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一种纳米硅薄膜的传导机制
被引量:
20
1
作者
何宇亮
余明斌
+1 位作者
胡根友
张蔷
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期1636-1644,共9页
基于对实验和理论的分析,提出一种异质结量子点隧穿(HQD)模型,并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式.其主要思想是,纳米硅薄膜中的微晶粒(几个纳米大小)具有量子点特征,在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒...
基于对实验和理论的分析,提出一种异质结量子点隧穿(HQD)模型,并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式.其主要思想是,纳米硅薄膜中的微晶粒(几个纳米大小)具有量子点特征,在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒,这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型(GBT).考虑到量子点中的单电子隧穿特征,认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的.这就是HQD模型的主要内容。
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关键词
hqd模型
纳米硅
薄膜
传导机制
原文传递
题名
一种纳米硅薄膜的传导机制
被引量:
20
1
作者
何宇亮
余明斌
胡根友
张蔷
机构
南京大学固体微结构物理国家重点实验室
西安理工大学物理系
北京联合大学电子自动化工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期1636-1644,共9页
基金
国家自然科学基金
文摘
基于对实验和理论的分析,提出一种异质结量子点隧穿(HQD)模型,并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式.其主要思想是,纳米硅薄膜中的微晶粒(几个纳米大小)具有量子点特征,在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒,这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型(GBT).考虑到量子点中的单电子隧穿特征,认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的.这就是HQD模型的主要内容。
关键词
hqd模型
纳米硅
薄膜
传导机制
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种纳米硅薄膜的传导机制
何宇亮
余明斌
胡根友
张蔷
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
20
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