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N型4H-SiC中载流子密度和霍耳迁移率的模拟及研究
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作者 全宏俊 朱勤 乔云飞 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第3期29-33,共5页
采用流体动力学平衡方程在温度为３０ Ｋ 到１０００ Ｋ 范围内计算了霍耳迁移率，并用补偿模式研究了载流子密度与温度的关系．结果表明，电离杂质散射对霍耳迁移率与温度的关系有很大的影响．霍耳迁移率的低温值主要由电离杂质散射... 采用流体动力学平衡方程在温度为３０ Ｋ 到１０００ Ｋ 范围内计算了霍耳迁移率，并用补偿模式研究了载流子密度与温度的关系．结果表明，电离杂质散射对霍耳迁移率与温度的关系有很大的影响．霍耳迁移率的低温值主要由电离杂质散射确定，而它的高温尾取决于声学声子，极化光学声子和谷间声子散射． 展开更多
关键词 霍耳迁移率 载流子密度 流体动力学 碳化硅器件
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