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BRIDGMAN—Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展 被引量:4
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作者 王培林 魏科 +1 位作者 张国艳 周士仁 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1994年第5期411-418,共8页
综述近十余年来关于Bridgman-Hg(1-x)CdxTe晶体生长过程中场量的数值分析工作,评价一般Bridgman系统的数值分析,总结和归纳计算模型及边界条件处理方法,指出存在的问题及今后应开展的研究工作.
关键词 数值分析 汞镉锝合金 晶体生长
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