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Ge/Si heterojunction L-shape tunnel field-effect transistors with hetero-gate-dielectric
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作者 CongLi Zhi-Rui Yan +2 位作者 Yi-Qi Zhuang Xiao-Long Zhao Jia-Min Guo 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第7期572-579,共8页
A Ge/Si heterojunction L-shaped tunnel field-effect transistor combined with hetero-gate-dielectric (GHL-TFET) is proposed and investigated by TCAD simulation. Current-voltage characteristics, energy-band diagrams, ... A Ge/Si heterojunction L-shaped tunnel field-effect transistor combined with hetero-gate-dielectric (GHL-TFET) is proposed and investigated by TCAD simulation. Current-voltage characteristics, energy-band diagrams, and the distri- bution of the band-to-band tunneling (BTBT) generation rate of GHL-TFET are analyzed. In addition, the effect of the vertical channel width on the ON-current is studied and the thickness of the gate dielectric is optimized for better suppression of ambipolar current. Moreover, analog/RF figure-of-merits of GHL-TFET are also investigated in terms of the cut-off frequency and gain bandwidth production. Simulation results indicate that the ON-current of GHL-TFET is increased by about three orders of magnitude compared with that of the conventional L-shaped TFET. Besides, the introduction of the hetero-gate-dielectric not only suppresses the ambipolar current effectively but also improves the analog/RF performance drastically. It is demonstrated that the maximum cut-off frequency of GHL-TFET is about 160 GHz, which is 20 times higher than that of the conventional L-shaped TFET. 展开更多
关键词 tunnel field-effect transistors ge/Si heterojunction hetero-gate-dielectric ambipolar effect
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HfGdO/Ge异质结的制备及其能带排列 被引量:1
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作者 孙孟君 朱燕艳 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第6期401-405,共5页
HfO_2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO_2的性能。采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结。X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜是非晶结构,利用原子力显微镜对退火前后薄膜的表面形貌... HfO_2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO_2的性能。采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结。X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜是非晶结构,利用原子力显微镜对退火前后薄膜的表面形貌进行了观察,俄歇电子能谱结果发现制备的薄膜是符合化学计量比的。通过X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的禁带宽度和它相对于Ge衬底的导带、价带偏移进行了研究,结果显示其禁带宽度为(5.86±0.2)eV,HfGdO/Ge结构的价带偏移和导带偏移分别是(3.6±0.2)eV和(1.6±0.3)eV。这些数据将为HfGdO薄膜在栅介质上的应用提供理论依据。 展开更多
关键词 hfgdo/ge异质结 高K栅介质 磁控溅射 X射线光电子能谱(XPS) 能带结构
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Sensitivity investigation of 100-MeV proton irradiation to SiGe HBT single event effect
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作者 冯亚辉 郭红霞 +7 位作者 刘益维 欧阳晓平 张晋新 马武英 张凤祁 白如雪 马晓华 郝跃 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期554-562,共9页
The single event effect(SEE) sensitivity of silicon–germanium heterojunction bipolar transistor(Si Ge HBT) irradiated by 100-Me V proton is investigated. The simulation results indicate that the most sensitive positi... The single event effect(SEE) sensitivity of silicon–germanium heterojunction bipolar transistor(Si Ge HBT) irradiated by 100-Me V proton is investigated. The simulation results indicate that the most sensitive position of the Si Ge HBT device is the emitter center, where the protons pass through the larger collector-substrate(CS) junction. Furthermore, in this work the experimental studies are also carried out by using 100-Me V proton. In order to consider the influence of temperature on SEE, both simulation and experiment are conducted at a temperature of 93 K. At a cryogenic temperature, the carrier mobility increases, which leads to higher transient current peaks, but the duration of the current decreases significantly.Notably, at the same proton flux, there is only one single event transient(SET) that occurs at 93 K. Thus, the radiation hard ability of the device increases at cryogenic temperatures. The simulation results are found to be qualitatively consistent with the experimental results of 100-Me V protons. To further evaluate the tolerance of the device, the influence of proton on Si Ge HBT after gamma-ray(^(60)Coγ) irradiation is investigated. As a result, as the cumulative dose increases, the introduction of traps results in a significant reduction in both the peak value and duration of the transient currents. 展开更多
关键词 silicon–germanium heterojunction bipolar transistor(Si ge HBT) 100-Me V proton technology computer-aided design(TCAD) single event effect(SEE)
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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 被引量:4
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作者 苏文勇 李蕊 邵彬 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期522-525,共4页
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布... 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. 展开更多
关键词 SIge异质结双极晶体管 基区渡越时间 ge分布
