磁通门的数值分析与HSPICE仿真

针对电压源激励和非正弦波激励在传统分析计算中存在的难题,提出了一种基于HSPICE的磁通门计算和仿真方法。磁通门铁芯用考虑磁滞现象的JA-Brachtendorf模型描述,而传统的JA-Brachtendorf模型参数的提取方法需要很多实验数据。运用一种简单的计算方法利用较少的试验数据先得到JA模型的数据,再由JA模型数据得到JA-Brachtendorf模型的参数。最后通过实例用HSPICE仿真考察电压源激励方式下磁通门各种物理量的波形、量值,与实验结果符合得很好。

基于HSPICE温度对长条形磁通门输出的影响

温度对磁通门的输出性能起着重要的影响。扩展了Jiles-Atherton模型来描述温度对磁通门输出的非线性磁滞特性。借助于HSPICE分析软件,建立仿真模型,在理论层面阐释了温度对长条形磁通门的影响,有别于用实验进行验证的工作。仿真结果很好的反映了温度的线性变化对长条形磁通门输出的非线性变化的影响,与实验吻合得很好,对磁通门的实际应用提供了有益的理论探索。

磁通门铁芯涡流效应磁场计算与HSPICE仿真

在交变磁场下,针对铁磁材料中涡流效应对磁滞回线的影响在传统分析计算中存在的难题,提出一种基于HSPICE的磁通门铁芯涡流磁场计算和仿真方法。磁通门铁芯用考虑磁滞现象的Jiles动态模型描述,运用欧姆定律和毕奥-萨伐尔定律得到涡流产生的寄生磁场,再将寄生磁场与激励磁场叠加代入Jiles动态模型,即得到涡流对磁滞回线影响的数学模型。最后,利用HSPICE进行仿真验证,结果表明:在0.5 Hz、50 Hz、200 Hz和500 Hz 4种不同频率电压源激励下得到的铁芯磁滞回线波形,与实验结果拟合较好。

基于等效铁芯电感的磁通门HSPICE分析模型

提出了一种基于随电流变化的铁芯电感的磁通门HSPICE(High Simulation Program with IC Emphasis)模型,该磁通门模型铁芯的磁滞回线使用反正切函数来描述,其激励与测量线圈等效为一种随电流变化的电感电路模型。本文给出了全电路元件的磁通门模型的参数及提取方法,此模型可以在任意形状的电压激励波形下仿真,与已有的磁通门模型相比,具有仿真精度高、需要参数少且计算容易和可以方便进行输出信号处理的特点。实验和仿真结果对比表明,双铁芯磁通门HSPICE模型仿真的输入电流和输出电压的幅值分别为146 m A和1.03 V,与实际测试的146.6 m A和1.177 V相比,输入电流有0.6 m A的误差,输出电压有0.147 V的误差。

基于Hspice的基准电压源的分析与仿真

文章基于CMOS 0.18um工艺,在Hspice下,对四种MOS管基准电压源进行了分析和仿真,文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。

CMOS两级运算放大器设计与HSPICE仿真

本文根据运算放大器的设计要求(单位增益带宽、相位裕量、输入等效噪声、功耗等),选择电路结构,详细分析了CMOS运算放大器的所有性能参数,使用Level one模型进行手工计算,设计出器件的几何尺寸,最后通过Hspice仿真软件给出了性能指标的仿真结果。

悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。

SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.

HSPICE软件在《数字电子技术》教学中的应用

借助集成电路分析设计软件HSPICE和集成电路标准CMOS工艺模型参数,对《数字电子技术》课程中的晶体管级门电路的功能、驱动和抗干扰等特性进行了仿真。实践证明,该仿真演示能够让学生在演示现场看到在实验教学中不易看到的现象,大大加深了学生对逻辑门电路特性的理解,取得了很好的教学效果。

基于0.25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

文章对MOS管的变容特性结合现有的文献作了简要分析,以0.25μm工艺的INMOS的变容特性作了深入分析,并利用Hspice进行了仿真,对MOS管的变容特性作了深入讨论。并针对VCO电路对MOS的变容区间提出一些合理的建议。

