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HgCdTe超重力晶体生长系统原理设计
1
作者
李全葆
《红外技术》
CSCD
北大核心
1999年第5期27-29,共3页
为了制备组份均匀的HgCdTe材料,设计了一种在超重力条件下制备HgCdTe材料的晶体生长系统。超重力由离心机产生,HgCdTe熔体在超重力条件下产生的重力分离可以用来抵消Bridgman生长过程中产生的组份分凝。为了获得组份均匀的HgCdTe晶体...
为了制备组份均匀的HgCdTe材料,设计了一种在超重力条件下制备HgCdTe材料的晶体生长系统。超重力由离心机产生,HgCdTe熔体在超重力条件下产生的重力分离可以用来抵消Bridgman生长过程中产生的组份分凝。为了获得组份均匀的HgCdTe晶体,必需在Bridgman生长过程中,随剩余熔体长度的变化连续改变离心机的转速。通过理论推导,求得离心机转速与剩余熔体长度的关系。
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关键词
hgcdte
晶体生长
超重力
组份分凝
重力分离
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职称材料
布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能
被引量:
3
2
作者
肖绍泽
任万兴
+1 位作者
颜瑞菊
刘朝旺
《红外技术》
CSCD
1992年第6期1-5,共5页
本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。
关键词
碲镉汞
晶体生长
组分分布
寿命
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职称材料
双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体
被引量:
1
3
作者
刘克岳
王金义
《半导体杂志》
1998年第3期15-19,共5页
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低...
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施,获得了大直径(Ф40mm)、大单晶面积(4~10cm2)、径向组分均匀(x≤±0.003)、光电性能良好(77K:ni≤5×1014cm-3、μi≥1.5×10scm2/V.s、≥2μs;300K:0.9mm厚的晶片透过率T≥15%)的碲镉汞晶体。
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关键词
碲镉汞
晶体生长
双相复合
垂直结晶
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职称材料
题名
HgCdTe超重力晶体生长系统原理设计
1
作者
李全葆
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
1999年第5期27-29,共3页
文摘
为了制备组份均匀的HgCdTe材料,设计了一种在超重力条件下制备HgCdTe材料的晶体生长系统。超重力由离心机产生,HgCdTe熔体在超重力条件下产生的重力分离可以用来抵消Bridgman生长过程中产生的组份分凝。为了获得组份均匀的HgCdTe晶体,必需在Bridgman生长过程中,随剩余熔体长度的变化连续改变离心机的转速。通过理论推导,求得离心机转速与剩余熔体长度的关系。
关键词
hgcdte
晶体生长
超重力
组份分凝
重力分离
Keywords
hgcdte
,
crystal
growth
, high gravity,
composit
ion segregation, gravity segregation
分类号
O782 [理学—晶体学]
TN213 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能
被引量:
3
2
作者
肖绍泽
任万兴
颜瑞菊
刘朝旺
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1992年第6期1-5,共5页
文摘
本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。
关键词
碲镉汞
晶体生长
组分分布
寿命
Keywords
hgcdte
crystal
growth
composit
ion profile
Lifetime
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体
被引量:
1
3
作者
刘克岳
王金义
机构
华光光电技术研究所
出处
《半导体杂志》
1998年第3期15-19,共5页
文摘
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),阐述了该方法的生长机理和生长过程;分析了生长过程中影响晶体生长的因素;总结了该方法晶体生长的特点,并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施;通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施,获得了大直径(Ф40mm)、大单晶面积(4~10cm2)、径向组分均匀(x≤±0.003)、光电性能良好(77K:ni≤5×1014cm-3、μi≥1.5×10scm2/V.s、≥2μs;300K:0.9mm厚的晶片透过率T≥15%)的碲镉汞晶体。
关键词
碲镉汞
晶体生长
双相复合
垂直结晶
Keywords
hgcdte crystal growth composite two-phase vertical crystallization
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HgCdTe超重力晶体生长系统原理设计
李全葆
《红外技术》
CSCD
北大核心
1999
0
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职称材料
2
布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能
肖绍泽
任万兴
颜瑞菊
刘朝旺
《红外技术》
CSCD
1992
3
下载PDF
职称材料
3
双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体
刘克岳
王金义
《半导体杂志》
1998
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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