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Thermo-kinetic characteristics on stabilizing hetero-phase interface of metal matrix composites by crystal plasticity finite element method 被引量:1
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作者 Y.B.Zhang S.J.Song F.Liu 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期53-67,共15页
Using dislocation-based constitutive modeling in three-dimension crystal plasticity finite element(3D CPFE)simulations,co-deformation and instability of hetero-phase interface in different material systems were herein... Using dislocation-based constitutive modeling in three-dimension crystal plasticity finite element(3D CPFE)simulations,co-deformation and instability of hetero-phase interface in different material systems were herein studied for polycrystalline metal matrix composites(MMCs).Local stress and strain fields in two types of 3layer MMCs such as fcc/fcc Cu-Ag and fcc/bcc Cu-Nb have been predicted under simple compressive deformations.Accordingly,more severe strain-induced interface instability can be observed in the fcc/bcc systems than in the fcc/fcc systems upon refining to metallic nanolayered composites(MNCs).By detailed analysis of stress and strain localization,it has been demonstrated that the interface instability is always accompanied by high-stress concentration,i.e.,thermodynamic characteristics,or high strain prevention i.e.,kinetic characteristics,at the hetero-phase interface.It then follows that the thermodynamic driving forceG and the kinetic energy barrier Q during dislocation and shear banding can be adopted to classify the deformation modes,following the so-called thermo-kinetic correlation.Then by inserting a high density of high-energy interfaces into the Cu-Nb composites,such thermo-kinetic integration at the hetero-phase interface allows a successful establishment of MMCs with the high△G-high Q deformation mode,which ensures high hardening and uniform strain distri-bution,thus efficiently suppressing the shear band,stabilizing the hetero-phase interface,and obtaining an exceptional combination in strength and ductility.Such hetero-phase interface chosen by a couple of thermodynamics and kinetics can be defined as breaking the thermo-kinetic correlation and has been proposed for artificially designing MNCs. 展开更多
关键词 Thermodynamics and kinetics Physics-based constitutive modeling hetero-phase interface Crystal plasticity finite element
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Hetero-phase zirconia encapsulated with Au nanoparticles for boosting electrocatalytic nitrogen reduction
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作者 Xue Xin Qiming Qu +6 位作者 Islam E.Khalil Yuting Huang Mo Wei Jie Chen Weina Zhang Fengwei Huo Wenjing Liu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2024年第5期509-513,共5页
Electrocatalytic nitrogen reduction reaction(NRR)is considered as an attractive approach for ammonia synthesis under mild conditions.A bottleneck of NRR is the exploration of efficient catalysts for accelerating react... Electrocatalytic nitrogen reduction reaction(NRR)is considered as an attractive approach for ammonia synthesis under mild conditions.A bottleneck of NRR is the exploration of efficient catalysts for accelerating reaction kinetics,among which heterogeneous structures possessing distinct atomic arrangement could modify electronic structure,and therefore altering their NRR activity.Here,we report a facile strategy for fabricating hetero-phase