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TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
1
作者
邹晓
徐静平
张雪峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期338-341,共4页
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(~24)和良好的可靠性...
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(~24)和良好的可靠性。这些都归因于TaON界面层阻挡了O及金属原子向Ge衬底的扩散,抑制了不稳定的低κGeOx的生长,从而改善界面质量,增强器件性能。
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关键词
锗金属氧化物半导体
hf基高κ
界面特性
氮氧钽界面层
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职称材料
MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
2
作者
吕品
白永臣
邱巍
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
2024年第1期24-32,共9页
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面...
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路.
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关键词
hf
基
高
k材料
栅介质
MOS器件
介电常数
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职称材料
铪基高κ材料研究及进展
3
作者
程文海
王海
+3 位作者
周涛涛
卢振成
王凌振
蒋梁疏
《化工生产与技术》
CAS
2020年第1期18-22,I0003,共6页
叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐了满足MOS制程要求的ALD薄膜沉积技术。分析了ALD技术的优点,认为ALD技术在薄膜沉积方面有传统成膜技术...
叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐了满足MOS制程要求的ALD薄膜沉积技术。分析了ALD技术的优点,认为ALD技术在薄膜沉积方面有传统成膜技术所无可比拟优势。Hf基高κ材料用途主要包括2类,用于储存器的电容介质和用作晶体管MOS的栅介质,重点介绍Hf基高κ栅介质材料的应用。认为进一步探索新的Hf基高κ材料,提高其与衬底材料相容性及改善界面性能,通过掺杂或发展制备工艺获得优异综合性Hf基高κ材料是重要途径。
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关键词
高κ
材料
hf基高κ
材料
hf
O2
进展
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职称材料
高K栅介质材料的研究现状与前景
被引量:
1
4
作者
余涛
吴雪梅
+1 位作者
诸葛兰剑
葛水兵
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第21期25-29,共5页
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性...
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。
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关键词
高
K栅介质
hf
O2
hf
基
高
K栅介质材料
MOSFET器件
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职称材料
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展
被引量:
3
5
作者
郑晓虎
黄安平
+3 位作者
杨智超
肖志松
王玫
程国安
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期811-822,共12页
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷...
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
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关键词
hf
基
高
k栅介质
稀土掺杂
氧空位缺陷
有效功函数
原文传递
题名
TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
1
作者
邹晓
徐静平
张雪峰
机构
江汉大学机电工程系
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期338-341,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776016)
文摘
制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(~24)和良好的可靠性。这些都归因于TaON界面层阻挡了O及金属原子向Ge衬底的扩散,抑制了不稳定的低κGeOx的生长,从而改善界面质量,增强器件性能。
关键词
锗金属氧化物半导体
hf基高κ
界面特性
氮氧钽界面层
Keywords
Ge MOS
hf
-based high-κ
interface property
TaON interlayer
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
2
作者
吕品
白永臣
邱巍
机构
辽宁大学物理学院
辽宁大学创新创业学院
出处
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
2024年第1期24-32,共9页
文摘
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路.
关键词
hf
基
高
k材料
栅介质
MOS器件
介电常数
Keywords
hf
-based high-k materials
gate dielectric
MOS device
dielectric constant
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铪基高κ材料研究及进展
3
作者
程文海
王海
周涛涛
卢振成
王凌振
蒋梁疏
机构
浙江凯圣氟化学有限公司
出处
《化工生产与技术》
CAS
2020年第1期18-22,I0003,共6页
文摘
叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐了满足MOS制程要求的ALD薄膜沉积技术。分析了ALD技术的优点,认为ALD技术在薄膜沉积方面有传统成膜技术所无可比拟优势。Hf基高κ材料用途主要包括2类,用于储存器的电容介质和用作晶体管MOS的栅介质,重点介绍Hf基高κ栅介质材料的应用。认为进一步探索新的Hf基高κ材料,提高其与衬底材料相容性及改善界面性能,通过掺杂或发展制备工艺获得优异综合性Hf基高κ材料是重要途径。
关键词
高κ
材料
hf基高κ
材料
hf
O2
进展
Keywords
high-κmaterials
hf
-based high-κmaterials
hf
O2
分类号
TQ134.13 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
高K栅介质材料的研究现状与前景
被引量:
1
4
作者
余涛
吴雪梅
诸葛兰剑
葛水兵
机构
苏州大学物理系
苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
苏州大学分析测试中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第21期25-29,共5页
基金
国家自然科学基金(10975106)
信息功能材料国家重点实验室开放课题资助
文摘
论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。
关键词
高
K栅介质
hf
O2
hf
基
高
K栅介质材料
MOSFET器件
Keywords
highK gate dielectrics,
hf
O2,
hf
based high-K gate dielectrics, MOSFET device
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展
被引量:
3
5
作者
郑晓虎
黄安平
杨智超
肖志松
王玫
程国安
机构
北京航空航天大学物理系
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期811-822,共12页
基金
国家自然科学基金(批准号:50802005
11074020)
+1 种基金
教育部新世纪优秀人才基金(NCET-08-0035)
教育部博士点基金(批准号:200800061055)资助的课题~~
文摘
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
关键词
hf
基
高
k栅介质
稀土掺杂
氧空位缺陷
有效功函数
Keywords
hf
-based high-k gate dielectrics
rare earth doping
oxygen vacancies
effective work function
分类号
O482 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
邹晓
徐静平
张雪峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
2
MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
吕品
白永臣
邱巍
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
2024
0
下载PDF
职称材料
3
铪基高κ材料研究及进展
程文海
王海
周涛涛
卢振成
王凌振
蒋梁疏
《化工生产与技术》
CAS
2020
0
下载PDF
职称材料
4
高K栅介质材料的研究现状与前景
余涛
吴雪梅
诸葛兰剑
葛水兵
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
5
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展
郑晓虎
黄安平
杨智超
肖志松
王玫
程国安
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
原文传递
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