MBE生长中波HgCdTe薄膜材料温度控制

报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围。通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MCT生长时可以达到±1℃。生长得到的样品,表面光亮,组分、厚度均匀性好,X射线双晶回摆曲线半峰宽为72 arcsec。