HSE方法研究Cd_(1-x)Zn_xTe合金的性质

采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质,并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时,采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV,这与已报道实验结果 0.254 eV非常吻合.同时,计算得出的形成焓较高,特别是在Cd0.5Zn0.5Te合金组分时(25.60 meV/at-om).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近,但二者之间相差较大,从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫,这也是该合金具有较大形成焓的主要原因.