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超高速集成电路用高纯硼粉的研制 被引量:5
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作者 李萍乡 窦维喜 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期198-200,共3页
研究了溴化合成还原法制取高纯硼粉的工艺及硼粉的结构、颗粒外貌等特征。研究结果表明,所制得的硼粉纯度达到99999%以上,硼的主相为α菱方晶体(a=05057nm、α=58.06°),还含有少量βB晶体(a... 研究了溴化合成还原法制取高纯硼粉的工艺及硼粉的结构、颗粒外貌等特征。研究结果表明,所制得的硼粉纯度达到99999%以上,硼的主相为α菱方晶体(a=05057nm、α=58.06°),还含有少量βB晶体(a=1.09251nm、c=2.3814nm)。产品粒度细(<10μm),有利于应用。 展开更多
关键词 高纯硼粉 制备工艺 超高速集成电路 研制
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