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HgCdTe和HgZnTe在横向磁场中的定向凝固
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作者 胡世高 《红外与激光技术》 CSCD 1991年第6期42-48,共7页
用定向凝固法在横向磁场中垂直生长Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体。通过测量这些晶锭轴向和径向组分的变化,研究了磁场对该熔体中流体流动性质的影响。磁场的影响在整个外加场强范围内(即2~5kG)都是明显的。当外加上磁场时,CdTe克分子分数的... 用定向凝固法在横向磁场中垂直生长Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体。通过测量这些晶锭轴向和径向组分的变化,研究了磁场对该熔体中流体流动性质的影响。磁场的影响在整个外加场强范围内(即2~5kG)都是明显的。当外加上磁场时,CdTe克分子分数的轴向组分分布(用精密的密度测量结果确定)急剧下降,用红外透射和X射线能量色散光谱术测绘的径向组分分布表明:当外加上磁场时,固-液界面经历了三个阶段的演变,即:当磁场初加时,它从径向对称的一种凹形界面变成一个偏心的凹形,然后变成一种倾斜的平面,最后变成一个偏心的凹形界面。一根Hg_(0.84)Zn_(0.16)Te晶锭的轴向组分分布表明了类似的磁场效应。 展开更多
关键词 晶体 生长 横向磁场 HGCDTE hgznte
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