退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器特性的影响

采用反应溅射法,分别制备以LaTiON,HfLaON为存储层的金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅电容存储器,研究了淀积后退火气氛(N2,NH3)对其存储性能的影响.分析测试表明,退火前LaTiON样品比HfLaON样品具有更好的电荷保持特性,但后者具有更大的存储窗口(编程/擦除电压为+/12V时4.8V);对于退火样品,由于NH3的氮化作用,NH3退火样品比N2退火样品表现出更快的编程/擦除速度、更好的电荷保持特性和疲劳特性.当编程/擦除电压为+/-12V时,NH3退火HfLaON样品的存储窗口为3.8V,且比NH3退火LaTiON样品具有更好的电荷保持特性和疲劳特性.