

本文介绍新研制成功的高分辨率7谱仪系统.系统由高纯锗(HPGe)同轴探测器装置(带电荷灵敏前置放大器)、门控积分型谱仪放大器、8192道双向滑尺逐次逼近法谱仪 ADC、8192道多道缓存(MCB)等新部件组成。其中定型了两种型号: 通用 HPGeγ谱仪 GPY-1型和高分辨 HPGeγ谱仪 GPY-2型.两种系统都具有优异的能量分辨率和长时间工作稳定性。

高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制及其应用

本文报道了高分辨率N型HPGe同轴探测器的研究结果。探索了探测器外侧大面积P+N结的离子注入条件与其反向V—I_L特性的关系。实验证明:在一定的离子能量和束流条件下,较高注入剂量的探测器具有较理想的V—I_L特性——高反偏压和低漏电流。探测器已被用于煤田中子俘获γ能谱测井和油田放射性刻度井测试仪。

高分辨高纯锗P型同轴探测器研制

深入地研究了P型同轴探测器的工艺方法和技术. 探测器工作偏压大大地超过全耗尽电压。通常可达4000V以上。在此偏压条件下有极低的漏电流,进而有很低的噪音。 最近,共研制出13个探测器,探测效率为15％～35％;其能量分辨率为FWIIM=1.72～1.9keV。这些探测器性能都达到了国际先进水平。证明其工艺方法和技术是很成功的。

高纯锗N型同轴探测器研制

本文介绍高分辨率Ｎ型同轴高纯锗探测器研制的工艺方法和技术。典型的探测器能量分辨率为ＦＷＨＭ＝１．８０ｋｅＶ；探测效率为２０％；工作偏压为４０００Ｖ．此探测器性能及技术指示达到了国际同类产品先进水平。我们的工艺方法和技术是很成功的。

n型同轴高纯锗探测器

本文介绍了研制n型同轴高纯锗探测器的方法及技术。探测器具有薄的(约0.3μm)离子注入p^+外接触,可探测0.005—10MeV的X和γ射线,并具有较高的耐辐射损伤性能,所研制成的探测器灵敏体积约120cm^3,对1.33MeVγ射线:相对效率为24.5％,能量分辨率为2.13keV,峰康比为48.3:1,电子学噪声为1.28keV。