高精度光度计的研制

为尽可能地缩小仪器的体积,简化仪器的复杂度,使仪器更加轻巧、易于携带,设计了一种波长为520 nm的便携式高精度专用光度计。其采用高共模抑制比的差动放大器AD8276构成高稳定度恒流源,使用数字式光电传感器TSL2561作为光强度检测元件,选用隔离器ADu M1201与上位机隔离交互通信,将测量数据通过串口发送到上位机供用户处理。通过连续48 h的测试,数据波动程度小于0.1%,该光度计能够满足专用光度计的要求。

SINAMICS传动家族变流器电流过载能力指标剖析

全面而准确地描述变流器电流过载能力指标的四要素是过载电流I1、基本负载电流I2、过载时间t1和负载周期T,它们是缺一不可的,且四要素已足够。等效电流系数KC可作为评判各种变流器在各种不同工况下电流过载能力强弱的一个"金标准"。对SINAMICS传动家族低压交流(200V≤额定输出线电压<1 000V)变流器的各种电流过载能力指标进行了系统地分析,并将其与6SE70系列工程型变流器的电流过载能力指标进行了对比研究。

大电流弧光放电机理讨论

用电磁学理论结合能带理论讨论了弧光放电机理问题,认为在大电流的条件下,电极上能够产生大量的焦耳热使得阴极上的自由电子在晶格势场中的能态升高;由于大电流可以使得大量载流子参与定向运动,当电极断开时,大量载流子的定向运动动能转化为阴极上自由电子在晶格势场中的电势能,进一步升高阴极上自由电子在晶格势场中的能态;由于大电流使得阴极上聚集的自由电子数量巨大,从而在阳极和阴极间产生强电场,在两极间强电场的作用下,可以产生场致发射。解释了弧光放电过程中的负伏安特性;分析了弧光放电过程,比较了热电子发射和场致发射的联系与区别。

富士变频器过流跳闸及原因分析

本文主要阐述了富士变频器在生产运行中遇到的轻载过流、重载过流、加减速过流、短路故障等的原因分析与运行故障及特种案例处理。

包头电网轻重负荷区110 kV电网合环电流控制分析

包头电网实行分层分区运行后,东部轻负荷区与西部重负荷区运行的110 kV电网合环倒负荷操作时,电网中会产生较大的合环冲击电流和稳态电磁环网潮流,其中稳态电磁环网潮流会造成110 kV合环线路过载,影响电网的安全稳定运行。通过分析110 k V河西变电站合环操作后出现的合环线路过载情况,结合影响合环电流大小的因素,即合环点电压差、系统阻抗、负荷等,提出不同分区110 k V电网合环操作控制合环电流的措施。

δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。

一种电力宽带调制解调器的设计

采用支持宽带接入的调制技术与编码技术的低功耗SoC为核心芯片的解决方案,通过强电与弱电分离电路的设计、电力线调制解调器的组网和传输协议的研究以及相关软件的设计,开发一款电力载波调制解调器PT200D,实现通过电力线实现即插即用的网络传输数据,电力线传输速率达200Mbps,并实现支持128-bit AES数据加密传输技术,同时支持无线64/128/152位WEP加密及WPA-PSK/WPA2-PSK、WPA/WPA2安全机制,有效保障网络安全,为用户提供一种新的网络接入设备。

LED照明驱动技术的创新发展

LED照明驱动技术的创新发展依赖LED照明驱动电源芯片技术的创新。当前,非隔离的开关恒流驱动芯片已成主流,隔离的开关恒流驱动芯片还占市1/3,廉价开关恒流驱动芯片突然涌现,高压线性恒流芯片更趋完善。

医院洁净手术室的电气设计

以某医院手术室的的强电设计为例,对洁净手术室的供配电、电气安全、接地与照明设计进行论述。