metal oxides derived from metal organic framework that are further integrated with Au nanoparticles as NRR catalysts.The phase composition of zirconia can be easily adjusted by simply changing the reaction temperature,where the monoclinic and tetragonal phases with the roughly close proportions have a distinct interface,leading to a strong interaction between Au and ZrO_(2).The enhanced interaction renders Au to be more electropositive and facilitates stronger binding to N_(2).As a result,a remarkable ammonia yield of 22.32μg h^(-1)mg_(cat.)^(-1) and a Faradaic efficiency of 31.92%can be achieved at low overpotential.This work is expected to pave the way for the design of heterogeneous structures and the exploration of hetero-phase nanostructures in boosting the electrocatalytic NRR. 展开更多
关键词 hetero-phase Metal-organic framework derivatives ZIRCONIA Nitrogen reduction reaction ELECTROCHEMISTRY
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金属层状复合材料的力学行为及微观变形机理
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作者 姜爽 贾楠 Peng Lin Ru 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期24-34,11,共12页
金属层状复合材料作为一种典型的非均质材料,通过调控其内部的多尺度微结构特性,可以实现金属结构材料强度-韧性的协同提升,在高端先进制造领域具有潜在的应用前景。金属层状复合材料的宏观力学性能显著依赖于各组元层的性能、厚度和异... 金属层状复合材料作为一种典型的非均质材料,通过调控其内部的多尺度微结构特性,可以实现金属结构材料强度-韧性的协同提升,在高端先进制造领域具有潜在的应用前景。金属层状复合材料的宏观力学性能显著依赖于各组元层的性能、厚度和异质界面的结构特性。变形过程中材料内部的微观应力/应变在异质界面处的协调特性对组元金属的形变微观机制产生重要影响,进而影响复合材料整体的性能。因此,探索金属层状复合材料的“微观结构-力学行为-变形机制-宏观力学性能”的内在关联并揭示其对应的微观形变机理,对设计具有优异综合力学性能的金属层状复合材料有重要的理论指导意义和实际应用价值。聚焦于晶态金属层状复合材料的微观力学行为及变形机理,介绍了其力学行为的尺寸与界面效应,着重讨论了室温下材料的微观形变物理过程,阐明了非均匀金属层状复合体强韧化的机理。最后,对金属层状复合材料力学行为的研究进行了简要展望。 展开更多
关键词 金属层状复合材料 塑性变形 微观力学行为 变形机制 异质界面 强韧化机制
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变孔径分布板减小液固流化床中液相返混 被引量:8
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作者 胡新辉 朱家骅 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期241-244,共4页
The mechanism of liquid phase back-mixing in the liquid-solid fluidized bed has been studied.The radial parabolic distribution of liquid velocity is found to be the main motivation of particles’circulating movement w... The mechanism of liquid phase back-mixing in the liquid-solid fluidized bed has been studied.The radial parabolic distribution of liquid velocity is found to be the main motivation of particles’circulating movement which in trun causes the liquid back-mixing.The liquid back-mixing can be reduced by evening the radial distribution of liquid velocity.This is achieved by a hetero-pores distributor which has a resistant coefficient distribution analogous to that of liquid velocity.The experimental result shows that the hetero-pores distributor reduces the liquid back- mixing effectively. 展开更多
关键词 液固流化床 液相返混 流化床 蛋白质生产 分离
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碱度对杂原子介孔分子筛相转变的影响 被引量:3
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作者 赵志西 刘靖 +1 位作者 谭涓 倪晓磊 《石油化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期995-1000,共6页
在十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸乙酯、氢氧化钠体系中添加不同铝源、钛源制备杂原子介孔MCM-48分子筛。通过调变母液的碱度,经水热晶化在不同杂原子源合成体系中按不同次序分别得到杂原子M41S系列的六方相(MCM-41)、立方相(MCM-48)和... 在十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸乙酯、氢氧化钠体系中添加不同铝源、钛源制备杂原子介孔MCM-48分子筛。通过调变母液的碱度,经水热晶化在不同杂原子源合成体系中按不同次序分别得到杂原子M41S系列的六方相(MCM-41)、立方相(MCM-48)和层状相(MCM-50)产物,其中立方相产物出现在较窄的碱度区间。合成过程中硅源正硅酸乙酯在不同碱度下的缩聚产物硅酸根多聚体或低聚体和水解产物乙醇的含量是生成立方相产物的关键因素,而杂原子源中的异丙醇会削弱碱度对产物相态的影响。在此相变规律基础上,对于不同杂原子源采用合适的母液碱度获得高杂原子含量的n(Si)∶n(Al)=20的Al-MCM-48分子筛和n(Si)∶n(Ti)=50的Ti-MCM-48分子筛。 展开更多
关键词 杂原子介孔分子筛 MCM-48分子筛 相转变 碱度 催化剂
