不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究

40、160和1550keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌。结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量。结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论。