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应用北斗高精度位移监测技术打造在线变形监测预警平台——HTSG变形监测解决方案助力云南高原山区公路、桥梁远程无人值守实时监测与预警系统建设
被引量:
3
1
作者
张永
罗树江
吴迪
《测绘通报》
CSCD
北大核心
2015年第7期136-137,共2页
一、引言云南省公路网里程近30 000 km,其中中桥以上桥梁2000座,危险性较大路段3400余处。对这些重要路段和构造物进行监测监控是非常必要的。中海达"安全卫士"在线变形监测预警平台(HTSG)基于北斗高精度位移监测技术,可以全天候、...
一、引言云南省公路网里程近30 000 km,其中中桥以上桥梁2000座,危险性较大路段3400余处。对这些重要路段和构造物进行监测监控是非常必要的。中海达"安全卫士"在线变形监测预警平台(HTSG)基于北斗高精度位移监测技术,可以全天候、实时采集公路、桥梁、边坡及隧道的位移形变数据,并能根据预设的各等级预警值向控制中心发送预警信息。
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关键词
位移监测
htsg
北斗卫星
云南高原
监测预警
预警系统建设
无人值守
控制中心
中桥
单历元
下载PDF
职称材料
高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
被引量:
2
2
作者
王国宾
李辉
+2 位作者
盛达
王文军
陈小龙
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第1期3-20,共18页
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本...
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth,HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth,TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。
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关键词
宽禁带半导体
碳化硅
高温溶液法
顶部籽晶溶液法
助熔剂
晶体生长
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职称材料
题名
应用北斗高精度位移监测技术打造在线变形监测预警平台——HTSG变形监测解决方案助力云南高原山区公路、桥梁远程无人值守实时监测与预警系统建设
被引量:
3
1
作者
张永
罗树江
吴迪
机构
广州中海达定位技术有限公司
出处
《测绘通报》
CSCD
北大核心
2015年第7期136-137,共2页
文摘
一、引言云南省公路网里程近30 000 km,其中中桥以上桥梁2000座,危险性较大路段3400余处。对这些重要路段和构造物进行监测监控是非常必要的。中海达"安全卫士"在线变形监测预警平台(HTSG)基于北斗高精度位移监测技术,可以全天候、实时采集公路、桥梁、边坡及隧道的位移形变数据,并能根据预设的各等级预警值向控制中心发送预警信息。
关键词
位移监测
htsg
北斗卫星
云南高原
监测预警
预警系统建设
无人值守
控制中心
中桥
单历元
分类号
P694 [天文地球—地质学]
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职称材料
题名
高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
被引量:
2
2
作者
王国宾
李辉
盛达
王文军
陈小龙
机构
中国科学院物理研究所
中国科学院大学
东莞松山湖材料实验室
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第1期3-20,共18页
基金
北京市科技计划项目(Z201100004020003,Z161100002116018,Z211100004821004)。
文摘
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth,HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth,TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。
关键词
宽禁带半导体
碳化硅
高温溶液法
顶部籽晶溶液法
助熔剂
晶体生长
Keywords
wide bandgap semiconductor
SiC
high temperature solution growth(
htsg
)
top seeded solution growth(TSSG)
flux
crystal growth
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用北斗高精度位移监测技术打造在线变形监测预警平台——HTSG变形监测解决方案助力云南高原山区公路、桥梁远程无人值守实时监测与预警系统建设
张永
罗树江
吴迪
《测绘通报》
CSCD
北大核心
2015
3
下载PDF
职称材料
2
高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
王国宾
李辉
盛达
王文军
陈小龙
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
2
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职称材料
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