Hspice软件在时钟产生电路设计中的应用

提出一种基于Hspice的时钟产生电路设计,仿真结果显示：电路可以产生占空比约为30%的特定时钟信号。实践表明运用Hspice软件可以有效提高电路设计质量。

HSpice在电路内部参数容差统计分析中的应用

提出一种基于HSpice的器件内部参数蒙特卡罗统计分析方法对电子电路进行仿真设计。针对PSpice软件只能采用特定库元件进行统计分析的局限性,研究HSpice蒙特卡罗分析的技巧、程序语句参数的设置、输出结果的判读等,解决基于高精度内部参数器件模型的电路性能仿真,给出应用该方法实现电路内部参数蒙特卡罗统计分析的仿真过程。可以有效地提高电路设计的准确性、可靠性和电子产品生产的合格率。实验表明这种方法可以对组成电路器件的任意参数进行蒙特卡罗统计分析,包括MOS管、运放等的模型内部参数,在优化电路设计中具有很高的实用性。

悬浮栅结构ISFET的HSPICE仿真

通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好。为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供了重要的理论参考价值。

Verilog网表转化为Hspice网表的程序设计

在数字电路设计中,采用逻辑综合工具(如)完成硬件设计流图向门级结构描述的转换。综合出来的网EDADesign compileVerilog表将作为版图综合的输入数据。在此之前,需要对门级的网表进行模拟验证。在门级电路的仿真方面,一直有着优势。该文编VerilogHspice写了一个软件,旨在将门级的网表转化为相应的网表,以便于用来验证电路是否能实现预期的功能。

HSPICE和PSPICE应用中的几个问题

本文就HSPICE和PSPICE两种软件在模拟仿真应用中的仿真精度、模型识别、网表接口和仿真预处理等问题进行探讨,对从事EDA行业的人员选择应用,具有一定的参考价值。

应变调制型多铁异质结器件的HSpice电路建模

由于具有天然的非易失性和极低的动态功耗,应变调制型多铁异质结在后摩尔时代新型电子技术中具有广阔的应用前景。通过分析反映磁致伸缩层磁化强度动态特性的Landau-LifshitzGilbert(LLG)方程,并参考电容的伏安特性,建立了该器件的一种HSpice电路仿真模型。仿真结果表明,在应力时钟的驱动下,磁化强度完成了面内180°翻转,实现了两个逻辑稳态之间的转换。随后,通过将HSpice仿真结果与物理模型的数值分析结果进行对比,验证了电路模型的有效性。研究结果为今后基于应变调制型多铁异质结器件设计大规模集成电路奠定了基础。

基于HSPICE的半导体激光器脉冲驱动电路仿真分析

利用HSPICE软件对高速脉冲驱动电路进行了仿真分析。通过仿真清晰地了解脉冲电路中的寄生参数对电路的影响,为后续制作电路板提供了参考。与近似仿真分析不同,为了准确地反映LD的特性,建立了半导体激光器的大信号SPICE模型;然后设计了高速MOSFET开关电路仿真原理图,分析确定该电路中的各种参数。仿真的最终结果和实际电路的测试结果相一致。

10Gbit/s高速串行通道的Hspice仿真研究

随着光传输技术的飞速发展,信号传输速率已经突破Gbit/s级,高速通道的仿真分析已成为系统开发成功与否的关键一环。文章简要介绍了Hspice仿真的基本原理和基本方法,并详细讨论了基于Hspice软件的高速串行通道仿真方法,通过仿真眼图的对比结果说明影响高速通道性能的几个关键环节以及改善通道特性的方法。

力科眼图医生与HSPICE仿真的对比研究

本文使用力科示波器的眼图医生软件和Synopsys公司的HSPICE仿真同·个背板系统,并把两种方法的仿真结果和实际测试波形对比,分析和验证了两种方法的精度与优缺点,对于高速背板设计提供了新的思路。

传输线瞬态响应的HSPICE仿真及其应用

文章介绍了传输线的基本理论,根据传输线模型和正弦波激励信号分别推导出半无限长传输线在低频和高频下的瞬态响应公式,说明了如何使用HSPICE软件对传输线的瞬态响应进行仿真,最后简述了传输线理论和仿真波形在电缆测试仪器频响测量中的应用。