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超高速集成电路用高纯硼粉的研制
被引量:
5
1
作者
李萍乡
窦维喜
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期198-200,共3页
研究了溴化合成还原法制取高纯硼粉的工艺及硼粉的结构、颗粒外貌等特征。研究结果表明,所制得的硼粉纯度达到99999%以上,硼的主相为α菱方晶体(a=05057nm、α=58.06°),还含有少量βB晶体(a...
研究了溴化合成还原法制取高纯硼粉的工艺及硼粉的结构、颗粒外貌等特征。研究结果表明,所制得的硼粉纯度达到99999%以上,硼的主相为α菱方晶体(a=05057nm、α=58.06°),还含有少量βB晶体(a=1.09251nm、c=2.3814nm)。产品粒度细(<10μm),有利于应用。
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关键词
高纯硼粉
制备工艺
超高速集成电路
研制
下载PDF
职称材料
题名
超高速集成电路用高纯硼粉的研制
被引量:
5
1
作者
李萍乡
窦维喜
机构
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期198-200,共3页
文摘
研究了溴化合成还原法制取高纯硼粉的工艺及硼粉的结构、颗粒外貌等特征。研究结果表明,所制得的硼粉纯度达到99999%以上,硼的主相为α菱方晶体(a=05057nm、α=58.06°),还含有少量βB晶体(a=1.09251nm、c=2.3814nm)。产品粒度细(<10μm),有利于应用。
关键词
高纯硼粉
制备工艺
超高速集成电路
研制
Keywords
high purity boron powder
,
manufacturing process
,
structure
分类号
TF123.32 [冶金工程—粉末冶金]
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超高速集成电路用高纯硼粉的研制
李萍乡
窦维喜
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
5
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职称材料
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