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TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应
被引量:
1
1
作者
孙琦
曾诗妍
+3 位作者
付秀涛
刘巧玲
彭强祥
周益春
《湘潭大学学报(自然科学版)》
CAS
2019年第3期97-103,共7页
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm...
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6A/cm^2,在105s保持时间内剩余极化值衰减10%,经10^7次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的60Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5Mrad(Si)时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑.
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关键词
hzo铁电薄膜
MFIS
总剂量
电
离辐射
下载PDF
职称材料
题名
TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应
被引量:
1
1
作者
孙琦
曾诗妍
付秀涛
刘巧玲
彭强祥
周益春
机构
湘潭大学材料科学与工程学院
出处
《湘潭大学学报(自然科学版)》
CAS
2019年第3期97-103,共7页
文摘
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6A/cm^2,在105s保持时间内剩余极化值衰减10%,经10^7次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的60Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5Mrad(Si)时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑.
关键词
hzo铁电薄膜
MFIS
总剂量
电
离辐射
Keywords
hzo
ferroelectric thin film
MFIS
total dose ionizing radiation
分类号
O152.1 [理学—基础数学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应
孙琦
曾诗妍
付秀涛
刘巧玲
彭强祥
周益春
《湘潭大学学报(自然科学版)》
CAS
2019
1
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