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金属/Hg_(1-x)Mn_xTe接触的I-V特性研究
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作者 王泽温 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期333-336,共4页
分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155cI-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F∶10%H2O2∶H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对... 分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155cI-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F∶10%H2O2∶H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析。结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV。钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%。随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小。 展开更多
关键词 Al/hg1-xMnxTe Au/hg1-x MnxTe 欧姆接触 肖特基接触
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液相外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜及其特性分析 被引量:3
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作者 李标 陈新强 +2 位作者 褚君浩 曹菊英 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期216-222,共7页
报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由... 报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 展开更多
关键词 液相外延 X射线双晶衍射 hgCDTE 薄膜
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The Effect of Magnetic Field on Resistivity of Hg_(0.89)Mn_(0.11)Te in Different Temperature Range
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作者 王泽温 JIE Wanqi 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2015年第5期923-927,共5页
The resistivity of Hg<sub>0.89</sub>Mn<sub>0.11</sub>Te has been measured by the superconducting quantum interference device magnetometer in the temperature range from 5 to 200 K under the appl... The resistivity of Hg<sub>0.89</sub>Mn<sub>0.11</sub>Te has been measured by the superconducting quantum interference device magnetometer in the temperature range from 5 to 200 K under the applied magnetic field of 1, 2, 4 and 6.5 Tesla, respectively, compared with that of no-magnetic field. The results show that the resistivity increases with increase applied magnetic field at higher temperature from 80 to 200 K, but decreases at lower temperature from 5 to 25 K. There exists a transitive range from 25 to 80 K, where the variation of the resistivity shows different tendencies depending on the strength of magnetic field. Maximum difference of resistivity under 6.5 Tesla from that without magnetic field in the temperature range from 30 to 200 K is only about 5 Ω·cm, but it increases up to 3 orders of magnitude at 5 K. The analysis shows that the variation of resistivity of Hg<sub>0.89</sub>Mn<sub>0.11</sub>Te under the magnetic field is the algebraic sum of the transverse direction magnetoresistance effect and the sp-d exchange interaction effect. TDRME plays major role in the high temperature range. However, with the decrease of temperature, the effect of sp-d EI on the resistivity gradually exceeds that of the transverse direction magnetoresistance effect through the transitive range, and becomes the dominant effect in the temperature range from 5 to 25 K, which leads to the dramatic decrease of resistivity. 展开更多
关键词 hg1-x Mnx Te RESISTIVITY MAGNETORESISTANCE transverse direction magnetoresistance effect sp-d exchange interaction effect
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不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究 被引量:3
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作者 杨丽丽 王光华 +6 位作者 孔金丞 李雄军 孔令德 余连杰 李凡 邓功荣 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第1期13-16,共4页
采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间... 采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间距能够有效地提高薄膜厚度均匀性,75 mm靶间距时,50 mm×60 mm及10 mm×10 mm范围内厚度均匀性分别优于7%和1%。 展开更多
关键词 非晶态碲镉汞(a—hg1-x CdxTe a—MCT) 靶间距 均匀性 磁控溅射
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碲镉汞退火过程的电子结构变化的理论模型
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作者 张端明 王建安 李国元 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1991年第1期45-48,共4页
本文提出了退火过程中碲镉汞电子结构变化的理论模型,并根据此理论模型建立了理论公式.由理论公式经计算得出的理论曲线与实验曲线很好地吻合,从而证明了理论模型的正确性.
关键词 碲镉汞 退火 电子结构 缺陷 电阻
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