HSGFET型臭氧传感器室温下对纳诺量级O_3的检测

本文介绍了双敏感膜、复合悬浮栅 ( Hybrid Suspended Gate即 HSG) FET型臭氧传感器的结构与制作 .重点研究了敏感膜和结构不同的传感器对 O3敏感性的影响 。

基于In_2O_3膜HSGFET型功函数O_3传感器的研究

本文以 In2 O3 及其混合物为敏感材料 ,采用悬浮栅结构和功函数方法 ,研究出可在室温下工作的 HSGFET型功函数 O3 传感器 ,并给出传感器对 O3

室温工作HSGFET型O_3传感器的特性检测和分析

文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和 耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特性进行了对比实验,并进行了理论分析。