HgI_2探测器中晶体表面处理的研究

该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%～20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.

Room temperature HgI_2 nuclear radiation detector

Ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＨｇＩ＿２ ｎｕｃｌｅａｒ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｄｅｔｅｃｔｏｒＬｉＷｅｉ－Ｔａｎｇ（李伟堂），ＬｉＺｈｅｎｇ－Ｈｕｉ（李正辉），ＺｈｕＳｈｉ－Ｆｕ（朱世富），ＹｉｎＳｈｕ－Ｊｕｎ（银淑君），ＺｈａｏＢｅｉ－Ｊｕｎ（...

碘化汞单晶生长原料的提纯

本文报道了以升华－蒸馏法提纯碘化汞的结果。用纯化后的原料长出碘化汞单晶体，对晶体的性能进行了观测，表明采用这种方法所获得的原料适用于生长低位错密度的优质的碘化汞大单晶体，是一种行之有效的提纯方法。

HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量

用新研制的五通道碘化汞 ( Hg I2 )半导体探测器阵列分别观测了在欧姆加热、弹丸注入及离子回旋共振加热 ( ICRH)条件下 ,HL- 1M等离子体中的超热电子引起的能量在 10～ 15 0 ke V范围内的 X射线辐射强度的时空变化 ,及超热电子辐射的 X射线能谱。结果显示 ,在 ICRH期间 ,等离子体边缘的 X辐射增强 ,超热电子的温度大约为 30 ke V,ICRH的能量沉积在等离子体边缘。

碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术；讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温下对５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶ射线的能量分辨率（ＦＷＨＭ）分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。

HL-1M装置电子回旋加热过程中的超热电子测量

在HL 1M托卡马克上进行的电子回旋共振加热实验表明,在低等离子体密度加热过程中,产生大量的超热电子。由Si(Li)和碘化汞(HgI2)半导体探测器阵列测量到的软X射线和中能(15～150keV)X射线能谱,得到超热电子的温度在30～60keV范围内。中能X射线辐射强度测量结果证实,等离子体对电子回旋波的吸收是定域性的。在超热电子对MHD的相互作用中,主要的m n=2 1模没有增强或抑制现象。

碘化汞探测器的研制进展

使用片状法生长ＨｇＩ２单晶片制成的２０ｍｍ×Ｏ．４ｍｍ探测器在常温下对５９．５ｋｅＶγ射线和５．９ｋｅＶＸ射线的能量分辨率（ＦＷＨＭ）分别为１．９ｋｅＶ（３％）和９００ｅＶ。已用于Ｃｕ、Ｐｂ、Ｚｎ等矿样分析，取得了新结果。