20kV/20kHz/100A高压脉冲源设计

设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为开关的高压脉冲电源。采用自匹配传输线结构线路形式,串联多个以光纤信号隔离触发的MOSFET作为高耐压开关,在传输线的外皮产生2个纳秒脉冲,再用传输线变压器对2个纳秒脉冲进行功率合成,在200Ω负载上输出了幅度20kV,重复频率20kHz,脉冲宽度约40ns的脉冲。分析脉冲源装置结构,对实验装置建立仿真模型,阐述了输出波形畸变的原因,给出了影响输出脉冲波形特性的因素,为下一步优化波形工作提供了理论参考。

200W平衡式脉冲功率放大器的设计与实现

给出了一种用于发射机末级的大功率脉冲功率放大器的设计方案和测试结果。电路设计采用三级级联、平衡式电路结构以及集总元件和微带线混合匹配网络。在2.3GHz-2.4GHz频段,带内增益为47±1.5dB、脉冲输出功率200W、回波损耗大于15dB。测试结果满足给定指标的要求,证明了设计方案的可行性。

适用于MMIC的功率合成器设计

设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析,结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标,设计出工作在5GHz^6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试发现该功率合成器的驻波<1.5dB,各端口幅度不平衡度<±0.4dB,相位不平衡度<±2°,并具有较好的隔离度,整个功率合成器的直径小于56mm,非常适合用于C波段大功率的合成。最终采用该功率合成器在5GHz^6GHz的工作频率内成功获得160W的合成功率。

一种基于波导结构的大功率合路器设计

文章基于对波导结构的分析,提出了一种大功率合路器的设计。波导结构标准的E面T型结能够对功率进行分配/合成,但其枝节的端口响应及枝节间的隔离使得其无法直接用于功率合成/分配。将溅射薄膜电阻后的陶瓷基片引入T型结中,并对T型结的枝节段进行尺寸优化,得到一个端口匹配且隔离度良好的合路器。基于对波导特性、匹配网络理论的分析,设计了一个覆盖Ka频段的功率合路器。