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年份
2012
1
2009
1
学科
一般工业技术
1
理学
1
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2
北大核心期刊
2
化学文摘(网络版)
2
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2
CSCD
2
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日本科学技术振兴机构数据库
2
武大RCCSE核心期刊
2
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中国科技核心期刊
2
科学文摘数据库
1
英国皇家化学学会文摘
1
科学引文索引SCIE
1
主题
Y
2
溅射
2
XO
2
磁控
2
栅介质
1
射频磁控
1
射频磁控反应溅射
1
射频反应磁控溅射
1
退火
1
光学
1
光学特性
1
反应磁控溅射
1
反应溅射
1
高K栅介质
1
沉积速率
1
磁控反应溅射
1
磁控溅射
1
期刊
稀有金属材料与工程
1
光学学报
1
作者
刘正堂
2
冯丽萍
2
许冰
1
刘文婷
1
高倩倩
1
刘璐
1
沈雅明
1
田浩
1
机构
西北工业大学
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高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析
被引量:
2
1
作者
沈雅明
刘正堂
+2 位作者
冯丽萍
刘璐
许冰
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期2039-2042,共4页
采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随...
采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小。衬底未加热时,制备的HfSixOy和HfO2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO2薄膜呈多晶态,而HfSixOy薄膜呈非晶态。HfSixOy薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSixOy薄膜具有较高的热稳定性。
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关键词
高K栅介质
hfsixoy薄膜
射频磁控反应溅射
沉积速率
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职称材料
退火对磁控溅射HfSi_xO_y薄膜光学性质的影响
被引量:
3
2
作者
田浩
刘正堂
+2 位作者
冯丽萍
高倩倩
刘文婷
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期303-307,共5页
采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分,用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700℃高温...
采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分,用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700℃高温退火处理后仍为非晶态,而在900℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz(TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势。薄膜的光学带隙随着退火温度的升高增加,采用外推法得到薄膜沉积态和经500℃,700℃,900℃退火后的带隙分别为5.62,5.65,5.68,5.98eV。
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关键词
薄膜
hfsixoy薄膜
光学特性
椭圆偏振光谱仪
退火
射频反应磁控溅射
原文传递
题名
高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析
被引量:
2
1
作者
沈雅明
刘正堂
冯丽萍
刘璐
许冰
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期2039-2042,共4页
基金
西北工业大学基础研究基金资助项目(NPU-FFR-W018108)
文摘
采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小。衬底未加热时,制备的HfSixOy和HfO2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO2薄膜呈多晶态,而HfSixOy薄膜呈非晶态。HfSixOy薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSixOy薄膜具有较高的热稳定性。
关键词
高K栅介质
hfsixoy薄膜
射频磁控反应溅射
沉积速率
Keywords
high K gate dielectric
hfsixoy
thin film
RF magnetron reactive sputtering
deposition rate
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
退火对磁控溅射HfSi_xO_y薄膜光学性质的影响
被引量:
3
2
作者
田浩
刘正堂
冯丽萍
高倩倩
刘文婷
机构
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期303-307,共5页
基金
国家自然科学基金(50902110)
西北工业大学基础研究基金(JC20110245)资助课题
文摘
采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分,用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700℃高温退火处理后仍为非晶态,而在900℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz(TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势。薄膜的光学带隙随着退火温度的升高增加,采用外推法得到薄膜沉积态和经500℃,700℃,900℃退火后的带隙分别为5.62,5.65,5.68,5.98eV。
关键词
薄膜
hfsixoy薄膜
光学特性
椭圆偏振光谱仪
退火
射频反应磁控溅射
Keywords
thin films
hfsixoy
thin film
optical properties
spectroscopic ellipsometry
annealing
radio-frequency magnetron reactive sputtering
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析
沈雅明
刘正堂
冯丽萍
刘璐
许冰
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
下载PDF
职称材料
2
退火对磁控溅射HfSi_xO_y薄膜光学性质的影响
田浩
刘正堂
冯丽萍
高倩倩
刘文婷
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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