在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体

在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．当安瓿绕生长轴匀速旋转时、晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征，也没有常规 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性尾部呈现圆锥状的凸起。

拉晶速度对HgCdTe—Bridgman系统热场分布影响的研究

用数值计算方法研究了在Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统中生长ＨｇＣｄＴｅ晶体时拉晶速度对热场分布的影响。计算结果表明，大的拉晶速度会造成固液界面向下位移，并使之凹陷现象加剧，不利于获得径向均匀性好的单晶材料。

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.

外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体

随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置?

位错对布里奇曼HgCdTe体晶结构完整性的影响

本文根据Ｘ射线形貌相、扫描电镜和金相显微镜的实验结果和有关位错、相图的理论，分析了位错和亚晶界、亚晶界和Ｘ射线形貌相的关系以及住错对布里奇曼技术生长的ＨｇＣｄＴｅ体晶结构完整性的影响。因位错降低能量的要求，ＨｇＣｄＴｅ体晶中的密度位错要形成亚晶界和三维位错网络等亚结构。在Ｘ射线形貌相中，亚结构的取向衬度是比位错直接象更强的成象机构。正常凝固长晶过程中ＨｇＣｄＴｅ材料的组分要变化，并使其固液界面的温度梯度也发生相应变化，由此引入的热应力在结晶过程中会在ＨｇＣｄＴｅ晶体中产生高密度位错。位错形成的亚晶界和三维位错网络等亚结构严重破坏了ＢｒｉｄｇｍａｎＨｇＣｄＴｅ体晶结构完整性，这使其Ｘ射线形貌相往往不好。

基于等效单匝电感矩阵的多绕组变压器复合短路阻抗及环流计算

为了有效地解决多绕组变压器建模复杂、复合短路阻抗计算时间长及多并联绕组间环流计算难等问题,结合由自感和互感描述的变压器等效电路模型,提出了一种基于等效单匝电感矩阵的多绕组变压器复合短路阻抗及多并联绕组间环流的求解方法。该方法通过等效单匝电感矩阵求解出所有两两绕组间的短路阻抗,并结合复合短路阻抗的定义和端口条件,在Matlab软件中编写相应的通用计算程序,可一次性求解出任一所需的复合短路阻抗及多并联绕组间的环流大小。最后,以某一实际12绕组变压器为例,采用所提方法对复合短路阻抗和环流进行了计算,并与试验结果进行了对比分析,结果表明,该方法能够准确地计算出各种短路工况条件下的复合短路阻抗及多并联绕组间的环流情况,可以满足工程设计的要求。

层状复合材料磁电效应的数值分析

压电与压磁(或磁致伸缩)层合板具有大的乘积效应磁电效应。本文采用有限元分析方法对压电/压磁层合板的磁电转换进行了计算,结果表明:外磁场方向对磁电转换效应有很大的影响,在层合板上下两面增加约束可以大大提高层合板的磁电转化效应;感生电压值随压磁/压电板厚比的增加而增加,而整个层合板的电场强度值在板厚比为1时达到最大。

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生长碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较。在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的较有效方法。

感应法测交变磁场实验组合仪的研制

介绍了一种能实现探测头可三维连续移动 ,激励信号频率和输出功率连续可调 ,频率、电流、电压数字式显示的测定交变磁场的新型实验装置的研制。该仪器具有一机多能的特点。该装置能克服现有实验装置所存在的 :( 1 )探测头无法连续移动和转动角度不能指示引起的测量误差大 ,以及易损坏 ;( 2 )需要利用多台仪器进行实验 ,导致装置复杂 ,实验耗时长和占用实验室空间大等缺点。

流动控制结晶器磁场分布的实验测试

为了掌握流动控制结晶器磁场分布规律，为结晶器结构设计和流动控制分析与数值计算提供依据，采用 ＣＴ－３型Ｔｅｓｌａ计，依据矢量合成法，测试了流动控制结晶器的磁场．结果表明，流动控制结晶器的磁场呈对称分布，具有两个主磁场和两个漏磁场．而且，在一般板坯连铸条件下，漏磁场与主磁场的强度相当，因此，在结晶器的结构设计和流动控制分析与数值计算中不能忽略漏磁场的影响．

电弧离子镀沉积磁性薄膜的研究

研究了电弧离子镀磁性靶材使用过程中发生"跑弧"并导致靶材无法稳定刻蚀的问题.利用有限元方法(FEM)对外加磁场下非磁性靶材系统和磁性靶材系统中的磁场分布进行了模拟.研究了外磁场对电弧斑点运动的影响机理,并结合电弧斑点放电的物理机制,探讨了磁性靶材与低饱和蒸气压金属靶壳、绝缘陶瓷靶壳或软磁性金属靶壳组成复合结构靶材解决磁性靶材使用问题的可行性.结果表明,这3种复合结构靶材设计方案均能有效解决电弧离子镀磁性靶材"跑弧"问题.通过实验得到,在低饱和蒸气压金属或绝缘陶瓷靶壳设计方案里,靶材频繁引弧到弧斑能受控运动的转变温度为(136.6±23.0)℃.

新型高温超导复合导体的磁场仿真与实验分析

针对兆伏安级容量的超导变压器,通过绕组初步设计,考虑导体的电流密度、载流量和交流损耗,提出面向大容量超导变压器应用的新型超导复合导体结构,介绍了含内外超导层的新型高温超导复合导体的结构。引入电流矢量T和磁矢量势A的方法,考虑临界电流密度J_c和磁场B的关系,建立了导体不对称三维数值载流模型,计算分析了不同结构参数对导体临界电流的影响规律。通过绕制的新型高温超导复合导体短样,在液氮环境下对其自场临界电流进行了测量,计算结果和实验结果基本吻合,验证了模型的合理性。

利用运动磁场沿磁场方向驱动磁性组元制备功能梯度材料(英文)

采用磁场驱动的方法制备了Ni/环氧树脂功能梯度材料。连续变化的磁场是由机械驱动的永磁体往复运动产生。采用光学显微镜,图像分析系统和显微硬度仪对样品的显微组织、Ni的体积分数和显微硬度进行表征。结果表明:样品中Ni从上至下呈梯度变化,并进一步导致样品硬度呈梯度变化。实验结果表明,磁场驱动组元制备梯度材料是一种简单、快捷并且有发展前途的制备方法。