基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术

针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。

基于HTCC的两相交错同步BUCK电路设计

为了解决旋转导向工具遇到的“卡脖子”问题,本文提出一种两相交错同步BUCK电路拓扑结构,能够产生更少的热量,在不需外加其他散热方式的情况下就能够适应200℃的工作环境;集成电路采用裸露管芯,元器件占用的体积更小,相邻元器件之间的距离更小;HTCC基板材料耐高温、易导热,互联线更细;产品的功率密度更高。电源模块封装于金属壳内,减少了人为因素的影响,可靠性提高,保证其在严酷的环境下长期稳定工作。