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含杂环残基及非经典环化RGD相关肽的合成
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作者 韩香 邱传亮 +2 位作者 龚喜 杨潇骁 王德心 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第2期257-265,共9页
以不同的非天然结构代替RGD(Arg-Gly-Asp,精氨酰甘氨酰天冬氨酸)相关肽中的Arg残基,共合成了11个改构的RGD相关肽.其中1~8为杂环残基肽,9及10为局部杂环肽,11为丰链环肽.在合成方式上,产物1~8由传统溶液法制备,9~11经固相法制备.全... 以不同的非天然结构代替RGD(Arg-Gly-Asp,精氨酰甘氨酰天冬氨酸)相关肽中的Arg残基,共合成了11个改构的RGD相关肽.其中1~8为杂环残基肽,9及10为局部杂环肽,11为丰链环肽.在合成方式上,产物1~8由传统溶液法制备,9~11经固相法制备.全部产物均由MS分析证明结构.通过本研究,为探索新型环肽合成提供了有价值的实验基础. 展开更多
关键词 杂环肽 非经典环化肽 RGD类似物 固相合成 杂环残基
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InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量:1
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作者 张翼 李晓鹏 +4 位作者 张有涛 张敏 杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页
介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速... 介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速度优势。为降低功耗,采用了简化的流水线相位累加器。在整个频率控制字范围内,测试得到的平均无杂散动态范围为24.8 dBc。该电路由2122个晶体管组成,功耗为2.4 W,其优值系数为5.83 GHz/W。 展开更多
关键词 直接数字频率合成器 InP双异质结晶体管 数模转换器 相位累加器
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硅衬底上异质外延生长硅化钴研究进展
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作者 屈新萍 李炳宗 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期449-461,共13页
综述近年国内外在CoSi2/Si异质外延生长技术领域的研究进展,在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物,从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用Co/Ti/Si多层薄膜固相反应实现CoSi2/Si异质外延,是近年取得重要... 综述近年国内外在CoSi2/Si异质外延生长技术领域的研究进展,在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物,从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用Co/Ti/Si多层薄膜固相反应实现CoSi2/Si异质外延,是近年取得重要进展的新方法。应用这种方法在(111)和(100)硅衬底上都可实现CoSi2外延生长,无需在超高真空下进行,与硅器件基本工艺相容性好,可形成自对准硅化物接触结构,对发展新器件制造技术有重要作用。在简要介绍分子束外延和离子合成CoSi2外延薄膜生长技术后,重点介绍和评述新型固相异质外延方法的工艺技术、机理和应用研究进展。 展开更多
关键词 金属硅化物 异质外延 分子束外延 硅化钴
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杂原子MCM-41分子筛对过氧化氢液相氧化环己烷的研究 被引量:4
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作者 张赞飞 柏子龙 周颖霏 《工业催化》 CAS 2007年第7期27-30,共4页
分别考察了反应温度、过氧化氢用量及加入方式等因素对Cr、Fe和Ce改性后的杂原子MCM-41分子筛催化剂液相催化氧化环己烷制取环己酮反应的影响。研究结果表明,Cr-MCM-41催化剂具有较好的催化活性。选择适当的反应温度、过氧化氢用量和加... 分别考察了反应温度、过氧化氢用量及加入方式等因素对Cr、Fe和Ce改性后的杂原子MCM-41分子筛催化剂液相催化氧化环己烷制取环己酮反应的影响。研究结果表明,Cr-MCM-41催化剂具有较好的催化活性。选择适当的反应温度、过氧化氢用量和加入方式可以有效提高环己烷转化率和过氧化氢利用率。在70℃和n(C6H12)∶n(H2O2)=1∶2条件下,采用两次加入过氧化氢的方式,环己烷转化率为33.7%,酮醇总选择性97.2%,n(环己酮)∶n(环己醇)=1.99,过氧化氢利用率37.1%。 展开更多
关键词 杂原子MCM-41分子筛 环己烷 过氧化氢 液相氧化 环己酮 环己醇
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通过热处理调控光催化剂性质的研究进展
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作者 樊启哲 廖春发 +2 位作者 陈鑫 张志文 余长林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1853-1859,共7页
热处理是纳米材料制备过程中重要且常用的调控手段。例如,碳纳米管的拉伸强度和导电性可以通过高温热处理得到增强,金属硫族化合物半导体的光吸收带边和比表面积的调控也可以通过热处理实现。光催化剂的形貌、光吸收带边、粒径大小、活... 热处理是纳米材料制备过程中重要且常用的调控手段。例如,碳纳米管的拉伸强度和导电性可以通过高温热处理得到增强,金属硫族化合物半导体的光吸收带边和比表面积的调控也可以通过热处理实现。光催化剂的形貌、光吸收带边、粒径大小、活性位点和热稳定性是影响光催化性能的重要因素,而这些因素均可通过热处理进行调控,因此热处理成为光催化剂制备过程中不可缺少的过程。然而,由于热处理过程操控简单,研究人员最初仅将其用于细化晶粒,提高光催化剂的结晶度,并未过多地关注其调控功能。但过高的热处理温度会导致光催化剂的烧结长大,而过低的温度则不能达到细化晶粒的效果。因此,寻找合适的热处理温度成为热处理调控最初的研究重点。但近年来的研究发现,对光催化剂进行热处理,除了可以使其晶粒细化、颗粒均匀分布、掺杂元素均匀扩散,还可以调控光催化剂的形貌、相变行为、氧空位和催化活性位点的数量,从而促进其光催化性能的提升。因此,研究重点逐渐向热处理气氛以及对元素掺杂的相转变抑制调控机理扩展。目前,热处理温度的调控研究主要集中在不同锻烧温度对光催化剂孔结构、膜结构、核壳结构等形貌的调控,以及对光催化剂异质结相变形成的影响;锻烧气氛的调控研究主要集中在惰性气氛和氧化还原气氛对光催化剂氧空位和活性位点的调控;掺杂元素的热处理调控研究则集中在掺杂元素对热处理过程中相变抑制以及热处理对元素掺杂扩散的调控。尽管热处理对光催化剂的调控研究已取得了丰硕的成果,但热处理在光催化剂性能调控方面的研究仍未得到充分重视。因此,本文阐述了热处理温度对催化剂形貌、相变行为的影响,分析了氧化气氛、还原气氛和惰性气氛对催化剂氧空位和催化活性位点的影响,以及热处理的元素掺杂调控对催化剂热稳定性和光催化活性的影响,以期为热处理调控光催化剂的深入研究提供参考。分析认为,热处理是光催化剂性能调控的重要手段,精确的短流程低温调控手段、多元的调控因素和受热自转变异质结促进机理等方面的研究应成为热处理调控的重点。 展开更多