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Si/Ge应变层异质结价带偏移的剪裁与设计
5
作者 王仁智 黄美纯 +1 位作者 柯三黄 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期313-318,共6页
讨论应变层异质结价带偏移的剪裁、设计方法,研究Si/Ge应变层异质结价带偏移设计参数与应变条件的关系,基于异质结中平均键能“对齐”,得到适用于Si/Ge异质结价带偏移剪裁与设计的计算公式和图表。
关键词 价带偏移 应变层 异质结 外延生长
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n-GaInP_2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析
6
作者 纪伟伟 张超 +1 位作者 张德亮 乔在祥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2804-2809,共6页
热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载... 热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能。然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、I-V测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4cm2全面积电池效率最终达到5.18%(AM1.5,25℃)。根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径。 展开更多
关键词 热光伏 ge GaInP2 异质结 J-V特性
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Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算
7
作者 王仁智 郑永梅 +2 位作者 柯三黄 黄美纯 朱梓忠 《计算物理》 CSCD 北大核心 1996年第2期136-140,共5页
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以 Ge 为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的 Si/Ge 异质结价带偏移△E_v 值计算中,分别得到0.731eV、0... 在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以 Ge 为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的 Si/Ge 异质结价带偏移△E_v 值计算中,分别得到0.731eV、0.243eV 和0.521eV 的计算结果。 展开更多
关键词 异质结 价带偏移 理论计算 锗/硅 半导体
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Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
8
作者 郭维廉 毛陆虹 +3 位作者 李树荣 郑云光 王静 吴霞宛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期306-312,共7页
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从... 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代 展开更多
关键词 基区 混合模式晶体管 硅-锗异质结 器件模拟
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基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响
9
作者 赵昕 张万荣 +3 位作者 金冬月 谢红云 付强 张东晖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期289-292,296,共5页
建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩... 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。 展开更多
关键词 SIge 异质结双极晶体管 热学特性 ge组分分布
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宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计
10
作者 付强 张万荣 +2 位作者 金冬月 赵彦晓 张良浩 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期686-692,共7页
为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐... 为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱. 展开更多
关键词 Sige异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性 杂质浓度分布 ge组分分布
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Si电光调制器与GeSi/Si异质结探测器的集成
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作者 李国正 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期231-233,237,共4页
提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在〈100〉n+-Si衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Si脊形波导电光调制器,接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作p-Ge0.6Si0.
关键词 集成光学 调制器 探测器 异质结
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Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment 被引量:2
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作者 李培 郭红霞 +7 位作者 郭旗 张晋新 肖尧 魏莹 崔江维 文林 刘默寒 王信 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第8期609-612,共4页
In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser microbeam experiment. A three-dimensional(3D) simulation m... In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser microbeam experiment. A three-dimensional(3D) simulation model is established, the single event effect(SEE) simulation is further carried out on the basis of Si Ge HBT devices, and then, together with the laser microbeam test, the charge collection behaviors are analyzed, including the single event transient(SET) induced transient terminal currents, and the sensitive area of SEE charge collection. The simulations and experimental results are discussed in detail and it is demonstrated that the nature of the current transient is controlled by the behaviors of the collector–substrate(C/S) junction and charge collection by sensitive electrodes, thereby giving out the sensitive area and electrode of SiGe HBT in SEE. 展开更多
关键词 Si ge heterojunction bipolar transistor single event effect three-dimensional numerical simulation laser microbeam experiment
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GeS/MoS_(2)异质结电子结构及光学性能的第一性原理研究 被引量:1
13
作者 梁志华 谭秋红 +1 位作者 王前进 刘应开 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期459-470,共12页
以MoS_(2)、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能。如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义。本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/M... 以MoS_(2)、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能。如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义。本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/MoS_(2)异质结的电子结构及光学性质进行了系统研究,并探索了界面间距、应变和电场对异质结电子结构和光学性能的影响。研究结果表明,GeS/MoS_(2)异质结是Ⅱ型能带排列,该能带排列有利于光生电子-空穴对的分离。进一步研究发现,通过应变和电场等手段可以实现对GeS/MoS_(2)异质结能带排列及光吸收系数的有效调控。该研究结果表明GeS/MoS_(2)异质结在光催化、光电器件等领域具有潜在的应用,为设计与制备GeS/MoS_(2)相关的光电器件提供了理论指导。 展开更多
关键词 geS/MoS_(2)异质结 二维层状材料 电子结构 光学性能 界面间距 应变 电场 第一性原理
