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HgI_2探测器中晶体表面处理的研究
被引量:
1
1
作者
李莹
史伟民
+1 位作者
潘美军
郭燕明
《上海大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2003年第2期167-171,共5页
该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0...
该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%~20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.
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关键词
核探测器
hgi2晶体
表面处理
漏电流
电学性质
半导体探测器
碘化汞
化学腐蚀
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职称材料
用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测
2
作者
李正辉
朱世富
+1 位作者
陈观雄
赵北君
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期162-166,T001,共6页
本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI_2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI_2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种...
本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI_2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI_2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种行之有效的方法.
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关键词
hgi2晶体
晶体
生长
静态升华法
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职称材料
题名
HgI_2探测器中晶体表面处理的研究
被引量:
1
1
作者
李莹
史伟民
潘美军
郭燕明
机构
上海大学材料科学与工程学院
出处
《上海大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2003年第2期167-171,共5页
文摘
该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%~20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.
关键词
核探测器
hgi2晶体
表面处理
漏电流
电学性质
半导体探测器
碘化汞
化学腐蚀
Keywords
nuclear detector
hgi
_
2
crystal
surface treatment
drain current
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测
2
作者
李正辉
朱世富
陈观雄
赵北君
机构
四川大学材料科学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期162-166,T001,共6页
文摘
本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI_2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI_2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种行之有效的方法.
关键词
hgi2晶体
晶体
生长
静态升华法
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HgI_2探测器中晶体表面处理的研究
李莹
史伟民
潘美军
郭燕明
《上海大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2003
1
下载PDF
职称材料
2
用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测
李正辉
朱世富
陈观雄
赵北君
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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