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HgCdTe超重力晶体生长系统原理设计
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作者 李全葆 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第5期27-29,共3页
为了制备组份均匀的HgCdTe材料,设计了一种在超重力条件下制备HgCdTe材料的晶体生长系统。超重力由离心机产生,HgCdTe熔体在超重力条件下产生的重力分离可以用来抵消Bridgman生长过程中产生的组份分凝。为了获得组份均匀的HgCdTe晶体... 为了制备组份均匀的HgCdTe材料,设计了一种在超重力条件下制备HgCdTe材料的晶体生长系统。超重力由离心机产生,HgCdTe熔体在超重力条件下产生的重力分离可以用来抵消Bridgman生长过程中产生的组份分凝。为了获得组份均匀的HgCdTe晶体,必需在Bridgman生长过程中,随剩余熔体长度的变化连续改变离心机的转速。通过理论推导,求得离心机转速与剩余熔体长度的关系。 展开更多
关键词 hgcdte 晶体生长 超重力 组份分凝 重力分离
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布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能 被引量:3
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作者 肖绍泽 任万兴 +1 位作者 颜瑞菊 刘朝旺 《红外技术》 CSCD 1992年第6期1-5,共5页
本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。
关键词 碲镉汞 晶体生长 组分分布 寿命
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双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体 被引量:1
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作者 刘克岳 王金义 《半导体杂志》 1998年第3期15-19,共5页
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低... 介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施,获得了大直径(Ф40mm)、大单晶面积(4~10cm2)、径向组分均匀(x≤±0.003)、光电性能良好(77K:ni≤5×1014cm-3、μi≥1.5×10scm2/V.s、≥2μs;300K:0.9mm厚的晶片透过率T≥15%)的碲镉汞晶体。 展开更多
关键词 碲镉汞 晶体生长 双相复合 垂直结晶
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