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高k绝缘层研究动态
被引量:
5
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作者
翁寿松
《微纳电子技术》
CAS
2005年第5期220-223,248,共5页
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词
高k绝缘层
栅结构
栅介质
hfsion
薄膜
下载PDF
职称材料
题名
高k绝缘层研究动态
被引量:
5
1
作者
翁寿松
机构
无锡市罗特电子有限公司
出处
《微纳电子技术》
CAS
2005年第5期220-223,248,共5页
文摘
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词
高k绝缘层
栅结构
栅介质
hfsion
薄膜
Keywords
high-k insulating layer
gate structure
gate dielectric
hfsion thin film
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
高k绝缘层研究动态
翁寿松
《微纳电子技术》
CAS
2005
5
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