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热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究
被引量：
5
1
作者
巫艳
杨建荣
+5 位作者
方维政
王善力
于梅芳
乔怡敏
陈新强
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期103-107,共5页
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，...
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
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关键词
异质结
热处理
互扩散
汞镉碲
扩散系数
下载PDF
职称材料
题名
热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究
被引量：
5
1
作者
巫艳
杨建荣
方维政
王善力
于梅芳
乔怡敏
陈新强
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期103-107,共5页
基金
国家杰出青年基金
文摘
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
关键词
异质结
热处理
互扩散
汞镉碲
扩散系数
Keywords
hgcdte heterojunction
,
thermal annealing
,
interdiffusion.
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究
巫艳
杨建荣
方维政
王善力
于梅芳
乔怡敏
陈新强
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
5
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职称材料
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