高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０１５／ｃｍ２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０１５／ｃｍ２）的１６Ｏ，使氧在约１．５—２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００—８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当退火温度高于７００℃时，因注入形成的样品晶格损伤得到基本恢复。