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高k绝缘层研究动态 被引量:5
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作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期220-223,248,共5页
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词 高k绝缘层 栅结构 栅介质 hfsion薄膜
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