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基于高压SOI的功率因数校正LED驱动设计 被引量:1
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作者 罗丙寅 《集成电路应用》 2020年第7期1-3,共3页
外延技术的日趋成熟,使SOI工艺得到更广泛的应用,其介质隔离特性为UHV设计提供新的设计方法,各国对LED灯具功率因数、效率要求趋严,LED驱动设计带来新挑战。因此SOI工艺与LED驱动设计结合为解决问题提供思路。基于SOI工艺设计自带高压... 外延技术的日趋成熟,使SOI工艺得到更广泛的应用,其介质隔离特性为UHV设计提供新的设计方法,各国对LED灯具功率因数、效率要求趋严,LED驱动设计带来新挑战。因此SOI工艺与LED驱动设计结合为解决问题提供思路。基于SOI工艺设计自带高压启动的LED驱动芯片,通过在环路中引入乘法器实现了系统高功率因数。测试结果显示,在85~265VAC输入范围内,系统实现83%效率及0.9以上PF值。 展开更多
关键词 模拟乘法器 LED恒流驱动 绝缘体上的硅 LDMOS 高压启动
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高压大功率电动机无功补偿装置应用实例解析 被引量:1
2
作者 王丹 《广东化工》 CAS 2015年第2期114-115,共2页
文章对液体空分装置项目设计中,配电室内集中无功补偿装置容量及高压大功率电动机无功补偿装置容量的选择进行分析;对加装就地无功补偿装置后,大电动机启动引起的线路压降进行计算。
关键词 高压大功率电机 无功补偿装置 电机启动压降
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