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Thermal studies of individual Si/Ge heterojunctions--The influence of the alloy layer on the heterojunction
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作者 Sien Wang Dongchao Xu +2 位作者 Ramya Gurunathan G.Jeffrey Snyder Qing Hao 《Journal of Materiomics》 SCIE EI 2020年第2期248-255,共8页
Phonon transport across an interface is of fundamental importance to applications ranging from electronic and optical devices to thermoelectric materials.The phonon scattering by an interface can dramatically suppress... Phonon transport across an interface is of fundamental importance to applications ranging from electronic and optical devices to thermoelectric materials.The phonon scattering by an interface can dramatically suppress the thermal transport,which can benefit thermoelectric applications but create problems for the thermal management of electronic/optical devices.In this aspect,existing molecular dynamics simulations on phonon transport across various interfaces are often based on estimates of atomic structures and are seldom compared with measurements on real interfaces.In this work,planar Si/Ge heterojunctions formed by film-wafer bonding are measured for the interfacial thermal resistance (R_(K)) that is further compared with predictions from existing simulations and analytical models.The twist angle between a 70-nm-thick Si film and a Ge wafer is varied to check the influence of the crystal misorientation.Detailed transmission electron microscopy studies are carried out to better understand the interfacial atomic structure.It is found that the alloyed interfacial layer with mixed Si and Ge atoms dominates the measured thermal resistance(R_(K)).Some oxygen impurities may also help to increase RK due to the formation of glassy structures.Following this,RK reduction should be focused on how to minimize the interdiffusion of Si and Ge atoms during the formation of a Si/Ge heterojunction. 展开更多
关键词 Thermal boundary resistance Si/ge heterojunction Film-wafer bonding PHONON
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采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器 被引量:4
15
作者 张良浩 谢红云 +3 位作者 赵彦晓 张万荣 江之韵 刘硕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期206-210,共5页
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈... 射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15d B;噪声系数低于5.5d B,最小噪声系数达到2.6d B.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内. 展开更多
关键词 可变增益放大器 PIN二极管 小信号等效电路 锗硅异质结双极晶体管 射频
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可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二) 被引量:2
16
作者 张万生 梁春广 《半导体情报》 1997年第4期9-17,共9页
可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)张万生梁春广(电子工业部第十三研究所,石家庄,050051)4超高亮度发光管的发展[9~14]4.1InGaAlPDHLED发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半... 可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)张万生梁春广(电子工业部第十三研究所,石家庄,050051)4超高亮度发光管的发展[9~14]4.1InGaAlPDHLED发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一,超高... 展开更多
关键词 可见光LED 超高亮度LED 发光二极管
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硅基低维结构材料
17
作者 夏建白 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期1-8,共8页
Si/Ge超晶格外延生长技术的发展和多孔硅发光现象的发现引起了对硅基低维结构材料的关注.本文简单综述了近年来在Si/Ge超晶格电子态和光学性质、调制掺杂Si/GexSi1-x异质结构输运性质以及多孔硅发光机理等方面的... Si/Ge超晶格外延生长技术的发展和多孔硅发光现象的发现引起了对硅基低维结构材料的关注.本文简单综述了近年来在Si/Ge超晶格电子态和光学性质、调制掺杂Si/GexSi1-x异质结构输运性质以及多孔硅发光机理等方面的研究进展. 展开更多
关键词 低维结构 多孔硅 异质结 发光
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新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化
18
作者 糜昊 马鑫 +1 位作者 苗渊浩 芦宾 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第6期441-448,共8页
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和... 设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化,最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec,开态电流可达0.64μA/μm,开关比值约为9×10^(8),该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管(TFETs) 线隧穿 ge/Si异质结 环栅 亚阈值摆幅
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基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响 被引量:4
19
作者 赵昕 张万荣 +4 位作者 金冬月 付强 陈亮 谢红云 张瑜洁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期259-265,共7页
基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性... 基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性和电学特性的热稳定性进行了研究.研究发现,在Ge组分总量一定的条件下,随着Ge组分梯度的增大,器件的特征频率明显提高,增益β和特征频率fΤ随温度变化变弱,器件温度分布的均匀性变好,但增益变小;而基区均匀Ge组分(Ge组分梯度为零)的HBT的增益较大,但随温度的变化较大,器件温度分布的均匀性也较差.在此基础上,将基区Ge组分均匀分布和Ge组分缓变分布相结合,提出了兼顾器件热学特性、增益特性和频率特性的新型基区Ge组分分布-分段分布结构.结果表明,相比于基区Ge组分均匀分布的器件,新器件温度明显降低;β和fΤ保持了较高的值,且随温度的变化也较小,显示了新结构器件的优越性.这些结果对HBT的热学设计具有重要的参考意义,是对SiGe HBT性能研究的一个补充. 展开更多
关键词 Sige异质结双极晶体管(HBT) 热学特性 ge组分分布 SILVACO
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Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响 被引量:2
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作者 张瑜洁 张万荣 +5 位作者 金冬月 陈亮 付强 郭振杰 邢光辉 路志义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期192-198,共7页
众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基... 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中. 展开更多
关键词 Sige异质结双极型晶体管 温度特性 基区杂质分布 ge组分分布
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