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He/H离子辐照损伤及其对ODS钢显微硬度的影响研究 被引量:2
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作者 韩录会 法涛 +3 位作者 赵雅文 张丽 向鑫 刘柯钊 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期567-571,共5页
为研究氧化物弥散强化铁素体钢(ODS钢)中的He/H离子协同辐照效应,本文开展了室温条件下ODS钢的He/H离子单一及复合辐照实验,并研究了辐照损伤对其显微硬度的影响。实验结果表明:He/H离子主要分布在损伤峰值附近;H离子辐照对ODS钢显微硬... 为研究氧化物弥散强化铁素体钢(ODS钢)中的He/H离子协同辐照效应,本文开展了室温条件下ODS钢的He/H离子单一及复合辐照实验,并研究了辐照损伤对其显微硬度的影响。实验结果表明:He/H离子主要分布在损伤峰值附近;H离子辐照对ODS钢显微硬度的影响大于He离子;H离子的引入导致He离子低温解吸峰消失,而He离子的注量减半则使其热解吸起始温度升高;He、H离子与材料中缺陷相互作用不同是影响显微硬度及正电子寿命结果的主要因素。 展开更多
关键词 ODS钢 he/h离子 辐照损伤 显微硬度
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H、He离子联合注入单晶Si引起的表面损伤研究进展 被引量:1
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作者 王卓 刘昌龙 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1996-2000,共5页
H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术。文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面... H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术。文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景。 展开更多
关键词 hhe离子联合注入 表面损伤 智能剥离 单晶Si
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类锂离子(Z=3-30)基态非相对论能量的递推计算
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作者 王祥信 《宿州学院学报》 2005年第1期91-92,共2页
给出一种简单的计算类锂离子(Z=3-30)基态非相对论能量的方法。首先以类氢离子的能量为零级近似能 量,用微扰法计算了类氪离子1s2s态的能量;然后以类氮离子的能量为零级近似能量,用微扰法计算了类锂离子的 基态1s22s能量。结果与其它理... 给出一种简单的计算类锂离子(Z=3-30)基态非相对论能量的方法。首先以类氢离子的能量为零级近似能 量,用微扰法计算了类氪离子1s2s态的能量;然后以类氮离子的能量为零级近似能量,用微扰法计算了类锂离子的 基态1s22s能量。结果与其它理论值符合得很好,表明该方法是可行的。 展开更多
关键词 类氢离子 类氦离子 类锂离子 递推 微扰法
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He and H sequential implantation induced surface blistering and the exfoliation of Si covered with an oxide layer
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作者 王卓 高玉杰 +3 位作者 李梦凯 朱飞 张大成 刘昌龙 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2013年第1期70-75,共6页
Si wafers with a 220 nm top oxide layer were sequentially implanted at room temperature with 40 keV He and 35 keV H ions at fluence of 5× 10^16/cm2 and 1× 10^16/cm2, respectively. Techniques of scanning elec... Si wafers with a 220 nm top oxide layer were sequentially implanted at room temperature with 40 keV He and 35 keV H ions at fluence of 5× 10^16/cm2 and 1× 10^16/cm2, respectively. Techniques of scanning electron microscopy, atomic force microscopy and cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) were used to characterize the thermal evolution of surface damage as well as defect microstructures. Surface blisters as well as the localized exfoliation (~ 0.42 μm in depth) have been observed for samples annealed at temperatures of 500 ℃ and above. XTEM observations reveal a variety of defect microstructures, including cavities, platelets, nanometer or micrometer sized cracks and dislocations. The platelets and cracks are mainly distributed at the depth of about 0.42 μm parallel to the sample surface, which are responsible for the occurrence of the observed surface features. The relations between surface damage and defect microstructures are described in detail. 展开更多
关键词 SiO2/Si wafer he and h ion implantation localized exfoliation crack
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Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究
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作者 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第9期1013-1016,共4页
室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用透射电镜观测分析了 80 0℃高温退火引起的空腔的形... 室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用透射电镜观测分析了 80 0℃高温退火引起的空腔的形成形貌 .结果表明 ,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长 .就Si离子附加辐照而言 ,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷 ,因此 ,它会抑制空腔的生长 ,而高密度H等离子体处理则有助于空腔的生长 .定性地讨论了实验结果 . 展开更多
关键词 单晶硅 硅离子注入 氢等离子体处理 空腔 透射电镜 高能物理实验
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氢氦离子辐照对4H-SiC表面形貌的影响
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作者 刘月 郑智 +3 位作者 张伟平 郑中成 沈震宇 郭立平 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期342-348,共7页
以4H-SiC为研究对象,在800℃下,用24keV的H^+和30keV的He^+分别进行H^+单束、He^+单束、先H^+后He^+双束和先He^+后H^+双束辐照,并利用原子力显微镜(AFM)研究辐照对4H-SiC表面形貌的影响.实验表明:H^+辐照的样品表面出现直径平均约为8μ... 以4H-SiC为研究对象,在800℃下,用24keV的H^+和30keV的He^+分别进行H^+单束、He^+单束、先H^+后He^+双束和先He^+后H^+双束辐照,并利用原子力显微镜(AFM)研究辐照对4H-SiC表面形貌的影响.实验表明:H^+辐照的样品表面出现直径平均约为8μm的大凸起,He^+辐照的样品表面则产生了均匀的纳米尺寸的小凸起;H^+辐照在材料表面产生的大凸起在辐照He^+后消失;而He^+预辐照之后再进行H^+辐照,材料表面不会产生大的凸起,并结合X射线衍射(XRD)数据对这种氢氦协同效应进行了解释.结论表明,He^+预辐照对凸起的形成有抑制作用,He^+后辐照则对已产生的凸起有抛光作用. 展开更多
关键词 4h-SIC 离子辐照 氢氦协同作用
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H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应
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作者 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第5期524-529,共6页
室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800℃高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子... 室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800℃高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550 keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 h等离子体处理 单晶硅 氦离子注入 透射电子显微镜 半导体工艺
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