关键词 热处理 光催化 异质结 调控 相变 光化学 稳定性
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锂离子电池二氧化钛负极材料 被引量:3
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作者 陈阳 崔晓莉 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1249-1269,共21页
锂离子电池是一种能量密度高、安全稳定和使用寿命长的储能器件,已广泛应用于移动电子设备和电动汽车等领域。二氧化钛(TiO_(2))具有无毒害、价格低廉、储量大和化学结构稳定等优点,是一种具有应用前景的负极材料。然而,TiO_(2)的实际... 锂离子电池是一种能量密度高、安全稳定和使用寿命长的储能器件,已广泛应用于移动电子设备和电动汽车等领域。二氧化钛(TiO_(2))具有无毒害、价格低廉、储量大和化学结构稳定等优点,是一种具有应用前景的负极材料。然而,TiO_(2)的实际应用受限于自身较低电子电导率和锂离子(Li^(+))扩散系数。本文总结了TiO_(2)三种常见晶型的储锂机制(锐钛矿TiO_(2)两相固溶储锂机制、TiO_(2)(B)本征赝电容储锂机制和金红石TiO_(2)电位控制相变过程);针对其电子传导和Li+扩散能力的不足,详细综述了纳米结构维度设计、本征/非本征电子结构调控(元素掺杂、Ti^(3+)自掺杂和高导电材料修饰)和异相结优化改性三方面的研究进展。最后展望了TiO_(2)材料在锂离子电池及其他二次电池领域的发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 二氧化钛 纳米结构 电子结构 异相结
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蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究 被引量:1
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作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 彭军 朱作云 张永华 宋国乡 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第4期391-396,共6页
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素。这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜 反应机理 化学汽相淀积 汽相外延
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Controlling phase transition in WSe_(2) towards ideal n-type transistor 被引量:2
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作者 Yue Zheng Du Xiang +10 位作者 Jialin Zhang Rui Guo Wenhui Wang Tao Liu Leyi Loh Yanan Wang Jing Gao Cheng Han Michel Bosman Zhenhua Ni Wei Chen 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2021年第8期2703-2710,共8页
Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs)have been rapidly established as promising building blocks for versatile atomic scale circuits and multifunctional devices.However,the high contact resistance i... Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs)have been rapidly established as promising building blocks for versatile atomic scale circuits and multifunctional devices.However,the high contact resistance in TMDs based transistors seriously hinders their applications in complementary electronics.In this work,we show that an Ohmic homojunction n-type tungsten diselenide(WSe_(2))transistor is realized through spatially controlling cesium(Cs)doping region near the contacts.We find that the remarkable electron doping effect of Cs stimulates a semiconductor to metal(2H to 1T')phase transition in WSe_(2),and hence the formation of 2H-1T’hetero-phase contact.Our method significantly optimizes the WSe_(2) transport behavior with a perfect low subthreshold swing of-61 mV/dec and ultrahigh current on/off ratio exceeding-10^(9).Meanwhile,the electron mobility is enhanced by nearly 50 times.We elucidate that the ideal n-type behavior originates from the negligible Schottky barrier height of~19 meV and low contact resistance of-0.9Ωk·μm in the 2H-1T’homojunction device.Moreover,based on the Ohmic hetero-phase configuration,a WSe_(2) inverter is achieved with a high gain of~270 and low power consumption of-28 pW.Our findings envision Cs functionalization as an effective method to realize ideal Ohmic contact in 2D WSe_(2) transistors towards high performance complementary electronic devices. 展开更多
关键词 WSe_(2) Cs intercalation semiconductor to metal phase transition ideal hetero-phase transistor high gain homo-inverter
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