相位子缺陷准晶体的HREM像模拟计算

准晶体可看作高维(n维)晶体中的一个无理投影区间向三维子空间(物理空间)的投影。与物理空间互补的另一个子空间为(n—3)维。称赝空间。当高维空间中引入一个应变场时,n维应变位移矢在物理空间和赝空间的分量分别称为声子应变和相位子应变。在准晶体形成过程中,相位子应变往往被冻结在体内,形成相位子缺陷准晶体。当相位子应变为线性时,相位子缺陷准晶体实际上是介乎理想准晶体与某一定相应晶体之间的中间状态。理想准晶体与相应晶体二者是同一个高维晶体的投影,只不过前者来自无理投影区间,而后者来自有理投影区间。可以通过旋转操作把无理投影区间旋转到有理区间的位置。所以,引入线性相位子应变相当于投影区间的旋转。曾经报导,当相应晶体的结构为已知时,可以从晶体结构导出高维晶体结构模型,再从而求得准晶体结构。

弥散La_2O_3质点的NiAl型复合涂层氧化行为的HREM研究

首次用高分辨电子显微镜(HREM)对Ni-La_2O_3复合镀——扩散渗铝涂层氧化前后的精细结构进行了研究。发现NiAl相中含有纳米级的La_2O_3质点,Al_2O_3层中“嵌”入La_2O_3微粒(直径<50nm);氧化物层涂层界面存在过渡相。由此认为La_2O_3质点通过影响Al_2O_3层的生长机制而改善涂层的抗氧化性能。

热压NiAl纳米晶块体材料的HREM观察及EDS分析

利用高分辨电镜（ＨＲＥＭ）及场发射电镜纳米尺度成分分析技术（ＥＤＳ分析）研究了机械合金化和真空热压技术制备 的纳米 ＮＩＡＩ块体材料的微观结构． ＨＲＥＭ及 ＥＤＳ分析结果表明在球磨过程中形成第二相粒子 Ａｌ２Ｏ３分布于 ＮｉＡｌ晶粒内 部或边界上，分布于晶粒边界上的 Ａｌ２Ｏ３对晶界起钉扎作用，有效地抑制晶粒长大；此外，观察到纳米晶粒间存在无序区，这些

红外探测器微结构的HREM观察

采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）观察了Ｐ＋ －Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构．该器件光敏区是由３ 层Ｐ＋ －Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和２ 层ＵＤ－Ｓｉ（未掺杂硅）组成，Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ层间界面不明锐，有一个由于Ｇｅ 原子不均匀扩散造成的过渡带．这个过渡带缓和了界面的失配应力，因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变．在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区，缺陷的主要类型为层错和微孪晶．层错在（１ １１）面上，而微孪晶的厚度约为２～４晶面间距，其孪晶面为（１ １１）．非晶ＳｉＯ２ 台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层由随机形核生长的多晶组成。

Fe－Cu－Nb－Si－B纳米软磁合金的HREM观察

用ＨＲＥＭ（高分辨率电子显微镜）观察了Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ纳米软磁合金的显微组织结构。发现在合金中确有长程无序的非晶相存在，且非晶相是基体相；在纳米晶粒中没有发现位错等晶体缺陷；非晶相与纳米晶间具有类似于液固界面中的粗糙界面；在合金中没有发现ＨＲＥＭ下可观察到的空隙。

超细粒子铜基甲醇触媒的HREM研究

超细粒子铜基甲醇触媒的ＨＲＥＭ研究顾永达，吕剑，戴丽珍（中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室太原０３０００１）于瀛大，关若男（中国科学院金属研究所固体原子象开放实验室沈阳１１００１５）关键词超细粒子，铜基触媒，高分辨电镜近十余年来，超细粒...

硅基GaN外延层微结构的HREM研究

由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将...

半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究

Oppolpzer曾用TEM这观察到BaTiO_3半导体陶瓷的孪晶,认为它会伴生异常晶粒长大。但是有关孪晶和孪晶界的结构细节以及形成机制尚不清楚。本文用高分辩电镜(HREM)和透射电镜(TEM)进一步研究了它们的孪晶,得到如下四点结果。1.BaTiO_3的大部分孪晶均为{111)孪晶,其晶界为共格倾斜(70°)孪晶界。图1是[110]方向孪晶的晶格像,图中用粗黑线示意镜面对称的(001)晶格(3.9A),与之垂直的为(110)晶格(2.8A),它相应于左右(指标化示意)

四川霓石碱性花岗岩中B_3S_2混层结构的HREM研究

钙－铈氟碳酸盐系列矿物各成员之间的体衍交生现象非常发育，极易形成有序－无序混层结构及多型体等。Ｂ３Ｓ２＝ＢＢＳＢＳ即为该矿物系列中的两个端员矿物氟碳铈矿（Ｂ）与直氟碳钙铈矿（Ｓ）结构单元层以３∶２沿ｃ轴方向的有序堆垛而成。Ｊ．Ｖ．Ｌａｎｄｕｙｔ［１９...

球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察

ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...

用HREM研究MBE生长GaAs/Si异质结的微孪晶

由于可以把Si集成电路和GaAs光电子器件集成在一块电路上的广阔应用前景,而使人们对si上异质外延GaAs产生了浓厚的兴趣,但si和GaAs的晶格常数和热膨胀系数失配,GaAs/Si产生高的位错密度和微孪晶,由于这个原因,很难获得高质量的外延层及用这种材料生产优质的光电子器件,为了减少缺陷,研究缺陷的性质及其成因是很有意义的。已有很多人对GaAs/Si的微孪晶进行了研究,如吴小京等做出了微孪晶的结构模型,谢强华等观察到微孪晶的不对称分布。

NiTi形状记忆合金的HREM观察

本工作观察了NiTi形状记忆合金相变温度上下的结构变化。实验用400KV电镜、单倾样品加热台,用TV录相并拍摄了电镜照片。图1中的左图是室温M(001)面的投影。从图中可以看出平行的重复孪晶带,其孪晶面为(100),在每个孪晶带内都能看到平行于(110)面的周期性黑白衬度(B-W)。中图是区域放大像,在B-W带能看到非常小的晶格条纹位移。相似的B-W带在接近(100)面的投影上也能观察到(右图)。由此可知,堆垛层错或孪晶薄层是沿[001]和[100]两个方向上形成的。

用HREM直接观察吸附于铜表面上的Cu－O链

用ＨＲＥＭ直接观察吸附于铜表面上的Ｃｕ－Ｏ链关若男，李日升，徐淑华，李树有，桥本初次郎（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳 １１００１５）（日本冈山理科大学）作者曾用ＨＲＥＭ研究铜的初期氧化，发现了一些初期氧化产物如：Ｃｕ＿４Ｏ，Ｃｕ＿８Ｏ，...

钙─铈氟碳酸盐矿物中B＿5S＿4－3R和6R新多型的HREM研究

钙─铈氟碳酸盐矿物中Ｂ＿５Ｓ＿４－３Ｒ和６Ｒ新多型的ＨＲＥＭ研究孟大维，吴秀玲，杨光明，潘兆橹（中国地质大学测试中心，武汉４３００７４）（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳）迄今为止，在钙─铈氟碳酸盐矿物系列中，除已知的四个独立矿物种：氟碳铈...

超细粒子铜基甲醇触媒的HREM研究

超细粒子（纳米级）无论在材料科学或催化剂新材料等方面近十余年来有很大进展。本文用JEOL-2000EX高分辨电镜研究铜基甲醇触媒的微观结构,并与它们的催化性能相关联,取得了很有意义的结果。