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高端MOS管栅极驱动技术研究
被引量:
2
1
作者
余海生
徐婉静
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期393-397,共5页
高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动...
高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。
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关键词
高端MOS管
变压器驱动
自举驱动
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职称材料
超声波流量计信号驱动与高速切换电路研究
被引量:
11
2
作者
赵永科
李跃忠
胡开明
《东华理工大学学报(自然科学版)》
CAS
2011年第2期198-200,共3页
基于时差法的液体超声波流量计,采用双低边MOS场效应管驱动器MIC4427形成BTL驱动电路,将微控制器发出的脉冲信号提升峰峰值到30 V,明显提高接收换能器的信号灵敏度和稳定度。由于超声波换能器为发送接收一体型传感器,采用高速模拟开关,...
基于时差法的液体超声波流量计,采用双低边MOS场效应管驱动器MIC4427形成BTL驱动电路,将微控制器发出的脉冲信号提升峰峰值到30 V,明显提高接收换能器的信号灵敏度和稳定度。由于超声波换能器为发送接收一体型传感器,采用高速模拟开关,让超声波换能器根据需要,在发送传感器和接收传感器之间不停切换,以满足信号测量要求。
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关键词
时差法超声波流量计
双低边MOS场效应管驱动器
高速模拟切换开关
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职称材料
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路
被引量:
2
3
作者
向莉
方健
黎育煌
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期207-210,共4页
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计...
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路。基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试。结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升。
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关键词
栅极驱动
电平位移
H桥
BCD工艺
高端功率管
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职称材料
某种车型智能继电器控制逻辑分析
4
作者
魏冬至
《汽车电器》
2022年第10期107-108,共2页
本文以一种特殊形式的智能继电器为例,详细分析其内部控制逻辑和工作原理,有助于拓展维修人员的认知和维修思路。
关键词
智能继电器
压控型场管
智能高侧大电流电源开关
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职称材料
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片
5
作者
On Semiconductor
《电源世界》
2010年第10期30-32,29,共4页
本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的硅芯片驱动方案比较理想。
关键词
半桥拓扑结构
高端
mosfet
硅芯片
变压器
原文传递
题名
高端MOS管栅极驱动技术研究
被引量:
2
1
作者
余海生
徐婉静
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期393-397,共5页
文摘
高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。
关键词
高端MOS管
变压器驱动
自举驱动
Keywords
high side mosfet
Transformer gate drive technique
Bootstrap gate drive technique
分类号
TN452 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
超声波流量计信号驱动与高速切换电路研究
被引量:
11
2
作者
赵永科
李跃忠
胡开明
机构
东华理工大学机械与电子工程学院
出处
《东华理工大学学报(自然科学版)》
CAS
2011年第2期198-200,共3页
基金
东华理工大学校级校长基金项目"超声波流量计中精确测时电路研究"(DHXK1039)
文摘
基于时差法的液体超声波流量计,采用双低边MOS场效应管驱动器MIC4427形成BTL驱动电路,将微控制器发出的脉冲信号提升峰峰值到30 V,明显提高接收换能器的信号灵敏度和稳定度。由于超声波换能器为发送接收一体型传感器,采用高速模拟开关,让超声波换能器根据需要,在发送传感器和接收传感器之间不停切换,以满足信号测量要求。
关键词
时差法超声波流量计
双低边MOS场效应管驱动器
高速模拟切换开关
Keywords
transit time ultrasonic flowmeter
low
side
MOS
mosfet
drive
high
-speed analog switch
分类号
TP216.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路
被引量:
2
3
作者
向莉
方健
黎育煌
机构
电子科技大学IC设计中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期207-210,共4页
文摘
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路。基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试。结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升。
关键词
栅极驱动
电平位移
H桥
BCD工艺
高端功率管
Keywords
Gate drive
Level shifter
H bridge
BCD process
high
-
side
power
mosfet
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
某种车型智能继电器控制逻辑分析
4
作者
魏冬至
机构
郑州技师学院
出处
《汽车电器》
2022年第10期107-108,共2页
文摘
本文以一种特殊形式的智能继电器为例,详细分析其内部控制逻辑和工作原理,有助于拓展维修人员的认知和维修思路。
关键词
智能继电器
压控型场管
智能高侧大电流电源开关
Keywords
intelligent relays
pressure-controlled
mosfet
smart
high
side
high
current power switch
分类号
U463.6 [机械工程—车辆工程]
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职称材料
题名
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片
5
作者
On Semiconductor
机构
安森美半导体
出处
《电源世界》
2010年第10期30-32,29,共4页
文摘
本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的硅芯片驱动方案比较理想。
关键词
半桥拓扑结构
高端
mosfet
硅芯片
变压器
Keywords
Half-bridge topology
high
-
side
mosfet
Silicon chip
Transformer
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高端MOS管栅极驱动技术研究
余海生
徐婉静
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
2
超声波流量计信号驱动与高速切换电路研究
赵永科
李跃忠
胡开明
《东华理工大学学报(自然科学版)》
CAS
2011
11
下载PDF
职称材料
3
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路
向莉
方健
黎育煌
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
下载PDF
职称材料
4
某种车型智能继电器控制逻辑分析
魏冬至
《汽车电器》
2022
0
下载PDF
职称材料
5
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片
On Semiconductor
《电源世界》
2010
0
原文传递
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