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氦在钛靶及Al_2O_3中的行为研究
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作者 魏澎 赵国庆 +2 位作者 赖祖武 宋哲明 罗泗维 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期460-465,共6页
报道了利用质子增强背散射和扫描电镜等方法，研究不同工艺制作的钛膜靶和不同纯度的Ａｌ２Ｏ３中注入的４Ｈｅ在室温下的行为．研究结果表明，离子束增强淀积新工艺制备的钛膜与基体的结合强度优于原来热蒸发镀制的钛靶；氦在Ａｌ２Ｏ... 报道了利用质子增强背散射和扫描电镜等方法，研究不同工艺制作的钛膜靶和不同纯度的Ａｌ２Ｏ３中注入的４Ｈｅ在室温下的行为．研究结果表明，离子束增强淀积新工艺制备的钛膜与基体的结合强度优于原来热蒸发镀制的钛靶；氦在Ａｌ２Ｏ３与在钛靶中具有不同的释放机制；钛靶的起泡注入剂量在４×１０１７－７×１０１７Ｈｅ／ｃｍ２之间，而且起泡剂量与泡破裂剂量相差不大；较之新工艺制备的钛靶，氦在Ａｌ２Ｏ３中更不易形成氦泡． 展开更多
关键词 氦 深度分布 钛靶 氦泡 三氧化二铝
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